為功率電子設計人員提供帶有全額快速恢復二極管的穩健型175℃標準IGBT。
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IGBT 電源 NXP
IGBT晶體管的結構要比 MOSFET 或雙極結型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結合了這兩種器件的特點，并且有三個端子：一個柵極、一個集電極和一個發射極。就柵極驅動而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路圖 2. IGBT的導通電流為了快速導通和關斷 BJT，必須在每個方向上硬驅動柵極電流，以將載流子移入和移出基極區。當 MOSFET 的柵極被驅動為高電平時，會存在一個從雙
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安森美 IGBT 柵極驅動
絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導體器件，主要用作電子開關，在較新的器件中以結合高效和快速開關而聞名。IGBT通過在單個器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡單柵極驅動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結合。IGBT用于中到大功率應用，如開關電源、牽引電機控制和感應加熱。圖1. IGBT 電路圖符號01 IGBT特點IGBT具有柵極、集電極、發射極3個引腳。柵極與MOSF
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DigiKey IGBT
英飛凌TRENCHSTOP? IGBT7系列單管具有兩種電壓等級（650V&1200V）和三個系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列單管針對光儲、UPS、EV charger、焊機等應用進行了專門的優化，并配備了全電流EC7 rapid二極管。憑借極低的開關損耗、導通損耗和豐富的產品系列，H7單管正在成為光伏和儲能應用的新星。產品特點● 按照應用需求去定義產品，去掉短路能力從而獲得更低的開關損耗和導通損耗，如圖1所示。完美適配于不需要短路能力的光儲等應用。● 1200V
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英飛凌 IGBT
針對所有的應用，人們越來越注意電動馬達的運作效率；因此，對高效率驅動器的需求變得日益重要。此外，使用馬達驅動的設計，例如電動馬達、泵和風扇，需要降低整體成本，且需要減低這些電動馬達應用中的能耗；因此，為電動馬達及其的驅動指定高效率的設計，以適合每項特定應用變得更加重要。面對今日要求更高的電壓或更高的電流以及更低頻率的電動馬達驅動應用，廣為人知且被廣泛使用的開關組件解決方案絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 即是一項絕佳的選擇。因為多數馬達在較低頻率運作，要求可靠的安全工作區（SOA）和短路額定值，且需要將效率
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Bourns 電動馬達 IGBT
2020 年初，疫情期間的封鎖政策并未對電動汽車行業造成太大影響。2021 年，由于疫情期間人們對電動汽車的需求上升，再加上全球各國政府紛紛采取激勵措施，電動汽車充電站的需求量開始增加。在過去的三年里，電動車領導品牌的銷量紛紛呈現巨幅成長的趨勢。 低成本、低排放汽車的不斷發展，將推動整個亞太地區的電動汽車市場實現穩步擴張。同時，不斷加碼的政府激勵措施和持續擴張的高性能車市場也推動著北美和歐洲地區電動汽車市場的快速增長。因此，根據MarketsandMarkets 市調數據估計，全球電動汽車市場規模將從 2
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車用 電能轉換 車電領域 IGBT SiC 功率模塊
2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導體發 L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉換器應用，采用隔離降壓拓撲結構，需要的外部組件比傳統隔離式反激式轉換器少，并且不需要光耦合器，從而節省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優勢包括 2μA 關斷電流，集成軟啟動時間可調、內部環路補償、電源正常指示，以及過流保護、熱關斷等保護功能。擴
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意法半導體 隔離式降壓轉換器 功率轉換 IGBT SiC GaN 晶體管柵極驅動
IGBT模塊主要由若干混聯的IGBT芯片構成，個芯片之間通過鋁導線實現電氣連接。標準的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝。1、IGBT模塊結構IGBT模塊主要由若干混聯的IGBT芯片構成，個芯片之間通過鋁導線實現電氣連接。標準的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結構如圖1-1所示。從上之下它依次由芯片，DBC（Directed Bonding Copper）以及金屬散熱板（
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IGBT
隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優質產品，競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時電源來驅動，傳統的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數量級的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。市場已經在推動向更高電壓電池的轉變。800 V DC 和更大的電池將變得更占優勢，因為使用更高的電壓意味著系統可以在更低的電流下運行，同時實現相同的功率輸出。較低電流的優點是損耗較低，需要管理的熱耗散較少，還有利于使
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安森美 IGBT SiC
德國紐倫堡，PCIM 2023 – 2023年5月9日訊 – 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出SCALE-iFlex? LT NTC系列IGBT/SiC模塊門極驅動器。新款門極驅動器適配于流行的100mmx140mm IGBT半橋模塊，例如Mitsubishi LV100 和 Infineon XHP 2，以及耐壓在2300V以內的碳化硅(SiC)衍生模塊。SCALE-iFlex LT NTC驅動器可提供負溫度系數
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Power Integrations IGBT SiC模塊 門極驅動器
緊湊的尺寸和不斷降低的系統成本是電力電子設計的開發者一直追求的目標。現在，由于家用電器消耗的能量不斷增加，從事此類應用的工程師還有一個目標：保持高功率因數(PF)。特別是空調，其額定功率為1.8kW或更大，是最耗電的設備之一。在這里，功率因數校正(PFC)是強制性的，對于PFC，設計者認為IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是具有最高性價比的開關器件。緊湊的尺寸和不斷降低的系統成本是電力電子設計的開發者一直追求的目標。現在，由于家用電器消耗的能量不斷增加，從事此類應用的工程師還有一個目標：保持高功率因數(PF)
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快速開關 IGBT
4月24日，東芝電子元器件及存儲裝置株式會社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導體生產基地。施工將分兩個階段進行，第一階段的生產計劃在2024財年內開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓，以應對人員的增加。此外，今年2月下旬，日經亞洲報道，東芝計劃到2024年將碳化硅功率半導體的產量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產環節，布局完成后將形成：外延設備+外
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功率半導體 IGBT MOSFET SIC
賽米控丹佛斯（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開發SiC（碳化硅）功率模塊方面，已有十多年的良好合作關系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續保持緊密合作，全力響應全球電機驅動用戶的需求。ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官 CFO 伊野和英 （左） 賽米控丹佛斯 CEO Claus A.
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賽米控丹佛斯 羅姆 1200V IGBT 功率模塊
今天要聊的這個或許不僅是“供不應求”，在媒體報道中更被稱為是“一芯難求”！用報道的話來說，“不是價格多高的問題，而是根本買不到”。TA就是簡稱為“IGBT”的絕緣柵雙極型晶體管。聽到“一芯難求”，聰明的你應該就能get到其中的投資機會，IGBT究竟為啥這么搶手？咱們又能從中找到哪些投資良機呢？01 什么是IGBT？作為新能源領域的“新晉紅人”，IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，可以簡單理解為一種功率開關元件。心臟的作用大家都知道吧？在心臟泵的作用下，心臟把血液推動到身體的各個器官，為身體補充充足的血液和
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IGBT
2022年，盡管全球半導體產業局勢復雜，但中國本土半導體似乎依然保持著朝陽勢頭，發展火熱。尤其是半導體設備廠商，在國產化浪潮進一步驅動下，去年大部分國產設備廠商在營收及訂單方面表現出了強勁的增長態勢。2023年以來，至純科技、中微公司、以及盛美上海均披露了其2022年年度報告。其中，2022年度，至純科技實現營業收入30.5億元，同比增長46.32%，新增訂單42.19億元，同比增長30.62%；；中微公司實現營收47.4億元，同比增長52.5%，新簽訂單金額約63.2億元，同比增加約53%；盛美上海實現
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設備廠商 IGBT
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