6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一臺High NA EUV極紫外光刻機，同時正在研究更強大的Hyper NA EUV光刻機，預計可將半導體工藝推進到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機孔徑數值只有0.33，對應產品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未來的4000F、4200G、4X00。該系列預計到2025年可以量產2nm，再往后就得加入多重曝光，預計到2027年能實現1.4nm的量產。High NA光刻機升級到了
據市場消息，目前，ASML High NA EUV光刻機僅有兩臺，如此限量版的EUV關鍵設備必然無法滿足市場對先進制程芯片的需求，為此ASML布局步伐又邁一步。當地時間6月3日，全球最大的半導體設備制造商阿斯麥（ASML）宣布，攜手比利時微電子研究中心（IMEC），在荷蘭費爾德霍芬（Veldhoven）開設聯合High-NA EUV光刻實驗室（High NA EUV Lithography Lab），并由雙方共同運營。推動摩爾定律關鍵因素：High NA EUV技術據業界信息，High NA EUV技術是
5月26日，臺積電舉辦“2024年技術論壇臺北站”的活動，臺積電CEO魏哲家罕見的沒有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪問位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國迪琴根的工業激光專業公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設備供應商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過社交媒體透露了魏哲家秘密出訪的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術和新產品，包括High-NA EUV設備將如何實現未來
臺積電熊本廠已在2月底開幕，美國亞利桑那州新廠卻從2024年遞延至2025年量產，美國一名結構工程師撰文指出，在美國蓋晶圓廠的速度比世界其他地方慢，建造成本也比世界其他地區高出30%到4倍。而蓋晶圓廠比想象中復雜，以ASML的一臺先進EUV曝光機為例，可能裝在40個貨柜中，需要漫長而仔細的組裝過程。美國進步中心（Institute of Progress）學者、結構工程師波特（Brian Potter）以如何建造一座價值200億美元的半導體廠為題撰文指出，隨著摩爾定律的發展，芯片已變得越來越小、越來越便宜
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