晶圓制造工具正變得更加專用于 Si/SiGe 堆棧、3D NAND 和鍵合晶圓對。
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2nm EUV
眾所周知，當前全球只有ASML一家能夠生產EUV光刻機，甚至可以說很長一段時間內，全球也只有ASML能夠生產光刻機，不會有第二家。原因在于ASML把EUV光刻機的路堵住了，這條路別人是走不通的。ASML與全球眾多的供應鏈，形成了捆綁關系，像蔡司等與ASML形成了利益共同體，EUV光刻機中，蔡司等廠商至關重要，掌握核心科技，缺少這些供應鏈，其它廠商不可能制造出EUV光刻機。所以，目前眾多的其它光刻機企業，并不打算走EUV光刻機這條路，在另尋它路。同樣的，國產光刻機基本上也走不通EUV這條路，只能另尋他路，而
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ASML EUV 光刻機
據報道，荷蘭和日本已與美國達成協議，共同限制向中國出口芯片制造工具，這將進一步削弱中國半導體行業的發展，因為除了限制中國制造商使用 EUV 光刻機外，進一步限制其使用浸沒式 DUV 光刻機。但在美國對中國發起的嚴格出口限制中，中國半導體企業是否可以利用任何關鍵漏洞來緩沖沖擊？這似乎是一個值得仔細研究的問題。近年來，美國加大了對中國半導體產業發展的打壓力度。不僅設計了各種策略和行動，還動員了盟友的參與。在 2022 年 10 月對向中國出口先進芯片制造工具和技術實施全面出口限制后，美國急于讓擁有 ASML
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EUV DUV 深紫外光刻機
說到光刻機大家難免會想到三個廠商，荷蘭的ASML公司、尼康和佳能。而光刻機就是制造芯片的核心裝備。現如今光刻機領域的核心地位就是荷蘭的ASML，他與臺積電合作，共同突破了沉浸式DUV光刻機，也正因為此動作，才奠定了ASML在光刻機領域的核心地位。后續ASML又推出了更加高端的EUV光刻機，而且還是獨家壟斷生產。這就進一步使得ASML成為行業的巨頭。隨著科技的不斷發展，市場就要越來越追求高性能以及高要求，ASLM造成的長時間壟斷，導致其他同行沒有辦法發展。在他自身無法突破的前提下，他的路是越走越窄。在全球范
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光刻機 ASML DUV EUV
最新消息顯示，盡管全球經濟將放緩，但三星仍計劃擴大DRAM與晶圓代工的晶圓產能，明年在其P3晶圓廠新設至少10臺極紫外光刻設備（EUV），用于生產最新的12nm級內存芯片，而三星目前僅有40臺EUV光刻機。
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三星 EUV 光刻機
據報道，三星首次引入韓國本土公司東進世美肯（Dongjin Semichem）研發的EUV光刻膠（EUV PR）進入其量產線，這也是三星進行光刻膠本土量產的首次嘗試。在2019年經歷與日本的光刻膠等關鍵原料的供應風波之后，三星就在嘗試將關鍵原料的供應本土化，經過三年的努力，韓國實現了光刻膠本地化生產。在日本限制出口、三星嘗試重構EUV光刻膠的供應鏈之后，東進世美肯就已開始研發EUV光刻膠，并在去年通過了三星的可靠性測試，隨后不到一年就被應用于三星的大規模生產線。不過，EUV光刻膠可用于3-50道程序，目前
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三星 韓國 EUV 光刻膠
都知道光刻機單臺成本非常的貴，但是你知道有多貴嗎？一臺數億美元的光刻機讓我們看到了一款硬件設備的價格極限，然而，ASML CEO Peter Wennink最新接受媒體采訪時透露，他們正在全力研制劃時代的新光刻機high-NA EUV設備，而高NA EUV光刻機系統的單臺造價將在300億到350億歐元之間，約合人民幣2195到2561億元。這個價格什么概念，一搜頂級航母的價格差不多在100億美元左右，而這臺硬件設備可以買三艘頂級航母，而ASML目前在售的雙工件臺EUV光刻機不過數億美元，作為下一代產品身價
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光刻機 ASML EUV
近日，據國家知識產權局官網消息，華為技術有限公司于11月15日公布了一項于光刻技術相關的專利，專利申請號為202110524685X。集成電路制造中，光刻覆蓋了微納圖形的轉移、加工和形成環節，決定著集成電路晶圓上電路的特征尺寸和芯片內晶體管的數量，是集成電路制造的關鍵技術之一。隨著半導體工藝向7nm及以下節點的推進，極紫外(extreme
ultraviolet，EUV)光刻成為首選的光刻技術。相關技術的EUV光刻機中采用強相干光源在進行光刻時，相干光經照明系統分割成的多個子光束具有固定的相位關系，當
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EUV 光刻 華為
由于傳統微縮(scaling)技術系統的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal
Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術，并將其應用于全新的1anm LPDDR5X DRAM,
即便在低功率設置下也實現了晶體管性能的顯著提高。本文針對HKMG及其使用益處進行探討。厚度挑戰: 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數據的單元晶體管(Cell
Transistor)、恢復數據的核心晶體管(Core
Tr
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SK海力士 High-k Metal Gate
本周美光宣布，采用全球先進1β(1-beta)制造工藝的DRAM內存芯片已經送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進行驗證，并做好了量產準備。1β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)。一個值得關注的點是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。這意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復雜的設計方案。畢竟，DRAM的先進性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導體的能力，各公司目前通過不斷縮小電路
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美光 EUV 光刻技術
本周美光宣布，采用全球最先進1β(1-beta)制造工藝的DRAM內存芯片已經送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進行驗證，并做好了量產準備。 1β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)。 一個值得關注的點是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。 這意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復雜的設計方案。畢竟，DRAM的先進性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導體的能力，各公司目
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美光 DRAM 內存芯片 光刻機 EUV
近期，全球半導體龍頭設備企業阿斯麥（ASML）、泛林（LAM）公布了其最新一季度財報，阿斯麥方面，最新一季度銷售額和利潤均超出市場預期，其新的凈預訂額也創下了紀錄。此外阿斯麥CEO Peter Wennink表示，ASML有望繼續向中國出貨非EUV光刻機；泛林方面，當季公司營收創下歷史新高，官方表示，2023年晶圓廠設備支出將下滑。ASML：有望繼續向中國出貨非EUV光刻機10月19日，光刻機大廠阿斯麥公布了2022年第三季度財報。數據顯示，ASML第三季度凈營收同比增長10%至58億歐元，超出此前業界預
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ASML EUV 光刻機 泛林
微影設備業者ASML第一季已完成136臺極紫外光（EUV）曝光機出貨，累計超過7,000萬片晶圓完成EUV曝光。隨著EUV微影技術推進，預期2025年之后新一代EUV曝光機每小時曝光產量可達220片以上，以因應客戶端先進制程推進至埃米（Angstrom）世代對先進微影技術的強勁需求。雖然2023年半導體市況能見度低且不確定性高，但包括臺積電、英特爾、三星、SK海力士、美光等全球前五大半導體廠仍積極投資EUV產能，加上制程推進會帶動光罩層數增加，法人樂觀看好家登、帆宣、公準、意德士（等EUV概念股明年營運將
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微影技術 ASML EUV
在美國拼命打壓中國之際，荷蘭光刻機巨頭ASML卻相反，根據該公司透露的消息，ASML今年將在中國招聘200多名員工，以跟上中國的增長步伐，這意味著ASML 在華員工人數已超過 1500 人，占ASML公司全球員工的14%。那么，ASML到底想干什么呢？首先，ASML公司是想賺錢，雖然臺積電、三星等買去了荷蘭ASML公司的大部分EUV光刻機，但ASML公司可以在中國銷售DUV等光刻機。而且，2021年ASML的第一大客戶就是中國大陸芯片企業，中國大陸芯片企業為ASML貢獻了超過290億美元，而中國臺灣和韓國
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