摘要:本文研究了基于MOS固態開關的高頻高壓脈沖源中的電磁兼容問題,通過分析其干擾信號頻譜分布及傳播路徑,制定了以屏蔽和濾波為主的電磁兼容方案,最終實現了重復頻率80kHz,4kV脈沖源,實驗驗證了電磁兼容措施的
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電磁兼容 問題 研究 脈沖 高壓 MOS 開關 高頻 基于
相對通用的電路電路圖如下:圖1用于NMOS的驅動電路圖2用于PMOS的驅動電路這里只針對NMOS...
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MOS 驅動電路
現在的MOS驅動,有幾個特別的應用1、低壓應用當使用5V電源,這時候如果使用傳統的圖騰柱結構,由于...
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MOS
在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很...
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MOS
前不久,能源之星發布了2.0版外部電源能效規范。新規范大幅提高了工作頻率要求,同時進一步降低待機功耗要求。...
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mos
本文詳細分析計算開關損耗,并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程,從而使電子工程師知...
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mos/開關損耗
對于一位開關電源工程師來說,在一對或多對相互對立的條件面前做出選擇,那是常有的事。而我們今天討論的這個話題就是一對相互對立的條件。(即要限制主MOS管最大反峰,又要RCD吸收回路功耗最小) 在討論前我們先做
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吸收 回路 RCD 管反峰 設計 MOS 開關電源
氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的典型代表之一,由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點,被認為是高頻功率半導體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點,基于Agilent ADS仿真軟件,利用負載/源牽引方法設計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說明了設計步驟并對放大器進行了測試,數據表明放大器在2.3~2.4 GHz范圍內可實現功率超過15W,附加效率超過67%的輸出。實驗結果證實,GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
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設計 功率放大器 GaN 一種
To emulate the natural soft start of an incandescent bulb, this circuit makes use of the thermal-foldback protection built into an LED-driver IC (MAX16832). It thereby avoids the annoying and almost i
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driver LED enhances Soft-start
This application note presents an LED driver solution for MR16 and similar retrofit lamps. The circuit drives LEDs from a 12VAC input. The solution works with both magnetic and electronic transformers
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similar retrofit lamps and MR16 driver solution for
目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導電性和導熱性差等原因,對后期器件加工和應用帶來很多不便,SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處,而價格相對便宜的Si襯底由于有著優良的導熱導電性能和成熟的器件加工工藝等優勢,因此Si襯底GaN基LED制造技術受到業界的普遍關注。
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GaN LED 襯底 功率型
MOS-FET雖然與JFET結構不同,但特性極為相似,N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型,可在許多電路中代替J-FET,如圖5.4-97所示,電路用MOS-FET代替J-FET更簡單,如釁5.4-100所示短路開關對應圖5.4-96中的A、C、D三個電路
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MOS-FET 開關電路
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