SANE（Scanner Access Now Easy）是一個應用程序接口API（Application Programming Interface）[1]，提供了對光柵圖像掃描硬件的標準訪問[2]。Linux對掃描儀的支持就是通過SANE實現的。SANE標準中將實現SANE接口的驅
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Driver Linux SANE 自動化
硅上GaN LED不必受應力的影響，一定量的應力阻礙了輸出功率。英國一個研究小組通過原位工具監測溫度和晶片曲率，制備出低位錯密度的扁平型150mm外延片，并將這些芯片安裝到器件中，使得內量子效率接近40%。硅襯底在
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GaN LED 分析
電路的功能如使用發光二極管直流發光，正向偏流只能在數10MA以下，允以獲得大的發光輸出，若采用縮小導通時的占空比，則可獲得大的峰值電流。本電路發光頻率為1KHZ，脈沖載頻為38KHZ，受發光電路很容易分辯外來光。電
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電路 工作 原理 分析 驅動 脈沖 C-MOS 與非門 發光二極管
采用C-MOS轉換器的石英晶體振蕩電路電路的功能近來出現了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產品 ...
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C-MOS 轉換器 石英晶體 振蕩電路
電路的功能若要用555芯片組成長時間定時電路，R用高阻值，便可加長CR時間常數，但是，由于內部比較器的輸入偏流較大，難以充電到門限電壓，比較器無法驅動，為此，本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時器芯片，選用高阻
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工作 原理 電路 定時 時間 C-MOS 設定
如果你想要得到顯著的摻雜剖面結構及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
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GaN LED
在當今社會，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個月發生的案例來說：英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
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GaN LED
日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業設備，與擁有電力系統和電源封裝技術的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯合開發出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統的Si模塊的設計，由于最大限度地利用了SiC器件的特點，從而大幅改善了電氣特性、機械特性，同時實現了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
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羅姆 SiC MOS
超級半導體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關鍵材料之...
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LED GaN MOSFET
這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應管。該變壓器的工作原理及制作過程： 圖1 工作原理 一、方波的產生 這里采用CD4069構成方波信號發生器。電路中R1是補償電阻，用于改善由于電源電壓的變化而
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自制 逆變器 效應 MOS
NCP1396A/B為NCP1395的改進型。它包括一個最高500kHZ的壓控振蕩器，在必需懸浮驅動功能時齙控制模式有很大...
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光耦 可調 死區時間 MOS
1993年世界上第一只GaN基藍色LED問世以來，LED制造技術的發展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
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LED芯片 硅襯底 GaN
Ⅲ族氮化物半導體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發光二極管，高密度光學存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
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MOCVD GaN LED芯片
1 引 言 目前,實現微電路最常用的技術是使用MOS晶體管。隨著科學技術的發展,集成電路的集成密度不斷地在提高,MOS晶體管器件的尺寸也逐年縮小, 當MOS管的溝道長度小到一定值之后,出現的短溝道效應將對器件的特性
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行為 建模 及其 效應 管短溝 MOS
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