研究人員介紹，他們第一次在200mm硅（111）晶圓上沉積了無裂縫的AlGaN/GaN結構。高清晰XRD測量顯示出很高的晶體質量，并且研究人員還報告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應用實驗室的300mmCRIUS金屬-有機化學氣相外延（MOVPE）反應腔中生長的。???????
“對實現在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標來說，在200mm硅晶圓上生長出
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硅晶圓 GaN 200mm MEMC
要預測客戶對一款手機性能的接受程度，從而預測手機設計的品質，需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值的工具，本文將介紹如何進行此類測試。
UMA/GAN是一種能讓移動電話在傳輸話音、數據、既有話音也有數據或既無話音也無數據時在蜂窩網絡(例如 GERAN--GSM/EDGE 無線接入網)和IP接入網絡(例如無線 LAN)之間無縫切換的系統。作為網絡融合發展過程中一項里程碑式的技術，UMA/GAN能讓手機用戶得以享受固定寬帶網提供的服務。UMA/GAN最初叫做免許可移動接入(UMA)網，之后被3
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移動電話 UMA GAN SEGW WLAN
由青島杰生電氣有限公司承擔的國家863半導體照明工程重點項目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長設備研制取得突破，我國首臺具有自主知識產權的并能同時生長6片外延片的MOCVD設備研制成功。
該設備在高亮度的藍光發光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領域具有廣泛應用。MOCVD是半導體照明上游關鍵設備，目前國內半導體照明產業的研發和生產所需設備全部依賴進口。在此之前，杰生電氣已先后研發出2英寸單片和2英寸3片的
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青島杰生電氣 MOCVD LED LD GaN
1 AB類功放驅動電路設計目標
在實用電路中，往往要求放大電路的末級(即輸出級)輸出一定的功率，以驅動負載。能夠向負載提供足夠信號功率的放大電路稱為功率放大電路，簡稱功放。經典功率放大器有4種類型：A類，AB類，B類和C類，他們的主要差別在于偏置的情況不同。理想的4類經典放大器的最大效率的理論值與導通角的函數關系如圖1所示。
A類功率放大器的線性度好，功率傳遞能力差，效率最大值為50%，導通角為360
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模擬技術 電源技術 驅動電 放大器 MOS
34063一種用于DC－DC電源變換的集成電路，應用比較廣泛，通用廉價易購。
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升壓 降壓 功率 MOS
新型單元是一種用于嵌入式系統的下一代微控制器片上非易失存儲器的頗具前途的解決方案，它可以在1.5V電源電壓條件下進行編程，且只需100μA的編程電流。 日立有限公司與瑞薩科技公司近日發布了低功耗相位轉換存儲器單元的成功原型。這種非易失半導體存儲單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進行編程——與采用以前技術的日立和瑞薩發布的產品相比，每個單元的功耗降低了50％。此外，相對于現有的非易失存儲器，新的相位轉換單元在高速讀寫能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優異。因此，這些原型可在
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MOS 日立 瑞薩 存儲器
LCD Driver IC 測試方法及其對測試系統提出的挑戰(2)
假設被測的是256色、384 LCD輸出且具有Dot 翻轉功能的IC，那么由公式可得需要測試的電壓值個數為： 256（顏色深度）ｘ384（pin數）ｘ2(Dot 翻轉） ＝196,608 一般的DC測試部件的測試時間為幾到幾十個uS，由此可知測試時間將會比較長。如果IC的色彩深度高一些的話（65535色），測試時間根本無法讓人接受，因此在進行此類測試時需要使用數字采樣器（Dig
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LCD Driver IC 液晶顯示 LCD
LCD Driver IC 測試方法及其對測試系統提出的挑戰LCD顯示器件在中國已有二十多年的發展歷程，已經從最初的以數字顯示為主轉變為以點陣字符、圖形顯示為主。LCD顯示設備以其低電壓驅動、微小功耗、能夠與CMOS電路和LSI直接匹配、具有極薄的扁平結構、可以在極亮的環境光下使用、工藝簡單等等特點成為了極有發展前景的顯示器件。 LCD顯示器件種類繁多、發展迅速，從種類到原理、從結構到效應、從使用方式到應用范圍差異很大，從測試原理上來說也就會有一些不同，目前比較常用的是STN和TFT的LCD顯示器件。由
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LCD Driver IC 液晶顯示 LCD
1994年6月，我國“七五”電子工業的頭號工程———無錫微電子工程在中國華晶電子集團公司全面通過國家驗收。該工程的重點2微米、3微米MOS超大規模集成電路生產線正式建成投產，代表了我國當時微電子工業大生產的最高水平。
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華晶電子 集成電路 MOS
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