To emulate the natural soft start of an incandescent bulb, this circuit makes use of the thermal-foldback protection built into an LED-driver IC (MAX16832). It thereby avoids the annoying and almost i
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driver LED enhances Soft-start
This application note presents an LED driver solution for MR16 and similar retrofit lamps. The circuit drives LEDs from a 12VAC input. The solution works with both magnetic and electronic transformers
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similar retrofit lamps and MR16 driver solution for
目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導電性和導熱性差等原因，對后期器件加工和應用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價格相對便宜的Si襯底由于有著優良的導熱導電性能和成熟的器件加工工藝等優勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術受到業界的普遍關注。
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GaN LED 襯底 功率型
MOS-FET雖然與JFET結構不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡單，如釁5.4-100所示短路開關對應圖5.4-96中的A、C、D三個電路
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MOS-FET 開關電路
電路的功能如使用發光二極管直流發光，正向偏流只能在數10MA以下，允以獲得大的發光輸出，若采用縮小導通時的占空比，則可獲得大的峰值電流。本電路發光頻率為1KHZ，脈沖載頻為38KHZ，受發光電路很容易分辯外來光。電
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驅動 電路 脈沖 發光二極管 C-MOS 與非門 采用
電路的功能近來出現了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產品也得到了進一步的充實。用2級TTL構成的時鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構成的振蕩電路替代，因為TTL IC如果置偏電阻等元件參數選擇不當，容易停振或
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C-MOS 轉換器 石英晶體 振蕩電路
電路的功能若要用555芯片組成長時間定時電路，R用高阻值，便可加長CR時間常數，但是，由于內部比較器的輸入偏流較大，難以充電到門限電壓，比較器無法驅動，為此，本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時器芯片，選用高阻
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電路 定時 C-MOS 時間 設定
The long strings of LEDs commonly found in TV and display backlighting, street lights, and parking garage lights require a current driver capable of producing high voltages. This reference design prov
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strings driver Boost long
美國iSuppli公布了關于GaN(氮化鎵)功率半導體市場將迅速增長的調查報告)。報告顯示，2010年的市場規模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規模。iSuppli預測，該產品在高性能服務器、筆記本電腦、手機及有線通信設備等方面的應用將取得進展。
目前，GaN功率半導體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導通電阻較低等優點，可提高電源電路的轉
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GaN MOSFET
特點－
工作電壓范圍：5V~450V
支持四種調光方式：開關調光、脈沖信號(PWM)調光、DC調光（0~5V）、熱平衡調光。
多重保護功能：LED開路保護、LED短路保護、過電流保護、過溫度保護
支持隔離或非
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綠達 LED Driver
2008年，受到全球半導體市場衰退的影響，中國集成電路產業由前幾年的較快增長轉變為下滑。盡管中國以內需市場為主的集成電路設計業仍實現了一定增長，但嚴重依賴出口的芯片制造和封測行業下滑嚴重。市場的變化和利潤的減少迫使企業不斷創新，知識產權問題將變得更加重要。作為集成電路行業特殊的知識產權保護形式，集成電路布圖設計登記應得到更多的關注。
最近，中國半導體行業協會知識產權工作部和上海硅知識產權交易中心聯合推出中國集成電路布圖設計登記2008年度報告，本期刊登部分節選，供業界研究參考。
本報告數據
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NEC MOS 集成電路布圖設計
使用國產6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結構的GaN MMIC芯片，連續波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續波輸出功率大于10W，帶內增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產SiC襯底的GaN MMIC。
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MMIC SiC GaN 襯底
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布，成功開發出一種革命性的GaN功率器件技術平臺。與此前最先進的硅基技術平臺相比，該技術平臺可將關鍵特定設備的品質因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設備的性能，并降低能耗。
開拓性GaN功率器件技術平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術，歷經5年研發而成的成果。
IR的GaN功率器件技術平臺有助于實現電源轉換解決方案的革命性進步。通過有效利用公司60年來在電源轉換專業知識方面
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IR 功率器件 GaN 終端
美國麻省理工學院一個為第三世界家庭開發廉價計算機的項目組將以任天堂娛樂系統為基礎而不是以蘋果II電腦為基礎進行設計。這兩種系統都采用相同的處理器芯片。
一些Mac計算機網站指出，《波士頓先驅報》本周一的一篇文章介紹了本月麻省理工學院國際設計峰會部分內容“教育家庭計算計劃”。這個計劃的目標是開發成本只有12美元的初級計算機。
雖然設計師之一的27歲研究生Derek Lomas說他希望給第三世界的學校提供類似于伴隨他長大蘋果II計算機，但是，他和他的團隊研制的這種計算機
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PC 廉價 處理器 MOS 6502
要預測客戶對一款手機性能的接受程度，從而預測手機設計的品質，需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值...
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GAN 蜂窩 話音質量
gan mos driver介紹
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