- 摘要:氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點,使其具有帶寬寬,高效特性等優點。為了研究GaN功率放大器的特點,使用了Agilent ADS等仿真軟件,進行電路仿真設計,設計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
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GaN S波段 寬帶 放大器
- 摘要:為了實現GaN基量子阱紅外探測器,利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結構的能帶結構進行了研究。考慮了GaN基材料中的自發極化和壓電極化效應,通過設計適當的量子阱結構,利用自發極化和壓電極化的互補
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設計 探測器 紅外 量子 GaN
- 這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應管,普通電源變壓器構成。其輸出功率取決于MOS場效應管和電源變壓器的功率,免除了煩瑣的變壓器繞制,適合電子愛好者業余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過程。
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逆變器 制作 效應 MOS 變壓器 電源
- 以ODL牌QSA-2400專業功放為例(電路見中圖)。改裝后對應電路見下圖。由于MOS管與三極管驅動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態工作點基本保持不變,要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發射極電阻上的電壓為3V.現改
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方法 改裝 MOS 功放 舞臺
- 摘要:本文研究了基于MOS固態開關的高頻高壓脈沖源中的電磁兼容問題,通過分析其干擾信號頻譜分布及傳播路徑,制定了以屏蔽和濾波為主的電磁兼容方案,最終實現了重復頻率80kHz,4kV脈沖源,實驗驗證了電磁兼容措施的
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電磁兼容 問題 研究 脈沖 高壓 MOS 開關 高頻 基于
- 相對通用的電路電路圖如下:圖1用于NMOS的驅動電路圖2用于PMOS的驅動電路這里只針對NMOS...
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MOS 驅動電路
- 現在的MOS驅動,有幾個特別的應用1、低壓應用當使用5V電源,這時候如果使用傳統的圖騰柱結構,由于...
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MOS
- 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很...
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MOS
- 前不久,能源之星發布了2.0版外部電源能效規范。新規范大幅提高了工作頻率要求,同時進一步降低待機功耗要求。...
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mos
- 本文詳細分析計算開關損耗,并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程,從而使電子工程師知...
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mos/開關損耗
- 對于一位開關電源工程師來說,在一對或多對相互對立的條件面前做出選擇,那是常有的事。而我們今天討論的這個話題就是一對相互對立的條件。(即要限制主MOS管最大反峰,又要RCD吸收回路功耗最小) 在討論前我們先做
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吸收 回路 RCD 管反峰 設計 MOS 開關電源
- 氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的典型代表之一,由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點,被認為是高頻功率半導體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點,基于Agilent ADS仿真軟件,利用負載/源牽引方法設計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說明了設計步驟并對放大器進行了測試,數據表明放大器在2.3~2.4 GHz范圍內可實現功率超過15W,附加效率超過67%的輸出。實驗結果證實,GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
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設計 功率放大器 GaN 一種
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