- 引言：為了打破傳統的VDMOS工藝MOS導通電阻與反向擊穿電壓之間制約，半導體物理學界提出的一種新型MOS結構，稱為...
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SJ-MOS VDMOS
- 上海，2012年11月20日 –富士通半導體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現低碳社會做出重大貢獻。
與傳統硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業化
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富士通 功率器件 GaN
- 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現低碳社會做出重大貢獻。
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富士通 功率器 GaN
- X-FAB Silicon Foundries日前發表XT018，世界首創180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區塊能夠整合在單一芯片上，大幅減少了印刷電路板的組件數量，也避免栓鎖效應(latch-up)更提供對抗電磁干擾的卓越性。
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X-FAB XT018 MOS
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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智能手機 功放 最佳效率 TD-LTE GaN
- 以ODL牌QSA-2400專業功放為例(電路見中圖)。改裝后對應電路見下圖。由于MOS管與三極管驅動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態工作點基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發射極電阻上的電壓為3V.現改
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介紹 改裝 MOS 功放 舞臺
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GaN 恩智浦 氮化鎵 射頻功率晶體管
- 英飛凌科技推出其首個專用于空間和航空應用而設計的電源開關器件。全新BUY25CSXX系列抗輻射加固型(RH)功率MOS器件擁有出類拔萃的性能，可支持面向空間應用的高能效電源調理和電源系統設計。
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英飛凌 MOS
- 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產品系列。該創新型產品系列能夠使得固態放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。
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科銳 放大器 GaN
- 以ODL牌QSA-2400專業功放為例(電路見中圖)。改裝后對應電路見下圖。由于MOS管與三極管驅動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態工作點基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發射極電阻上的電壓為3V.現改
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電路圖 方法 改裝 MOS 功放 舞臺
- 電路的功能近來出現了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產品也得到了進一步的充實。用2級TTL構成的時鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構成的振蕩電路替代，因為TTL IC如果置偏電阻等元件參數選擇不當，容易停振或
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C-MOS 轉換器 石英晶體 振蕩電路
- 這款單顆LED大功率手電筒是以單顆發光二極管(LED)作為光源的一種新型照明工具，它具有省電、耐用、亮度強等優點。可用于夜行、登山、野營、醫用、維修等。且使用效果很不錯。一、LED的選擇現在大功率LED的功率有1W、
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LED Driver AMC7135 大功率 單顆 手電筒
- 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源...
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SiC 功率元件 GaN 導通電阻
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