松下被動元件展區，松下位于德國的器件解決方案部門被動元件團隊產品市場經理Mustafa Khan介紹了electronica期間剛剛問世的導電性聚合物混合鋁電解電容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更優，例如比ZC系列更高的容量和高紋波電流?！ K和ZC產品在125C下可工作4000小時。三種類型產品都有更低的ESR(等效串聯電阻)和LC，可用于LED、汽車、電力電子、電信等場合?！ ∷上录瘓F汽車&工業系統公司介紹了其網上工具--LC Simulator，可加速
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松下 X-GaN
實現互聯世界的創新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.今天發布了一系列六款全新的氮化鎵(GaN)芯片晶體管---TGF2933-36和TGF2941-42，新產品的高頻性能更出色，噪聲更低，這對先進的通信、雷達和國防RF系統應用而言甚為關鍵。
該系列的這六款全新GaN晶體管及其相關模型的制造工藝采用了業內獨有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化鎵(SiC)工藝——QGaN15。QGaN15工藝令晶體管工作頻率高達25 GHz，支持芯片級設計，通過K頻段應用提供頻率更
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Qorvo GaN
類比工程師的轉職活動在近來確實大幅減少，很多大型類比半導體供應商雖然在整并之后規模變得更大，但目前仍在業務/人員盤點階段…
大型類比半導體廠商近來為尋求“成本協同效應”而掀起的整并風潮，可能造成各家廠商的職位縮減并對工程師們帶來影響;對此在類比技術領域的知名人才招募網站Analog Solutions總裁暨創辦人Gary Fowler表示，類比工程師確實找工作會更困難，很多公司的人才招募已經凍結，而這一切都拜企業整并之賜。
Fowler指出，類比工程師
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IC 博通
到2015年， 高亮度(HB)LED的市場規模預計將達到202 億美元( 數據來源：Strategies Unlimited)。驅動這種增長的關鍵應用領域之一是汽車設計中使用的LED，包括
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LED驅動器 IC 前燈
2010年，供應商發布了第一波基于GaN技術的功率半導體。但直到最近，這種產品的可用性依然不高，價格也高昂不下，GaN技術一直在尋找理想的應用空間。隨著時間的推移，這些器件預計將逐步應用到電動汽車、移動設備的快速充電適配器、無線充電和其他系統中，GaN基功率半導體器件正在電源市場上攻城拔寨。
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GaN MOSFET
摘要：對一個復雜的設備進行故障診斷的時候，知識儲備是最重要的。我們想要的并且需要去了解相關的一些問題。它包括正確的IC版本號，在哪里可以找到有關的參考資料，誰真正了解客戶端發生了什么。幫助客戶是我們最主
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IC 故障診斷 失效分析 DC-DC
中國重慶渝北區仙桃數據谷近日建立 “ ARM架構集成電路產業支持平臺”，該平臺將為在重慶渝北區落戶的IC設計企業提供ARM IP購買、技術服務、設計工具、培訓等全方位支持。
該平臺的建立將直接推動重慶本地以IC設計為代表的電子產業創新項目發展，凡在重慶仙桃數據谷落地的電子與集成電路設計相關企業今后都能申請此平臺支持，重慶渝北區政府將對符合條件的項目與企業提供優惠補貼，幫助其迅速并以優惠價格獲得ARM IP、設計工具以及相關培訓與技術支持等。該平臺的建立有利于IC設計企業降
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ARM IC
事實上，電子產業發展的歷程中，中國大陸的崛起似乎都是類似的模式，經過血流成河的競爭后，汰弱留強，光電產業已經給臺灣上足一課，半導體產業還有機會思考應對模式。
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MCU IC
大陸的IC產業正值加速的關鍵時期，專業人才的斷層與新生人才培養的長周期都逼迫著企業要不斷從外引進人才，一場場全球性的“挖角”行動從未間斷，可以預見的是2017-2018年，對于專業高端人才的爭奪戰將更趨白熱化。
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IC 晶圓
一直以來，大家都有個誤會，西方發達國家福利好，工資高，是因為他們民主!但事實上是他們掌握了各行業的源頭技術，并緊緊的把持住，讓世界淪為他們的工廠，他們從中賺取巨額利潤。這才是他們生活好的根因，而現今之中國卻是發達國家的粉碎機，不斷創新的技術碾碎了西方國家的壁壘。
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通信 IC
功耗是當今電子設計以及測試中最熱門也是競爭最激烈的領域之一。這是因為人們對高能效有強烈需求，希望能充分利用電池能量，幫助消減能源帳單，或者支持空間敏感或熱量敏感型應用。在經過30年的發展之后，硅MOSFET發
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GaN 測試
IC 封裝的熱特性對IC 應用和可靠性是非常重要的參數。本文詳細描述了標準封裝的熱特性主要參數：熱阻(ΘJA、ΘJC、ΘCA)等參數。本文就熱阻相關標準的發展、物理意義及測量方式等相關問題作詳細介紹，并提出了在實際系統中熱計算和熱管理的一些經驗方法。希望使電子器件及系統設計工程師能明了熱阻值的相關原理及應用，以解決器件及系統過熱問題。
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德州儀器 -熱阻 IC 封裝
中國第三代半導體產業南方基地(以下簡稱“南方基地”)正式落戶東莞。9月30日，中國第三代半導體產業南方基地項目啟動發布會在東莞召開。國家科技部原副部長、國家第三代半導體產業決策委員會主任曹健林，廣東省副省長袁寶成、省科技廳廳長黃寧生，市委副書記、市長梁維東，國家第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲等領導出席中國第三代半導體產業南方基地項目啟動發布會并見證簽約儀式。
副市長楊曉棠，市政府黨組成員、松山湖管委會主任殷煥明等參加了啟動儀式。
為廣東實現半導體產業化提
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半導體 GaN
回顧2011～2015年資料，中國IC產業年產值增幅保持在10%以上，近2年增長幅度更是維持在20%左右，而制造端從2012年起增速逐步上升，至2015年產值年增率更是來到25%，充分體現中國在IC制造產業發展方面強烈的國家意志。
一、中國IC產業產值
與IC制造業產值
積 體電路產業在國家經濟發展和國家安全中占有至關重要的地位，2000年以來，中國政府發表了一系列IC產業重點扶持和發展政策從未間斷，其中“國家積體電 路發展推進綱要”提出目標：中國積體電路產業
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晶圓 IC
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