同一家IC業者的前后兩場收購案引發不少勞資糾紛，在德國、美國與中國都有尚未平息的爭議…
Microchip的管理高層已經平息了大多數因為收購Atmel以及Micrel而產生的異議，不過在三塊大陸上仍有零星的不滿聲音。
有一個駐在德國德勒斯登(Dresden)的前Atmel設計團隊要求Microchip支付遣散費，聲稱該公司是做出錯誤的裁員決定;另外在美國有一小群前Atmel員工也要求拿到他們認為是前東家承諾支付的遣散費;還有在中國上海，有前Micrel員工抗議裁員。
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IC Microchip
臺灣臺積電(TSMC)在“ISPSD 2016”上公開了受托生產服務的藍圖及試制元件的特性等。該公司將采用在直徑150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN層的“硅基氮化鎵”(GaN on Si)技術生產GaN晶體管。
臺積電打算開展受托生產的GaN晶體管有三種類型：(1)常開型(Normal On)MISFET、(2)常開型HEMT、(3)常關型(Normal Off)。按耐壓高低來分有40V、100V和650V產品。
其中，耐壓650V的常關
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臺積電 GaN
根據WSTS的資料指出，2016年全球半導體市場將下滑2.4%。
根據歐洲半導體產業協會(ESIA)引用世界半導體貿易統計協會(WSTS)的資料指出，2016年全球半導體市場將下滑2.4%達到3,270億美元，而在隨后的幾年可望看到整體產業轉趨于適度成長。
WSTS一改先前對于2016年的成長預測，同時也延緩對于成長前景的預期。根據該市調公司的最新估計，全球半導體市場可望在2017年和2018年之間看到成長，成長力道主要來自亞太地區，以及光電、感測器與類比IC市場的成長。
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半導體 IC
移動應用、基礎設施與航空航天、國防等應用中領先的RF解決方案供應商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專門設計用于優化商業用雷達、通信系統及航空電子應用的功率性能。
Qorvo 國防與航空航天產品總經理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶體管系列通過提供更高功率增益和功率附加效率來提升系統性能。Qorvo可以更好地實現相位陣列雷達等先進設備的要求，提供
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Qorvo GaN
在這個看臉的時代，顏值高有多重要這事兒還要細說嗎?
你心目中的集創女神是醬嬸兒滴
但實際看到的可能是醬嬸兒滴
天啦擼，寶寶不開心!
畫面效果有多重要這事兒，還用寶寶解釋嗎?!顏控們排排坐好哈，今天小編就來深扒一下，一款高顏值的LED顯示屏是如何煉成的!
高顏值LED顯示屏最不可或缺的是什么?
衡量LED顯示屏性能優劣的指標有刷新率、灰度等級、高亮度等，而這些都是由驅動IC直接決定的。
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LED IC
財團法人工業技術研究院知識經濟與競爭力研究中心主任杜紫宸18日在“跟上十三五布局中國2025”論壇表示，2年內新政府若不開放大陸重要企業與臺灣IC半導體設計產業，進行合資，臺灣的IC半導體設計產業在2025年之前，很可能會消失。”
《遠見雜志》與臺灣證券交易所18日在臺北市“93巷人文空間”會館舉辦“跟上十三五布局中國2025”論壇，由遠見雜志副社長楊瑪利主持人，臺灣證券交易所副總經理黃乃寬、財團法人工業技術研究
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IC
氮化鎵 (GaN) 技術由于其出色的開關特性和不斷提升的品質，近期逐漸得到了電力轉換應用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復的安全GaN可實現更高的開關頻率和效率，從而為全新應用和拓撲選項打開了大門。連續傳導模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個得益于GaN優點的拓撲。與通常使用的雙升壓無橋PFC拓撲相比，CCM圖騰柱無橋PFC能夠使半導體開關和升壓電感器的數量減半，同時又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區域內出現電流尖峰的根本原因，并給出了相應的解決方案。一個750W圖騰柱PFC原型機被
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GaN PFC
今年3月28日，總投資240億美元的國家存儲器項目在武漢光谷正式啟動，這是湖北省建國以來最大單體投資高科技產業項目，基地的動工，將是湖北集成電路產業騰飛的基礎。
在近日召開的湖北集成電路產業推進會上，湖北省副省長許克振也強調要以存儲器基地建設為契機，抓好關鍵突破，加快推動湖北集成電路產業發展壯大。他說道：“當前，我省集成電路產業發展正處在絕佳的窗口期，我們要堅定信心和決心，以更加開放、務實的思維和作風，加快推動集成電路產業發展，搶占產業發展制高點。”
建成支點 培育
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IC 集成電路
基于數十年的電源管理創新經驗，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場效應晶體管(FET)功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅動器的GaN解決方案的半導體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數字電力轉換控制器組合在一起，能使設計人員創造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設計。而這些優勢在隔離式高壓工業、電信、企業計算和可再生能源應用中都特別重要。如需了解更多信息
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TI GaN
氮化鎵(GaN)是一種新興的半導體工藝技術，提供超越硅的多種優勢，被稱為第三代半導體材料，用于電源系統的設計如功率因數校正(PFC)、軟開關DC-DC、各種終端應用如電源適配器、光伏逆變器或太陽能逆變器、服務器及通信電源等，可實現硅器件難以達到的更高電源轉換效率和更高的功率密度水平，為開關電源和其它在能效及功率密度至關重要的應用帶來性能飛躍。 GaN的優勢 從表1可見，GaN具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度，和更高的工作溫度。GaN提供高電子遷移率，這意味著開關過程的反向恢復時間可忽略不計
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安森美 GaN
LTC3118 通過整合一個雙通道、低損耗的 PowerPath 控制器和一個高效率降壓-升壓型轉換器解決了電源通路中的損耗、輸入電源的優先級確定、以及源于電感電纜插入的電壓尖峰均會增加系統的成本和復雜性的問題。
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LTC3118 PowerPath IC 高效率 201605
傳統的芯片銷售方式是銷售、現場應用工程師 (FAE) 介紹芯片會實現什么樣的電性功能。但是對于客戶來說, 這時芯片更像一個黑盒子，它具體是通過內部什么樣的物理層架構得以實現外部的這些電性功能，客戶并不十分了解。除此之外客戶還關心產品在特定環境下的應用條件, 以及在此條件下的可靠性、一致性以及產品規模生產的可制造性。這就需要客戶質量工程師(CQE)與客戶溝通，了解到這些需求， 并通過對制造方法的控制，實現雙贏。本文通過對Qorvo亞太區客戶質量工程總監周寅的訪談，介紹了其RF、Filter等芯片的制程以及質
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IC 質量 制造 封裝 測試 201605
市場研究公司ICInsights近日為其《2016McCleanReport》預測報告發布更新，在該報告統計的33項主要IC產品類別中，有14項產品類別在今年的成長率將超過2%，尤其是手機應用處理器MPU與訊號轉換IC的成長幅度居冠。
ICInsights的《2016McCleanReport》預測33項主要IC產品類別在2020年以前的市場成長。如圖1列出33項主要的IC產品類別，分別以更新的2016年成長率排名。ICInsights預測，今年將有14項產品類別的成長幅度超過2%—
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IC DRAM
市場研究公司IC Insights近日為其《2016 McClean Report》預測報告發布更新，在該報告統計的33項主要IC產品類別中，有14項產品類別在今年的成長率將超過2%，尤其是手機應用處理器MPU與訊號轉換IC的成長幅度居冠。
IC Insights的《2016 McClean Report》預測33項主要IC產品類別在2020年以前的市場成長。如圖1列出33項主要的IC產品類別，分別以更新的2016年成長率排名。IC Insights預測，今年將有14項產品類別的成長幅度超過2%
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IC MCU
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