大陸政策扶持半導體，首先收到沖擊的是臺灣電子產業。
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半導體 IC
網通IC廠瑞昱今召開法說會，公布首季財報，稅后凈利季增34%、年減9.6%，至7.41億元，每股稅后盈余為1.47元。
受到五一拉貨力道不如預期強勁，瑞昱首季營收為74.5億元，較前一季減少1.5%，但仍較去年同期成長1.6%，不過毛利率因為產品組合優化，較前一季成長1.82個百分點至44.15%，稅后凈利為7.41億元，季增34%、年減9.6%，每股稅后盈余為1.47元。
瑞昱董事會決議將發放6元現金股利，創歷年股利發放新高。
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瑞昱 IC
近期臺系IC設計業者紛透露上游晶圓代工廠第2季產能利用率恐略滑，晶圓產能吃緊警報終于暫告解 除，由于二線及小型IC設計業者紛可拿到晶圓產能，加上國內、外一線IC設計業者亦開始自臺積電出走，尋求更便宜晶圓產能，使得終端芯片市場殺價戰火一觸 即發，晶圓代工產能轉松情況，恐沖擊臺系IC設計業者毛利率表現。
臺系一線IC設計業者表示，審視 2015年上半整體市況，全球中、低階智能型手機需求明顯不如預期，電視市場亦出現傳統淡季壓力，至于一路被唱衰的平板電腦及PC市場依舊欲振乏力，終端 市場需求疲軟，加深品
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晶圓 IC
市調機構IC Insights公布2014年全球IC市場占有率排名，美國以55%的占比拿下第一名寶座，且無論整合元件制造商(IDM)或無晶圓廠 (Fabless)IC設計公司的銷售額市占皆大幅領先其他國家。臺灣則以7%的占比排名第四，落在南韓與日本之后;不過單就無晶圓IC設計業的整體表現 來看，依舊穩居全球第二，占有率達18%。
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IC 晶圓
美國半導體研調機構IC Insight最新調查指出，去年全球IC市場市占率排名，美國以55%穩居榜首，且不論是垂直整合廠(IDM)或IC設計廠商、無晶圓廠(fabless)皆領先全球，臺灣居第四，次于韓國與日本，但此調查未納入晶圓代工銷售。
無晶圓廠包括聯發科、智原等IC設計與設計服務廠商，由于全球智慧手機成長快速，這幾年IC設計廠主戰場已從電腦轉到行動裝置，也讓手機銷售量大的中國大陸，可藉市場的快速成長扶植IC設計廠商。
IC Insight表示，中國大陸半導體全球市占率雖然只有3%，但
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IC 晶圓
日本東京大學光學系統研究科物理工學專業教授古澤明領導的研究小組宣布，成功將在采用光的“量子隱形傳態(Quantum teleportation)”中起重要作用的光學回路集成到了硅芯片上。可以說這向實現量子門方式的量子計算機邁出了一大步。
量子隱形傳態是利用量子糾纏狀態遙傳多種量子態中的一種狀態的方法。由于看上去像量子態瞬間移動，因此被叫做隱形傳態。
古澤的研究小組正在研究將這種量子隱形傳態應用于量子計算機的基本元件。具體是將量子隱形傳態的原理用作對任意量子態進行運算
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量子運算 IC
未來幾年將是集成電路的整合年，這意味著市場競爭會越來越慘烈，不好的公司肯定都會出局，有些小的公司會被并購。這些都將是常態。
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IC
臺灣IC設計業去年全球市占率約18%，位居第2;中國大陸IC設計業急起直追，全球市占率已攀高至9%，位居第3大。
據研調機構IC Insights調查，美國去年整體IC全球市占率達55%，穩居全球霸主地位;其中，整合元件制造(IDM)部分全球市占率約52%，IC設計業全球市占率達63%，雙雙高居全球龍頭。
南韓與日本IC業以IDM廠為主，去年IDM全球市占率分別達26%及12%，分別位居全球第2及第3位;南韓與日本IC設計全球市占率都不到1%。
南韓去年整體IC全球市占率約18%，位
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NXP IC
英飛凌科技股份公司今日宣布擴充其硅基氮化鎵(GaN)技術和產品組合。目前，英飛凌提供專為要求超高能效的高性能設備而優化的增強模式和級聯模式GaN平臺，包括服務器、電信設備、移動電源等開關電源應用以及諸如Class D音頻系統的消費電子產品。GaN技術可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產品在諸如超薄LED電視機等終端產品市場開辟新的機會。
英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場事業部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產品組合，結合公司了所
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英飛凌 GaN
英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協議，將聯合開發采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協議的規定，兩家公司均可生產高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細節。
作為新一代化合物半導體技術，硅基板Ga
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英飛凌 松下 GaN
近日，德州儀器推出了業內首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 功率級原型機。此次原型機由位于四方扁平無引線 (QFN) 封裝內的一個高頻驅動器和兩個采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設計。如需了解更多信息，敬請訪問www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。
全新的LMG5200 GaN FET功率級原型機將有助于加快下一代GaN電源轉換解決方案的市場化，此方案為空間有限且高頻的工業應用和電信應用提供更高的功率密度和效率。
TI高壓電源
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德州儀器 GaN
英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協議，將聯合開發采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協議的規定，兩家公司均可生產高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細節。
作為新一代化合物半導體技術，硅基板Ga
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英飛凌 GaN
2014年，在國家一系列政策密集出臺的環境下，在國內市場強勁需求的推動下，我國集成電路產業整體保持平穩較快增長，開始迎來發展的加速期。隨著產業投入加大、 技術突破與規模積累，在可以預見的未來，集成電路產業將成為支撐自主可控信息產業的核心力量，成為推動兩化深度融合的重要基礎。
(一)產銷保持穩定增長
2014年，我國重點集成電路企業主要生產線平均產能利用率超過90%，訂單飽滿，全年銷售狀況穩定。據國家統計局統計，全年共生產集成電路1015.5億塊，同 比增長12.4%，增幅高于上年7.1個百
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IC 集成電路
英飛凌和松下聯合開發GaN器件，將松下的增強型GaN材料技術與英飛凌的SMD封裝技術相結合。
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英飛凌 松下 GaN
盧頓……動力管理公司伊頓已經發布其全新白皮書《Ex ic——本安的全新保護級別》;本白皮書能夠幫助用戶和制造商對Ex ic有進一步了解，Ex ic是一種最新的本安防護等級，它可以對電氣設備在易燃易爆環境中進行保護。本書作者為伊頓Crouse-Hinds部門培訓和技術顧問Phil Saward。Phil Saward在危險區域產品和應用方面擁有25年的豐富經驗，并且還在多個FOUNDATION現場總線委員會內任職。
Phil Saward說道：&
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伊頓 Ex ic
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