氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場擊穿，達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇，在所有 RF 細分市場中獲得應用。其中許多應用需要很長的使用壽
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Wolfspeed 放大器 GaN
氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業的熱門話題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設計得以實現。在許多應用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現的性能，使用 GaN 進行設計面臨與硅不同的一系列挑戰。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結構。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
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TI GaN
西門子數字化工業軟件近日與半導體晶圓制造大廠聯華電子 (UMC) 合作，面向聯華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規劃、裝配驗證和寄生參數提取 (PEX)?工作流程。聯電將同時向全球客戶提供此項新流程。通過在單個封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術，客戶可以在相同甚至更小的芯片面積上實現多個組件功能。相比于在 PCB
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西門子 聯華電子 3D IC 混合鍵合流程
2022年9月20日，致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343產品以及氮化鎵系統公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶體管的PD快充電源方案。 圖示1-大聯大友尚基于onsemi和GaN System產品的PD快充電源方案的展示板圖 以手機、電腦為代表的移動智能設備已經成為人們日常生活的重要工具，然而隨著這些設備所覆蓋的功能越來越多，設備有限的續航能力已經無法滿足用戶對
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大聯大友尚 onsemi GaN System PD快充電源
氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業的熱門話題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設計得以實現。在許多應用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現的性能，使用 GaN 進行設計面臨與硅不同的一系列挑戰。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結構。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
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德州儀器 GaN 功率密度
雖然增加可再生能源是全球的大趨勢，但這還不夠，能源效率是另一個重點領域，這是因為服務器及其冷卻系統對能源消耗，占據了數據中心將近40%的運營成本。GaN具有獨特的優勢，提供卓越的性能和效率，并徹底改變數據中心的配電和轉換、節能、減少對冷卻系統的需求，并最終使數據中心更具成本效益和可擴展性。數字化和云端服務的快速建置推動了全球數據服務器的產業規模的成長。今天，數據服務器消耗了全球近1%的電力，這個數字預計會不斷的成長下去。次世代的產業趨勢，例如虛擬世界、增強實境和虛擬現實，所消耗大量電力將遠超現今地球上所能
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GaN 數據服務器 效率
在電力電子應用中，為了滿足更高能效和更高開關頻率的要求，功率密度正在成為關鍵的指標之一。基于硅（Si）的技術日趨接近發展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導體材料也在從第一代的硅基材料發展到第二代的砷化鎵后，正式開啟了第三代寬禁帶技術如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的應用之門。SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數產品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，GaN也有著許多出色的性能，它的帶隙為3.2eV，幾乎比硅的1.1eV帶
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貿澤電子 GaN
和傳統的硅功率半導體相比，GaN（氮化鎵）和 SiC（碳化硅）有著更高的電壓能力、更快的開關速度、更高的工作溫度、更低導通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優異的性能 , 是近幾年來新興的半導體材料。但他們也存在著各自不同的特性，簡單來說，GaN
的開關速度比 SiC 快，SiC 工作電壓比 GaN 更高。GaN
的寄生參數極小，開關速度極高，比較適合高頻應用，例如：電動汽車的 DC-DC（直流 - 直流）轉換電路、OBC（車載充電）、低功率開關電源以及蜂窩基站功率放大器、雷達、衛星發射器和通用射頻放大
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202207 東芝 共源共柵 GaN
· 西門子先進的混合信號仿真平臺可加速混合信號驗證，助力提升生產效率多達10倍· Symphony Pro 支持 Accellera 和其他先進的數字驗證方法學，適用于當今前沿的混合信號設計 西門子數字化工業軟件近日推出 Symphony? Pro 平臺，基于原有的 Symphony 混合信號驗證能力，進一步擴展功能，以全面、直觀的可視化調試集成環境支持新的Accellera 標準化驗證方法學，使得生產效率比傳統解決方案提升
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西門子 混合信號 IC 驗證
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，新增的TP65H050G4BS器件擴充了其表面貼裝封裝產品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN?場效應晶體管 (FET)，典型導通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，豐富了目前面向中低功率應用的PQFN器件。TP65H050G4BS通過了J
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Transphorm GaN
受訪人：亞德諾半導體 大規模數據中心、企業服務器和5G電信基站、電動汽車充電站、新能源等基礎設施的廣泛部署使得功耗快速增長，因此高效AC/DC電源對于電信和數據通信基礎設施的發展至關重要。近年來，以氮化鎵(GaN)和碳化硅（SiC）晶體管為代表的第三代功率器件已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關，從而可提高能源轉換效率和密度。新型和未來的SiC/GaN功率開關將會給方方面面帶來巨大進步，其巨大的優勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現更緊湊、更具成本效益的功率應用。好馬
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202207 ADI 第三代半導體 IC 功率器件
受訪人：黃文源 東芝電子元件（上海）有限公司半導體技術統括部技術企劃部高級經理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品？ 回答：自從半導體產品面世以來，硅一直是半導體世界的代名詞。但是，近些年，隨著化合物半導體的出現，這種情況正在被逐漸改變。通常，半導體業界將硅（Si）作為第一代半導體的代表，將砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)作為第二代半導體的
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東芝 GaN 級聯共源共柵
受訪人：Robert Taylor是德州儀器(TI)系統工程營銷組的應用經理，負責工業和個人電子市場的定制電源設計。他的團隊每年負責500項設計，并在過去20年中設計了15000個電源。Robert于2002年加入TI，大部分時間都在擔任各種應用的電源設計師。Robert擁有佛羅里達大學的電氣工程學士學位和碩士學位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品？
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TI 第三代半導體 GaN SiC
IT之家 7 月 15 日消息，TrendForce 集邦咨詢報告顯示，在供需失衡、庫存高漲的狀況下，預計第三季度驅動 IC 的價格降幅將擴大至 8%-10% 不等，且不排除將一路跌至年底。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨詢進一步表示，中國面板驅動 IC 供貨商為了鞏固供貨動能，更愿意配合面板廠的要求，價格降幅可達到 10%-15%。報告指出，在需求短期間難以好轉下，面板驅動 IC 價格不排除將持續下跌，且有極大可能會比預估的時間更早回到 2019 年的起漲點。此外，TrendFor
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IC TrendForce 市場
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產品不斷問世，電源設計人員對硅功率器件的可靠性也很關心。事實上，GaN行業已經在可靠性方面投入了大量精力和時間。而人們對于硅可靠性方面的問題措辭則不同，比如“這是否通過了鑒定？”盡管GaN器件也通過了硅鑒定，但電源制造商仍不相信采用硅方法可以確保GaN FET的可靠性。這是一個合理的觀點，因
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GaN FET 電源 可靠性
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