可靠的電壓監控器IC始終是工業界的行業需求，因為它可以提高系統可靠性，并在電壓瞬變和電源故障時提升系統性能。半導體制造商也在不斷提高電壓監控器IC的性能。監控器IC需要一個稱為上電復位（VPOR）的最低電壓來生成明確或可靠的復位信號，而在該最低電源電壓到來之前，復位信號的狀態是不確定的。一般來說，我們將其稱之為復位毛刺。復位引腳主要有兩種不同的拓撲結構，即開漏和推挽（圖1），兩種拓撲結構都使用NMOS作為下拉MOSFET。圖1. 復位拓撲的開漏配置和推挽配置圖2. 復位電壓如何與上拉電壓（VPULLUP）
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ADI IC
SiC、GaN 作為最新一代功率半導體器件具有遠優于傳統 Si 器件的特性，能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統成本。但同時，SiC、GaN極快的開關速度也給工程師帶來了使用和測量的挑戰，稍有不慎就無法獲得正確的波形，從而嚴重影響到器件評估的準確、電路設計的性能和安全、項目完成的速度。SiC、GaN動態特性測量中，最難的部分就是對半橋電路中上橋臂器件驅動電壓VGS的測量，包括兩個部分：開關過程和Crosstalk。此時是無法使用無源探頭進行測量的，這會導致設備和人員危險，同時還會由
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SiC GaN 柵極動態測試 光隔離探頭
比利時微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規模集成電路技術研討會（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結構，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場效晶體管（FinFET）透過這些埋入式電源軌（BPR）實現互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
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imec 晶背供電 邏輯IC 布線 3D IC
集成電路是信息技術產業的核心，是支撐經濟社會發展和保障國家安全的戰略性、基礎性和先導性產業，是世界主要國家和地區搶占工業經濟制高點的必爭領域。為了進一步鼓勵我國具有市場競爭實力和投資價值的集成電路企業健康快速發展，進一步總結企業發展的成功模式，挖掘我國集成電路領域的優秀創新企業，對優秀企業進行系統化估值，提升企業的國際和國內影響力。在連續成功舉辦四屆遴選活動的基礎上，由賽迪顧問股份有限公司、北京芯合匯科技有限公司聯合主辦的2021-2022（第五屆）中國IC獨角獸遴選活動歷時兩個月，收到企業自薦及機構推薦
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IC 獨角獸
提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics, Inc.) 即日起開始分銷GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半橋雙極驅動開關評估板。這種緊湊的氮化鎵 (GaN) 增強模式 (e-mode) 半橋評估板性能優異，同時減少了組件總數，節省了寶貴的電路板空間。 貿澤電子分銷的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有兩個HEY1011-L12C GaN FET驅動器和兩
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貿澤電子 GaN 半橋雙極驅動開關
移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 ACT41000-104-REF1，這是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置參考設計，可加強 Qorvo GaN PA 的設計與測試。GaN 器件是耗盡型 FET，運行時需要施加負柵極電壓。在使用 GaN PA 的系統中，需要以特定的順序進行偏置：提高漏極偏置電壓之前，必須施加負柵極電壓，以保護器件免受損壞。Qorvo 的 ACT41000-104-REF1 內置可配置
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GAN PA
1 回顧：GAN里的兩個角色在上一期里，詳細介紹了 GAN( 生成對抗網 ) 里的
兩個角色：生成者 (generator) 和判別者 (discriminator)。
其中的生成者，又稱為創新者，而判別者又稱為鑒賞者。
在常見的圖像繪畫領域，其典型的協同創新模式是：
G( 創新者 ) 負責創作圖片；而 D( 鑒賞者 ) 負責辨別一
張圖像的真或假，然后引領 G 逐步改進，止于完美逼
近目標。上述的 GAN 協同創新模式，屬于 AI 機器與機器之
間的協同合作或創新。然而，在 AI 科技不斷
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202206 GAN 人機協同
宜普電源轉換公司（EPC）新推線上論壇，為工程師提供產品信息、答疑解難和分享採用氮化鎵技術的應用現狀和發展趨勢。宜普電源轉換公司宣布新推"GaN Talk支持論壇"，為工程師提供產品信息和技術支持，從而了解氮化鎵（GaN）技術的應用現狀和發展趨勢。該論壇專為工程師、工程專業學生和所有氮化鎵技術愛好者而設，為用戶答疑解難和提供互相交流的平臺。提問可以用主題類別、熱門話題或最新帖子搜索。除了提問外，用戶還可以在論壇使用帖子中的"分享"鏈接參看所有之前的提問和反饋。此外，
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GaN 宜普
5G 通信正在改變我們的生活，同時也在促進產業數字化轉型，為工業、汽車和消費電子等行業提供了巨大的應用想象空間與市場機會，例如實現創建人與機器人和諧共存的環境，高質量醫療，并且加速實現安全的自動駕駛汽車，等等。● 打造未來智能工廠——5G 無線網絡可以幫助工廠實現更高的可靠性，例如縮短延遲時間、提高生產效率。在人與機器人共存的世界里，更強的連接可以改善人機互動，并降低事故風險。● 提供高質量的醫療服務——通用5G 連接可以借助可穿戴生物傳感器對患者實施遠程監測，進行生命體征檢測，并將信息傳輸給基于云的診斷
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202206 毫米波 5G GAN
5G 受到追捧是有充足的理由的。根據CCS Insight 的預測，到2023 年，5G 用戶數量將達10 億；2022 年底，5G蜂窩基礎設施將承載近15％的全球手機流量。高能效、尺寸緊湊、低成本、高功率密度和高線性度是5G 基礎設施對射頻半導體器件的硬性要求。對于整個第三代半導體技術，尤其是氮化鎵（GaN），5G 開始商用是一大利好。與硅、砷化鎵、鍺、甚至碳化硅器件相比，GaN 器件的開關頻率、輸出功率和工作溫度更高，適合1-110 GHz的高頻通信應用，涵蓋移動通信、無線網絡、點對點和點對多點微波通
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202206 第三代半導體 GaN
隨著全球通膨疑慮升高及能源成本飆升，加上大陸因疫情實施封控，以及俄烏戰爭懸而未決，經濟逆風對今年全球經濟成長將造成挑戰，但包括Gartner及IC Insights等市調機構仍預估，今年全球半導體市場仍會較去年成長一成以上。IC Insights表示，今年全球半導體總銷售額仍可年增11％，與今年初預測相同，但外在變化造成的不確定性，導致芯片銷售成長幅度或有消長。其中，微處理器及功率分離式組件銷售將高于先前預期，包括嵌入式處理器及手機應用處理器成長強勁，功率組件價格續漲且成長幅度增加，至于CMOS影像傳感器
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Gartner IC Insights 半導體市場
德州儀器(TI)副總裁暨臺灣、韓國與南亞總裁李原榮，26日于2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示，TI將協助客戶充分發揮氮化鎵（GaN）技術的潛力，以實現更高的功率密度和效率。李原榮今日以「數據中心正在擴建 – 以氮化鎵技術實現更高效率」為題，分享設計工程師如何利用TI 氮化鎵技術為數據中心達成體積更小、更高功率密度的解決方案。李原榮表示，隨著各產業領導者期盼透過數據中心實現技術創新，從而也提高了運算能力的需求，TI希望協助客戶充分發揮氮化鎵技術的潛力，以實現更高的功率密度和效率。他也強調，
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TI GaN 數據中心 能源效率
1? ?GAN與NFT的結合在上一期里，我們說明了天字第一號模型：分類器。接著本期就來看看它的一項有趣應用：GAN(generative adversarial networks，生成對抗網絡)。自從2014 年問世以來，GAN 在電腦生成藝術(generative art) 領域，就開始涌現了許多極具吸引力的創作和貢獻。GAN 如同生成藝術的科技畫筆，使用GAN 進行創作特別令人振奮，常常創作出很特別的效果，給人們許多驚喜的感覺，例如圖1。?圖1近年來，非同質化代幣NFT(
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202205 生成對抗網路 GAN
當世界繼續努力追求更高速的連接，并要求低延遲和高可靠性時，信息通信技術的能耗繼續飆升。這些市場需求不僅將5G帶到許多關鍵應用上，還對能源效率和性能提出了限制。5G網絡性能目標對基礎半導體器件提出了一系列新的要求，增加了對高度可靠的射頻前端解決方案的需求，提高了能源效率、更大的帶寬、更高的工作頻率和更小的占地面積。在大規模MIMO（mMIMO）系統的推動下，基站無線電中的半導體器件數量急劇增加，移動網絡運營商在降低資本支出和運營支出方面面臨的壓力更加嚴峻。因此，限制設備成本和功耗對于高效5G網絡的安裝和
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氮化鎵 GaN
近期，蘋果“爆料大神”郭明錤透露，蘋果可能年某個時候推出下一款氮化鎵充電器，最高支持30W快充，同時采用新的外觀設計。 與三星、小米、OPPO等廠商積極發力氮化鎵快充產品相比，蘋果在充電功率方面一直較為“保守”。去年10月，伴隨新款MacBook Pro的發布，蘋果推出了140W USB-C電源適配器（下圖），這是蘋果首款采用氮化鎵材料的充電器，售價729元。圖片來源：蘋果 如今，蘋果有望持續加碼氮化鎵充電器，氮化鎵功率半導體市場有望迎來高歌猛進式發展。手機等快充需求上升，氮化鎵功率市場規模將達1
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