作為提供不間斷連接的關鍵，許多數據中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密度。?氮化鎵技術，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導體材料，越來越多地用于高電壓應用。這些應用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開關頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數據中心，這些應用還包括 HVAC 系統、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。??了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限? 德州儀器 GaN 產品線負責人 David Snook 表示：“氮化鎵是提高功率密
1. CPU Vcore 簡介:VCORE轉換器（調節器）是在臺式個人電腦、筆記本式個人電腦、服務器、工業電腦等計算類設備中為CPU（中央處理器）內核或GPU（圖形處理器）內核供電的器件，與普通的POL（負載點）調節器相比，它們要滿足完全不同的需要：CPU/GPU都表現為變化超快的負載，需要以極高的精度實現動態電壓定位 (Dynamic Voltage Positioning) ，需要滿足一定的負載線要求，需要在不同的節能狀態之間轉換，需要提供不同的參數測量和監控。在VCORE轉換器與CPU之間通常以串列
在之前的文章中，我們討論了需要具有高輸入阻抗的放大器才能成功地從壓電傳感元件中提取加速度信息。對于一些壓電加速度計，放大器內置在傳感器外殼中。現代 IC 通常由來自各個領域的元素組成。還有各種片上系統 (SoC) 和系統級封裝 (SiP) 技術，包括單個 IC 上的每個 IC 設計域，或包含各種半導體工藝和子 IC 的封裝。本簡介概述了典型混合信號 IC 設計流程中的步驟。在本文中，我們系列文章中短的一篇，我們將給出混合信號 IC 設計流程的視圖——同時具有模擬和數字電路的 IC 設計流程。數據轉換器——
自上世紀五十年代以來，以硅材料為代表的第一代半導體材料取代了笨重的電子管引發了以集成電路為核心的微電子領域迅速發展。隨著時間的流逝，盡管目前業內仍然以 Si 材料作為主流半導體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關注。近段時間，GaN 方面又有了新進展。本土 GaN 企業快速發展3 月 2 日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據公告，英飛凌計劃
傳統的功率半導體被設計用來提升系統的效率以及減少能量損失。可是實際上，出于兩個方面的原因-傳導和開關切換，設備可能會出現能量損失。GaN FET為第三代功率半導體技術，其改善開關切換的延遲時間。納微（Navitas）半導體公司是世界上第一家的氮化鎵（ GaN ）功率芯片公司。所謂的氮化鎵功率芯片，其中 GaN 驅動器、GaN FET 和 GaN 邏輯單元的單片集成，并全部采用 650V GaN 工藝，從而實現許多軟開關拓撲和應用中的高速、高頻率、高效率操作。該方案采用NV6115 與 NV6117 氮化鎵
隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動力總成系統的 SiC 組件使用量減少 75%，預計第三代化合物半導體市場狀況將發生變化，GaN 被認為會產生后續替代效應。據業內消息人士透露，這有望使臺積電、世界先進半導體 (VIS) 和聯華電子受益，它們已經進行了早期部署，并繼續擴大其 8 英寸加工 GaN 器件的產能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車和機車牽引逆變器、高功率太陽能發電場和大型三相電網
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