- 近日，德克薩斯州聯邦陪審團作出一項裁決：三星電子因侵犯韓國技術學院一項專利技術，需向后者支付賠償金或將高達4億美元。 據了解，韓國技術學院曾向法院提起訴訟，指控三星電子侵犯了其鰭片晶體管技術(FinFET)制程工藝相關的專利技術。然而三星向陪審團表示，它與韓國技術學院合作開發了這項技術，并否認侵犯了相關專利技術。三星還對這項專利的有效性提出了質疑。就在三星對此不屑一顧時，其對手英特爾公司開始向這項技術的發明者取得許可授權，圍繞三星是否侵權的力量博弈發生了改變，三星才開始重視這個事件的嚴重性。 據悉
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三星 FinFET
- 小小的芯片，看似簡單，卻充滿了科技之道。只有真的懂得制造工藝與應用原理，了解每一顆芯片生產背后的艱辛，才能看懂制造商從小處用心的美好。
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芯片 FinFET
- “半導體市場正在經歷由技術推動到需求推動的轉變。而半導體技術上的創新，可能讓半導體晶體管密度再增加1000倍，仍有巨大空間。”近日，美國加州大學伯克利分校教授、國際微電子學家胡正明在接受集微網采訪時表示。 自1965年摩爾定律提出以來，歷經半個多世紀的發展，如今越來越遭遇挑戰，特別是新世紀以來，每隔十年，摩爾定律以及半導體的微型化似乎便會遭遇到可能終止的危機。 胡正明發明了鰭型晶體管(FinFET)以及「全耗盡型絕緣層上硅晶體管」(FD-SOI)，兩大革命性創新為半導體帶來新契機。 2011年5月
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FinFET 7納米
- 在2018年，如果蘋果新一代產品應用7nm制程工藝的消息被確認，那么對于其競爭對手，或將成為一場腥風血雨;而對于整個產業來說，或將成為轉折點;對于我們消費者來說，當然是件好事情。
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7nm FinFET
- 近日，格芯2017技術大會（GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC）于上海舉行，格芯盛邀數百位半導體行業領導者、客戶、研究專家與核心媒體齊聚一堂，并精心為與會者準備了公司的核心業務、市場推進方向與創新成果，以及包括制程工藝、設計實現、IP、射頻以及生態圈的發展等方面的最新進展，共同聚焦格芯面向5G互聯時代的技術解決方案。作為格芯的年度技術盛會，本次大會格芯分享的技術主題十分廣泛，包括FDX?設計和生態系統、IoT，5G/網絡和汽車解決方案智能應用，FDX?、Fi
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GTC FDSOI FINFET 制程
- 詳解先進的半導體工藝之FinFET-FinFET稱為鰭式場效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補式金氧半導體（CMOS）晶體管。
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FinFET 半導體工藝
- 隨著臺積電宣布全世界第一個 3 奈米制程的建廠計劃落腳臺灣南科之后，10 奈米以下個位數制程技術的競爭就正式進入白熱化的階段。 臺積電的對手三星 29 日也宣布，將開始導入 11 奈米的 FinFET，預計在 2018 年正式投產之外，也宣布將在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 極紫外線光刻設備。
根據三星表示，11 奈米 FinFET 制程技術「11LPP (Low Power Plus)」是現今 14 奈米和 10 奈米制程的融合，一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程)，
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三星 FinFET
- FD SOI技術在物聯網蓬勃發展的大環境下，以其低功耗、集成射頻和存儲、高性能等優勢獲得業界各方重視;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等為代表的企業的推動下，該產業鏈正逐步得到完善。此外，在中國大力發展集成電路的當口，FD-SOI技術還給中國企業帶去更多的發展空間和機遇，如何充分利用FD-SOI技術優勢，實現差異化創新成了眾IC設計企業的探討重點。此外，5G網絡與物聯網的不斷進化，對RF技術革新的強烈需求，對RF SOI技術帶來更廣大的市場前景。
FD SOI生態系統逐步完
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FinFET 物聯網
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務器系統處理器定制的量產14納米高性能(HP)技術。這項雙方共同開發的工藝專為IBM提供所需的超高性能和數據處理能力，從而在大數據和認知計算的時代為IBM的云、商業和企業解決方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z產品。 14HP是業內唯一將三維FinFET晶體管架構結合在SOI襯底上的技術。該技術采用了17層金屬層結構，每個芯片上有80多億個晶體管，通過嵌入式動態隨機存儲器(DRAM)以及其它創新功能，達到比前代
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格芯 FinFET
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計劃推出全新12納米領先性能(12LP)的FinFET半導體制造工藝。該技術預計將提高當前代14納米 FinFET產品的密度和性能，同時滿足從人工智能、虛擬現實到高端智能手機、網絡基礎設施等最具計算密集型處理需求的應用。 這項全新的12LP技術與當前市場上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高了15%，性能提升超過10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠的12納米 FinFET產品競爭。這項技術
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格芯 FinFET
- 隨著集成電路工藝制程技術的不斷發展，為了提高集成電路的集成度，同時提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰。
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MOS FinFET
- 在這樣一個對數字電路處理有利的世界中，模擬技術更多地用來處理對它們不利的過程。但這個現象可能正在改變。 我們生活在一個模擬世界中，但數字技術已經成為主流技術。混合信號解決方案過去包含大量模擬數據，只需要少量的數字信號處理，這種方案已經遷移到系統應用中，在系統中第一次產生了模數轉換過程。 模擬技術衰落有幾個原因，其中一些是建立在自身缺陷上的。摩爾定律適用于數字電路而不是模擬電路;晶體管可以而且必須做得更小，這有利于數字電路。但這對模擬晶體管的影響并不大，反而器件尺寸越小，模擬器件特性往往越差。器件的
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摩爾定律 FinFET
- 格芯今日宣布推出其具有7納米領先性能的(7LP)FinFET半導體技術，其40%的跨越式性能提升將滿足諸如高端移動處理器、云服務器和網絡基礎設施等應用的需求。設計套件現已就緒，基于7LP技術的第一批客戶產品預計于2018年上半年推出，并將于2018年下半年實現量產。 2016年9月，格芯曾宣布將充分利用其在高性能芯片制造中無可比擬的技術積淀，來研發自己7納米FinFET技術的計劃。由于晶體管和工藝水平的進一步改進，7LP技術的表現遠優于最初的性能目標。與先前基于14納米FinFET技術的產品相比，預
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格芯 FinFET
- 大家都在談論FinFETmdash;mdash;可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人mdash;mdash;除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜（FDSOI）的人，都認為20 nm節點以后，FinFET將成為SoC的未來。但是對于要使用這些SoC的系統開發人員而言，其未來會怎樣呢？
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SoC Synopsys FinFET
- 由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優點，ALD（原子層淀積）技術早從21世紀初即開始應用于半導體加工制造。DRAM電容的高k介電質沉積率先采用此技術，但近來ALD在其它半導體工藝領域也已發展出愈來愈廣泛的應用。
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ALD 半導體制造 FinFET PVD CVD
finfet介紹
FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管，閘長已可小于25奈米，未來預期可以進一步縮小至9奈米，約是人類頭發寬度的1萬分之1。由于此一半導體技術上的突破，未來芯片設計人員可望能夠將超級計算機設計成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統標準的晶體管—場效晶體管 (Field-ef [
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