所有大型晶圓代工廠都已宣布 FinFET 技術為其最先進的工藝。Intel 在 22 nm 節點上采用該晶體管，TSMC 在其 16 nm 工藝上使用，而 Samsung 和 GlobalFoundries 則將其用于 14 nm 工藝中。
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FinFET 電路設計
要判定FinFET、FD-SOI與平面半導體制程各自的市場版圖還為時過早…
盡管產量仍然非常少，全空乏絕緣上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)制程有可能繼Globalfoundries宣布12奈米計畫(參考閱讀)之后快速成長;而市 場研究機構International Business Strategies (IBS)資深分析師Handel Jones表示，三星(Samsung)或將在中國上海成立的一座新晶圓廠是否會采用FD
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制程 FinFET
新思科技(Synopsys)近日宣布其 Galaxy Design Platform 已支援全球九成的 FinFET 晶片設計量產投片(production tapeout)，目前已有超過20家業界領導廠商運用這個平臺
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Synopsys FinFET
隨著半導體工藝技術的進步與智能手機對極致效能的需求加劇，移動處理器的工藝制程正在邁向新的高度。目前，全球領先的晶圓代工廠商已經將工藝制程邁向10納米FinFET工藝，16/14納米節點的SoC也已實現量產，那么半導體技術節點以摩爾定律的速度高速發展至今，移動處理器的工藝制程向前演進又存在哪些挑戰?同時，進入20納米技術節點之后傳統的CMOS工藝式微，這將給FinFET與FD-SOI工藝在技術與應用上帶來怎樣的發展變革?
5納米節點是目前技術極限 摩爾定律被修正意義仍在
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處理器 FinFET
臺積電7月14日首度揭露最先進的5納米FinFET(鰭式場效電晶體)技術藍圖。臺積電規劃，5納米FinFET于2020年到位，開始對外提供代工服務，是全球首家揭露5納米代工時程的晶圓代工廠。
臺積電透露，配合客戶明年導入10納米制程量產，臺積電明年也將推出第二代后段整合型扇形封裝(InFO)服務。臺積電強化InFO布局，是否會威脅日月光、矽品等專業封測廠，業界關注。
臺積電在晶圓代工領域技術領先，是公司維持高獲利的最大動能，昨天的新聞發布會上，先進制程布局，成為法人另一個關注焦點。
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臺積電 FinFET
ARM今日發布了首款采用臺積電公司(TSMC)10納米FinFET工藝技術的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測試芯片。仿真基準檢驗結果顯示，相較于目前常用于多款頂尖智能手機計算芯片的16納米FinFET+工藝技術，此測試芯片展現更佳運算能力與功耗表現。 此款測試芯片的成功驗證(設計定案完成于2015 年第四季度)是ARM 與臺積電持續成功合作的重要里程碑。該驗證完備的設計方案包含了IP、EDA工具、設計流程及方法，能夠使新客戶采用臺積電最先進的
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ARM FinFET
據中新網、網易等報道，當地時間2016年5月19日，美國總統奧巴馬在白宮為2015年度美國最高科技獎項獲得者頒獎，包括9名國家科學獎獲得者和8名國家技術和創新獎獲得者。其中兩張華裔面孔格外引人注意，包括80歲高齡的何南施女士(Nancy ho)，出生于南京，1957年畢業于臺灣大學。
她1993年制造出一種酵母，除了讓木糖發酵，也可以吧果糖變成乙醇，因此能夠利用稻草之類的非食用材料大量制造乙醇，幫助減少對進口石油的依賴。
另一位是胡正明教授，他1947年出生于北京豆芽菜胡同，在臺灣長大，后
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FinFET
Nvidia和AMD雙方都擁有為數眾多的粉絲,每天在網上相互抨擊的文章和帖子是數不勝數，大家都認為自家購買的顯卡是最好的，而把對方貶的一無是處，顯卡如此，CP黨爭更是如此。
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AMD FinFET
全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯網(IoT)與汽車市場取代鰭式場效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對于許多人來說，業界主導廠商代表出席一場相關領域的業界活動，象征著為這項技術背書。
“我認為，FD-SOI正蓄勢待發。也許還得經過幾年的時間，但它終將獲得新的動能，并發展成為一項關鍵技術，”International Business Strategies (IBS)創
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FD-SOI FinFET
身為一位記者，我發現撰寫有關于“熱門”公司、技術與人物的報導，要比我通常負責的技術主題容易得多;一旦我寫了那些“時髦”的標題，我會確實感受到人氣飆漲。
因 為幾乎每家媒體都窮追不舍，我不需要向讀者解釋為何我要寫那些，以及那些新聞為何對他們重要;我馬上想到的是美國總統候選人川普(Donald Trump)、蘋果(Apple)還有FinFET。而相反的，要寫冷門題材、比較少人討論的話題，挑戰性就高得多;部分讀者會有先入為主的看法，認為那 些題目不關他們
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FD-SOI FinFET
本文介紹了Soitec半導體公司的全耗盡絕緣硅(FD-SOI)的特點、最新進展及其生態系統，并將FD-SOI與FinFET作比較，分析了各自的優勢、應用領域和應用前景。
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FD-SOI FinFET 制造 201604
ARM和臺積電宣布簽訂針對7納米 FinFET工藝技術的長期戰略合作協議，涵蓋了未來低功耗，高性能計算SoC的設計方案。該合作協議進一步擴展了雙方的長期合作關系，并將領先的工藝技術從移動手機延伸至下一代網絡和數據中心。此外，該協議還拓展了此前基于ARM? Artisan? 基礎物理IP 的16納米和10納米 FinFET工藝技術合作。 ARM全球執行副總裁兼產品事業群總裁
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ARM FinFET
三星(Samsung)即將量產用于其Exynos 8 SoC的14奈米(nm) Low Power Plus (LPP)制程，這項消息持續引發一些產業媒體的關注。三星第二代14nm LPP制程為目前用于其Exynos 7 SoC與蘋果(Apple) A9 SoC的第一代14nm Low Power Early (LPE)制程提供了進一步的更新。
業界目前共有三座代工廠有能力制造這種鰭式場效電晶體(FinFET)：英特爾(Intel)、三星 和臺積電(TSMC)。TechInsights曾經在去年
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三星 FinFET
半導體業自28納米進步到22/20納米，受193i光刻機所限，必須采用兩次圖形曝光技術(DP)。再進一步發展至16/14納米時，大多采用finFET技術。如今finFET技術也一代一代升級，加上193i的光學技術延伸，采用SADP、SAQP等，所以未來到10納米甚至7納米時，基本上可以使用同樣的設備，似乎己無懸念，只是芯片的制造成本會迅速增加。然而到5納米時肯定是個坎，因為如果EUV不能準備好，就要被迫采用五次圖形曝光技術(FP)，這已引起全球業界的關注。
而對于更先進5納米生產線來說，至今業界
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5納米 finFET
應用材料集團副總裁暨臺灣區總裁余定陸認為，在3D NAND和10奈米技術帶動下，今年晶圓代工資本支出有望回升。 應 用材料集團副總裁暨臺灣區總裁與全球半導體業務服務群跨區域總經理余定陸表示，2015年看到這四年以來晶圓代工的資本支出進入谷底，預估今年投資水位有 望提升，而大部分支出將發生在下半年，其中有五成以上將集中于10奈米技術;對晶圓代工來說，10奈米不同于16奈米，最顯著變化在于鰭式場效電晶體 (FinFET)
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晶圓 FinFET
finfet介紹
FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管，閘長已可小于25奈米，未來預期可以進一步縮小至9奈米，約是人類頭發寬度的1萬分之1。由于此一半導體技術上的突破，未來芯片設計人員可望能夠將超級計算機設計成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統標準的晶體管—場效晶體管 (Field-ef [
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