- 在歷史上，半導體產業的成長仰賴制程節點每一次微縮所帶來的電晶體成本下降;但下一代晶片恐怕不會再伴隨著成本下降，這將會是半導體產業近20~30年來面臨的最嚴重挑戰。
具體來說，新一代的20奈米塊狀高介電金屬閘極(bulk high-K metal gate，HKMG) CMOS制程，與16/14奈米 FinFET 將催生更小的電晶體，不過每個邏輯閘的成本也將高出目前的28奈米塊狀HKMG CMOS制程。此成本問題部分源自于在新制程節點，難以維持高參數良率(parametric yields)以
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FinFET 半導體
- 重點： ·?認證確保精確性方面不受影響，并包含用于65納米至14納米FinFET制程的物理驗證簽收的先進技術 ·?雙方共同的客戶可通過它與Cadence?Virtuoso及Encounter平臺的無縫集成進行版圖設計和驗證版圖 全球電子設計創新領先企業Cadence設計系統公司今天宣布Cadence??Physical?Verification?System?(PVS)通過了GLOBALFOUNDRIES的認證，可用于65納米
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Cadence FinFET Virtuoso Encounte
- 大量的金錢和精力都花在探索FinFET工藝，它會持續多久和為什么要替代他們?
在近期內，從先進的芯片工藝路線圖中看已經相當清楚。芯片會基于今天的FinFET工藝技術或者另一種FD SOI工藝的平面技術，有望可縮小到10nm節點。但是到7nm及以下時，目前的CMOS工藝路線圖已經不十分清晰。
半導體業已經探索了一些下一代晶體管技術的候選者。例如在7nm時，采用高遷移率的FinFET，及用III-V族元素作溝道材料來提高電荷的遷移率。然后，到5nm時，可能會有兩種技術，其中一種是環柵F
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晶體管 FinFET
- 幾乎所有繼續依靠先進半導體工藝來帶給自己芯片性能與功耗競爭優勢的廠商，紛紛將自己的設計瞄準了即將全面量產的FINFET技術。在這一市場需求推動下，似乎20nm這一代，成為很多代工廠眼中的雞肋，巴不得直接跨越20nm，直奔16/14nm的FINFET。
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TSMC FINFET 智能手機 201401
- FinFET給芯片設計業帶來的改變幾乎是革命性的，帶來了各種新的要求，同時也推動了各種創新。
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SoC FinFET
- 大家都在談論FinFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認為20nm節點以后，FinFET將成為SoC的未來。但是對于要使用這些SoC的系統開發人員而言，其未來會怎樣呢?
回答這一問題最好的方法應該是說清楚FinFET對于模擬和數字電路設計人員以及SoC設計人員究竟意味著什么。從這些信息中，我們可以推斷出FinFET在系統級意味著什么。
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SoC FinFET
- 全球IC矽智財供應商新思科技(Synopsys)力挺臺積電的16納米FinFET(鰭式場效晶體管)，全力協助臺積電加入導入這項新制程量產行列。
新思科技是「臺積電大同盟」成員之一，昨天也宣布獲臺積電頒發開放創創新平臺(OIP)「2013年度最佳伙伴獎」，以表彰對臺積電先進制程的貢獻。
臺積電16納米FinFET制程，是對抗英特爾及三星等勁敵的重要技術，臺積電將以大同盟的陣營，聯合IP、自動化工具、設備及芯片設計業的力量應戰。臺積電16納米預定明年第4季試產，2015年第1季量產。
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Synopsys FinFET
- 由于ASIC的研發成本居高不下，加上近來FPGA不斷整合更多的功能，同時也突破了過往功耗過高的問題，尤其當進入28奈米制程之后，其性價比開始逼近ASSP與ASIC，促使FPGA開始取代部分ASIC市場，應用范圍也逐步擴張。
附圖: Xilinx揭露未來市場競爭狀況。 資料來源：Xilinx
掌握這樣的趨勢，讓FPGA大廠Xilinx在28奈米的產品營收持續成長。 Xilinx企業策略與行銷資深副總裁Steve Glaser指出，預估今年在28奈米產品線將會有1億美元的營收，市占率高
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Xilinx FinFET
- 比利時微電子研究中心(IMEC)宣稱開發出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3DFinFET化合物半導體。IMEC的新制程目標是希望能持續微縮CMOS至7nm及其以下，以及實現混合CMOS-RF與CMOS光電元件的化合物。
隨著晶片微縮即將接近原子級的限制，業界致力于提高晶片性能與降低功耗的各種方法逐漸面臨瓶頸。透過為矽晶整合更高性能的材料，例如可提供更高載子速度與更高驅動電流的III-V族電晶體通道，這種新的化合物半導體可望超越矽晶本身性能，持續微縮至更制程。
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FinFET 矽材料
- Mentor Graphics公司(納斯達克代碼：MENT)日前宣布它已完成其用于臺積電16納米FinFET制程的數字成套工具。臺積電16納米參考流程包含一些新功能，用于Olympus-SoC?布局與布線系統的16納米設計，以及Calibre?物理驗證和可制造性設計(DFM)平臺。
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Mentor FinFET
- FinFET稱為鰭式場效晶體管，由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。FinFET是對場效晶體管的一項創新設計，變革了傳統晶體管結構，其控制電流通過的閘門被設計成類似魚鰭的叉狀3D架構，將原來的單側控制電路接通與斷開變革為兩側。
FinFET這樣創新設計的意義，在于改善了電路控制并減少漏電流，縮短了晶體管的閘長，對于制程流程、設備、電子設計自動化、IP與設計方法等產生重要影響與變革。FinFET技術升溫，使得半導體業戰火重燃，尤其是以Fi
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FinFET 半導體制造
- 半導體業界已發展出運用FinFET的半導體制造技術，對制程流程、設備、電子設計自動化、IP與設計方法產生極大變化。特別是IDM業者與晶圓代工廠正競相加碼研發以FinFET生產應用處理器的技術，促使市場競爭態勢急速升溫。
過去數10年來，互補式金屬氧化物半導體(CMOS)平面電晶體一直是電子產品的主要建構材料，電晶體幾何結構則一代比一代小，因此能開發出高效能且更便宜的半導體晶片。
然而，電晶體在空間上的線性微縮已達極限，電晶體縮小到20奈米(nm)以下，會降低通道閘極控制效果，造成汲極(Dr
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半導體 FinFET
- 日前，SeMind舉辦了圓桌論壇，邀請半導體設計與制造的專家齊聚一堂，共同探討未來晶體管、工藝和制造方面的挑戰，專家包括GLOBALFOUNDRIES的高級技術架構副總裁Kengeri SUBRAMANI ，Soitec公司首席技術官Carlos Mazure，Intermolecular半導體事業部高級副總裁兼總經理Raj Jammy以及Lam公司副總裁Girish Dixit。
SMD ：從你們的角度來看，工藝升級短期內的挑戰是什么?
Kengeri ：眼下，我們正在談論的28nm到2
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FinFET 3D
- 鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰場。為卡位16/14納米市場商機，臺積、聯電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術，并各自祭出供應鏈聯合作戰策略，預計將于2014～2015年陸續投入量產，讓晶圓代工市場頓時硝煙彌漫。
FinFET制程將成晶圓廠新的角力戰場。為卡位16/14納米市場商機，并建立10納米發展優勢，臺積電、聯電和格羅方德正傾力投資FinFET技術，并已將開戰時刻設定于2014?2015年;同時也各自祭出供應鏈聯合作戰策略，期抗衡英特爾和三星
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FinFET 晶圓
- 英格蘭錫爾--(美國商業資訊)--世界領先的系統到芯片集成電路設計咨詢公司之一的英盛德認為，FinFET技術使用的日趨盛行將為集成電路設計商帶來新的挑戰，因為這些設計商希望從新構架帶來的尺寸優勢中受益。
工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說：“最近，在德州召開的設計自動化大會(Design Automation Conference)上，展廳中討論FinFET技術的聲音不絕于耳。同樣，我們發現我們的客戶——包括消費、電腦和圖形行業領域的最知名企業&md
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集成電路設計 FinFET
finfet介紹
FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管，閘長已可小于25奈米，未來預期可以進一步縮小至9奈米，約是人類頭發寬度的1萬分之1。由于此一半導體技術上的突破，未來芯片設計人員可望能夠將超級計算機設計成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統標準的晶體管—場效晶體管 (Field-ef [
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