4月15日消息，美國時間周一，特朗普政府發布公告，宣布正式啟動對藥品和半導體進口的調查，旨在以國家安全為由對這兩個行業加征關稅。相關文件將在周三發布，特朗普政府還宣布，自文件發布之日起21天為公眾意見征詢期，表明特朗普政府計劃根據《1962年貿易擴展法》第232條的授權來推進這些關稅。這類調查需要在啟動后270天內完成。特朗普政府已針對銅材和木材進口啟動了類似調查，其首個任期內完成的調查，為今年1月再次就職后對鋼鐵、鋁材及汽車行業加征關稅提供了依據。美國自4月5日起開始對進口商品征收10%的關稅。藥品和半
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4月12日消息，三星原計劃為Galaxy S25系列搭載自主研發的3nm芯片Exynos 2500，但由于三星代工部門的3nm良率未達標，Galaxy S25系列不得不全系采用高通驍龍8 Elite SoC。如今，三星押注下一代旗艦平臺Exynos 2600，這顆芯片首發采用三星2nm工藝制程。據媒體報道，三星2nm工藝制程良率已達40%，預計在今年11月正式啟動Exynos 2600的量產工作，Galaxy S26系列將會全球首發Exynos 2600。值得注意的是，芯片制造商通常需達到70%-80%的
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4月9日，美國總統特朗普在共和黨全國委員會活動上自爆曾威脅臺積電，若不繼續在美國投資建廠，其產品進入美國將面臨高達100%的關稅。特朗普還批評拜登政府此前為臺積電亞利桑那州工廠提供66億美元補貼，主張通過稅收威脅而非財政激勵推動制造業回流。10億美元罰款？據路透社援引知情人士透露，臺積電可能面臨10億美元或更高的罰款，作為美國對其生產的芯片的出口管制調查結果。臺積電被指控通過第三方為中國大陸科技企業代工生產近300萬顆AI芯片，而根據美國出口管制條例，違規交易最高可被處以交易金額兩倍的罰款。臺積電在一份聲
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4月10日消息，據報道，在本周的Cloud Next大會上，Google發布了第七代TPU AI加速器芯片——Ironwood。Google Cloud副總裁Amin Vahdat表示：Ironwood是我們迄今為止功能最強大、性能最強、最節能的 TPU。它專為大規模支持思考和推理AI模型而設計。首先在計算性能上，Ironwood實現4614 TFLOP的峰值算力，配備192GB專用RAM和7.4Tbps超高帶寬，確保數據高速傳輸。其次，芯片間互連(ICI)帶寬提升至1.2Tbps，較前代提升50%，大幅
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2nm GAA 工藝進展被傳順利，但三星的目標是通過推出自己的 1nm 工藝來突破芯片開發的技術限制。一份新報告指出，該公司已經成立了一個團隊來啟動這一工藝。然而，由于量產目標定于 2029 年，我們可能還需要一段時間才能看到這種光刻技術的應用。1nm 晶圓的開發需要“高 NA EUV 曝光設備”，但目前尚不清楚三星是否已訂購這些機器。另一方面，臺積電也正在推出
2 納米以下芯片，據報道，這家臺灣半導體巨頭已于 4 月初開始接受 2 納米晶圓訂單。至于三星，在其 2 納米 GAA
技術的試產過程中
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上周三，美國總統特朗普宣布對進口商品征收全面關稅；隨后周五，中國政府宣布對美國采取反制措施，對所有美國進口的商品加征34%的關稅。
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上周末，Jukanlosreve 通過社交媒體透露“ 三星Exynos 2600（移動
SoC）肯定會回歸，它將用于 Galaxy S26 系列。但芯片數量非常有限，可能會與Exynos 990 的情況類似。我不確定 SF2
是否真的有用。” 3 月中旬，這位半導體行業狀況的敏銳觀察家認為三星的代工業務可能會放棄 1.4 納米（SF1.4）工藝節點。據業內人士稱，SF2（又名 2 納米 GAA）的研發和制造工作似乎處于更有希望的狀態——這要歸功于傳聞中的外部 AI 專家合作伙伴的幫助。據稱，下一代
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如果你需要將電子從這里移動到那里，你可以求助于銅。這種常見元素是一種極好的導體，很容易制成電線和電路板走線。但是，當你變小時，情況就會發生變化：在納米尺度上真的非常小。相同的銅顯示出越來越大的電阻，這意味著更多的電信號會因熱量而損失。為更小、更密集的設備供電可能需要更多的能量，這與您想要的微型電子設備正好相反。斯坦福大學的研究人員在 Eric Pop 實驗室由 Asir Intisar Khan 領導，一直在試驗一種按比例縮小到約 1.5 納米厚度的新型薄膜。他們發現，隨著這
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3月24日消息，近日，英偉達首席執行官黃仁勛表示，英偉達計劃在未來四年內斥資數千億美元采購美國制造的芯片和電子產品。英偉達設計的最新芯片以及用于數據中心的英偉達驅動服務器，現在可于臺積電和鴻海在美國運營的工廠生產。黃仁勛稱，“總體而言，在未來四年里，我們將采購總額可能達到5000億美元的電子產品。我認為我們可以很容易地看到，我們在美國制造了數千億個這樣的產品。”黃仁勛還表示，英偉達正與臺積電、富士康等公司合作，將制造業務轉移到美國本土。黃仁勛稱，此舉將增強供應鏈韌性。對于市場傳聞的“英偉達可能投資英特爾”
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英偉達CEO黃仁勛最新表示，中國人工智能企業DeepSeek發布的R1模型只會增加對計算基礎設施的需求，因此，擔憂“芯片需求可能減少”是毫無根據的。當地時間周三（3月19日），黃仁勛在GTC大會與分析師和投資者會面時表示，外界先前對“R1可能減少芯片需求”的理解是完全錯誤的，未來的計算需求甚至會變得要高得多。今年1月時， DeepSeek發布的R1模型引發了市場轟動，該模型開發時間僅兩個月，成本不到600萬美元，僅用約2000枚英偉達芯片，但R1在關鍵領域的表現能媲美OpenAI的最強推理模型o1。這導致
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3 月 19 日消息，惠普在其 Amplify Conference 2025
會議上宣布推出首批可抵御量子計算機密碼破譯攻擊的打印機產品，包括 Color LaserJet Enterprise MFP 8801、Mono
MFP 8601、LaserJet Pro Mono SFP 8501 三大型號。惠普表示這些打印機均采用量子彈性設計，搭載了采用抗量子加密技術設計的新型 ASIC，該芯片增強了打印機的安全性和可管理性，能防止針對 BIOS 和固件的量子攻擊，并支持固件數字簽名驗證。此外這些
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3 月 18 日消息，據臺媒 digitimes 今日消息，SK 海力士預計將獨家供應英偉達 Blackwell Ultra 架構芯片第五代 12 層 HBM3E，預期與三星電子、美光的差距將進一步拉大。SK
海力士于去年 9 月全球率先開始量產 12 層 HBM3E 芯片，實現了最大 36GB 容量。12 層 HBM3E的運行速度可達
9.6Gbps，在搭載四個 HBM 的 GPU 上運行‘Llama 3 70B’大語言模型時每秒可讀取 35 次 700 億個整體參數的水平。去年 11 月，SK
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3月13日消息，三星未能按時發布Exynos 2500，Galaxy S25系列被迫全部搭載高通驍龍8 Elite芯片。據媒體報道，三星已將工作重心轉向下一代旗艦平臺Exynos 2600，這顆芯片首發三星2nm工藝制程，計劃在5月份進入原型量產階段，Galaxy S26系列將會首發搭載，這是全球首款2nm手機芯片。據爆料，Exynos 2600基于三星SF2工藝制造，這是三星第一代2nm制程，較第二代3GAP 3nm制程，SF2在相同計算頻率和復雜度情況下可降低25%功耗，相同功耗和復雜度情況下可提高1
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臺積電擴大投資美國千億美元（約新臺幣3.3兆）未來將興建3座晶圓廠、2座先進封裝廠及1座研發中心，從研發到制造全面布局。 英特爾前CEO基辛格（Pat Gelsinger）近日再度公開喊話，重建半導體供應鏈應該敦促供應鏈移往美國，并對芯片課關稅。綜合外媒報導，基辛格對于臺積電擴大投資美國持正面態度，他稱贊臺積電很棒，但臺積電在美國沒有研發中心（R&D）且擁有研發能力相當關鍵，長期創新與研發將帶領任何產業往前邁進。另一方面，基辛格又暗示地緣政治風險，基辛格表示：「據波士頓顧問公司BCG的研究，中國臺
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3 月 11 日消息，據 ZDNet Korea 今日報道，三星電子 11 日的業務報告稱，三星電子第四代 4 納米工藝（SF4X）已于去年 11 月開始量產。由于該工藝專注于人工智能等高性能計算（HPC）領域，預計將在三星代工業務的復蘇中發揮關鍵作用。三星第一代 4 納米于 2021 年量產。圖源：三星電子據了解，與前幾代相比，三星的第四代 4 納米芯片采用了先進的后端連線（BEOL）技術，能夠顯著提升芯片的整體性能，同時降低制造成本。此外，該芯片還配備了高速晶體管，還支持 2.5D 和 3D 等下一代
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