- 近2年DRAM價格的高點都出現在上半年,下半年雖然有傳統旺季的加持,但DRAM價格反而都是一路走下坡的趨勢,除了是全球經濟局勢變量太多,各廠力拼制程微縮,拼命轉進新制程以增加產出,也是因素之一;目前各界認為,2010年上半1顆DDR3單價3美元的時光已難再現,因為隨著50奈米制程量產,每顆芯片成本降到1美元,未來DRAM產業不會有暴利,只有合理的利潤空間。
2010年3~4月是DRAM價格的高峰期,當時個人計算機(PC)換機潮涌現,DRAM市場陷入嚴重的供不應求,供給端大家都在轉換新制程,狀況也
- 關鍵字:
三星電子 DRAM
- 市場調研公司集邦科技今天發布了二季度全球內存市場統計報告。受到期貨價格穩定和出貨量小幅增長的利好影響,該季度全球DRAM收入環比上漲15.2%到107億美元。雖然1Gb DDR3的現貨價格環比下降了3%,但是2GB DDR3內存的期貨價格卻環比上漲了10%;受到1Gb DDR2價格進一步下滑的影響,DDR2內存該季度的出貨量大幅度降低。
二季度全球DRAM出貨量環比增長10%,但所用晶圓出貨量增長率只有3.8%。集邦科技分析稱,芯片供應商都將重點放在了制程工藝的升級,而非產能提升上面。
三
- 關鍵字:
三星 DRAM
- Digitimes Research分析師柴煥欣分析,2008年下半受金融海嘯沖擊,除三星電子(Samsung Electronics)外,全球主要DRAM廠商皆發生巨額虧損,為保有手中資金,各DRAM廠商先后采取減產、裁員、關閉不具效益廠房等策略,此舉亦讓自2006年以來全球DRAM產業擴廠競賽劃下句點。
正因產能擴充有限,并伴隨2009年第1季全球景氣見到最低點且逐季好轉,全球DRAM需求量亦同步擴張,使得長年下跌的DRAM報價亦在2009年得以止跌回升。
于此同時,全球DRAM市場的
- 關鍵字:
三星電子 DRAM
- 未來半導體制造將越來越困難已是不爭的事實。巴克萊的C J Muse認為如DRAM制造商正處于關鍵的成品率挑戰階段,在4x,3x節點時發現了許多問題。目前盡管EUV光刻己經基本就緒(或者還沒有),是黃金時刻,然后在芯片制造中其它的工藝技術的挑戰也有很多,如兩次圖形曝光(在NAND,DRAM及logic中),高k金屬柵等。由此,在未來的2011-2012年,甚至更長一段時期內必須要加大投資強度。(Citigroup的Tim Arcuri建議要有五年時間,它是在牛/熊市小組座談會上發表此看法) 。另一位會議
- 關鍵字:
半導體制造 DRAM NAND
- Digitimes Research分析師柴煥欣分析,2008年下半受金融海嘯沖擊,除三星電子(Samsung Electronics)外,全球主要DRAM廠商皆發生巨額虧損,為保有手中資金,各DRAM廠商先后采取減產、裁員、關閉不具效益廠房等策略,此舉亦讓自2006年以來全球DRAM產業擴廠競賽劃下句點。
正因產能擴充有限,并伴隨2009年第1季全球景氣見到最低點且逐季好轉,全球DRAM需求量亦同步擴張,使得長年下跌的DRAM報價亦在2009年得以止跌回升。
于此同時,全球DRAM市場的
- 關鍵字:
三星電子 DRAM
- 內存價格最近是一路下滑,特別是已經失去主流地位的DDR2。不過力晶半導體董事長黃崇仁近日就表示,DRAM芯片價格將在8月份反彈,價格回漲,十一月份和十二月份可能會受季節性銷售因素影響再度下滑。
黃崇仁稱,DRAM芯片近期的價格下滑是由于市場需求過低導致,并不是芯片供應商之間的價格戰引起,而且他還認為,PC OEM廠商為了降低生產成本,降低了一些產品的存儲容量,從而影響了市場需求。
他還對未來2-3年的DRAM持樂觀態度,不過認為芯片容量的上升對產業健康發展的促進有限。
此外黃崇仁還表
- 關鍵字:
力晶 DRAM 內存價格
- 近期韓系DRAM大廠──三星、海力士先后宣布上調2010年資本支出,手筆之大令人驚愕。三星將對芯片業務支出20萬億韓元(約合177億美元),該數字是此前支出計劃的兩倍多;海力士也將資本支出提高了三分之一,達到3.05萬億韓元(約合27億美元)。預計這些支出中將有相當一部分進入DRAM業務。
2007年以來,DRAM市場開始了一段令廠商苦不堪言的低迷期,直到2009年第一季度見底。此間曾排名第三的DRAM大廠奇夢達轟然倒塌,令業界震驚扼腕。市場低迷的根本原因是產能過剩、供過于求。2006年市場獲得
- 關鍵字:
奇夢達 DRAM
- 全球半導體產業走入50奈米制程后,浸潤式曝光機臺(Immersion Scanner)出現大缺貨,尤其是最新款的NXT:1950i機種上,交期幾乎拉到快12個月,使得2010年才下訂單的臺系DRAM廠苦等多時;存儲器業者透露,爾必達(Elpida)陣營開始轉向采購舊機種XT:1950i應急。然美光(Micron)陣營則認為,舊機種頂多用到40奈米制程就是極限,不像新機種NXT:1950i可以一路做到30奈米。
半導體產業在進入50奈米以下制程,都必須開始用Immersion Scanner,此機
- 關鍵字:
Elpida DRAM 50奈米
- 受惠于晶圓代工與DRAM廠推出先進制程,對浸潤式顯影機臺需求大增,讓半導體設備大廠艾斯摩爾(ASML)2010年接單暢旺,隨著半導體制程推進5x奈米以下先進制程,制程復雜度大增,亦需加緊提高量良率,讓ASML甫于2009年推出的整合微影技術(Holistic Lithography)系列產品,已獲得意法半導體(STMicroelectronics)采用于28奈米制程。
ASML指出,隨著半導體制程推進到50x奈米以下制程,業者投入的經費越來越高昂,生產時程亦拉得更長,良率更難提升,制程容許度(p
- 關鍵字:
ASML DRAM 晶圓代工
- 據韓國ET NEWS報導,過去1年2個月期間呈現上升趨勢的DRAM價格,可能將再度下滑。預期第3季DRAM價格將小幅下滑后止跌,但第4季將會有大幅的下滑趨勢。雖韓國企業的凈利也將減少,但對臺灣企業打擊可能更大。
據相關業者及證券師指出,自2009年4月持續上升的DRAM價格進入第3季后可能會有 5%的價格下滑。業界相關人員表示,第3季DRAM價格依據PC業者的調降要求,可能會有5%的下滑,但DRAM供貨貨量有限制,因此下滑幅度應不大。
摩根大通(JP Morgan Chase &
- 關鍵字:
海力士 DRAM 40納米
- 據了解,日商爾必達已決定來臺設立研發中心,且選定投入高階技術NAND Flash領域。爾必達來臺投資研發中心金額約在50、60億新臺幣,未來將與力晶等日系半導體業者進一步合作。
據悉,爾必達與臺灣創新存儲器公司(TIMC)合作雖然破局,但爾必達與臺灣業者聯合抗韓的意圖依舊存在,政府單位與爾必達互動密切,爾必達已于日前向經濟部遞出在臺設立研發中心的初步計劃書,經濟部正進行審查中。
官員透露,爾必達來臺設立研發中心的計劃相當成熟,已進入實質合作內容洽談中,研發中心切入的產品并非一般的動態存儲器
- 關鍵字:
TIMC NAND DRAM
- 全球半導體市場需求成長已優于2008年秋季金融危機爆發前的水平,2010年5月半導體銷售額續創新高。就地區別來看,含大陸在內的亞太市場占全球銷售比重已過半并持續成長中,已成為全球半導體市場需求的強力支撐。然因市場對歐洲經濟成長仍持疑慮,2010年秋季后市場需求動態值得關注。
美國半導體產業協會(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統計數據指出,金融危機爆發前全球半導體銷售高峰為2007年11月的231.2億美元,而2010年5月全球半導體銷售額達2
- 關鍵字:
半導體 DRAM
- 國際半導體設備材料產業協會(SEMI)的發布半導體設備年中預測指出,今年半導體設備市場將由谷底翻揚,預計增長達104%,明年市場仍審慎樂觀,將持續有9%的增長幅度。
半導體設備與西于14日起于美西舊金山展開,主辦單位半同步公布半導體設備資本支出年中預測報告。
SEMI的預估,2010年半導體設備營收將達325億美元,折合新臺幣可望突破兆元,為半導體設備業者捎來佳音,同時超越2008年金融海嘯前的295億美元水準。報告指出, 2009年因為全球景氣不佳,讓整體設備市場慘跌46%,但今年設備市
- 關鍵字:
半導體設備 晶圓 DRAM
- 國際半導體設備材料產業協會(SEMI)的發布半導體設備年中預測指出,今年半導體設備市場將由谷底翻揚,預計增長達104%,明年市場仍審慎樂觀,將持續有9%的增長幅度。
半導體設備與西將于今(14)日起于美西舊金山展開,主辦單位半同步公布半導體設備資本支出年中預測報告。
SEMI的預估,2010年半導體設備營收將達325億美元,折合新臺幣可望突破兆元,為半導體設備業者捎來佳音,同時超越2008年金融海嘯前的295億美元水準。報告指出, 2009年因為全球景氣不佳,讓整體設備市場慘跌46%,但今
- 關鍵字:
半導體設備 晶圓 DRAM
- 近期DRAM市場供需雜音多,由于終端需求前景不明,7月合約價不見起色,仍持續往下修正,加上隨著40和50納米制程微縮導致產能增加,進而壓抑價格走勢,然值得注意的是,目前各家DRAM廠在40和50納米世代轉換不順消息頻傳,新產能是否能如期出籠仍存變量,因此,第3季DRAM價格還有多少修正空間,目前仍處于混沌狀態。
DRAM業者表示,自從PC大廠祭出降低DRAM搭載率策略后,原本供給吃緊的DRAM市場頓時松動,原本搭配4GB模塊被砍到僅搭配2GB,等于少掉50%的DRAM產能消耗量,加上歐洲債信問題
- 關鍵字:
Elpida DRAM 45納米
ddr5 dram介紹
您好,目前還沒有人創建詞條ddr5 dram!
歡迎您創建該詞條,闡述對ddr5 dram的理解,并與今后在此搜索ddr5 dram的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司

京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網安備11010802012473