- 一個董事席位不至于讓知識產權輕松被轉移。不過一個錯誤的決定卻可能讓臺灣集成電路產業重蹈面板的覆轍。
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DRAM 集成電路
- DRAM產業因長期需求不振，合約價格已歷經連續19個月的跌幅趨勢。今年五月底DDR4合約均價為1.31美元，而DDR3僅1.25美元，各廠都面臨龐大的成本壓力。TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)研究協理吳雅婷表示，第三季個人電腦(PC)將進入出貨高峰、中國品牌智能手機出貨持續走揚，再加上新一代iPhone 4.7”(2GB)及5.5”(3GB)的拉貨動能，將消耗可觀的DRAM產能。此外，各家DRAM供貨商對于制程轉進的態度趨于
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TrendForce DRAM
- 蘋果iPhone 7已展開備貨，記憶體容量倍增，銷售也看好，業界預期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉，大廠的產能將轉向NAND快閃記憶體，這將帶動DRAM市況也趨健康，記憶體模組廠創見、威剛、宇瞻等，預估下半年營運會比上半年好。
創見預期今年記憶體市況將比去年好轉，主要因上游大廠資本支出較保守，產能增加有限，致使價格趨緩跌;受惠智能手機等產品儲存容量不斷上升，加上SSD取代硬盤態勢成形，SSD需求強勁，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。
威剛董事長陳立白日
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NAND DRAM
- 臺存儲器模組廠威剛董事長陳立白指出，觀察國際龍頭大廠動向，全球DRAM軍備競賽可望在韓系龍頭三星電子(Samsung Electronics)節制資本支出的情況下停止，預計DRAM價格在2016年第2季落底，9月前后DRAM景氣將好轉，為期兩年半的DRAM空頭市場將走完。
陳立白認為，三星在DRAM的資本支出上踩煞車，影響接近45%的供貨，接下來就要看SK海力士的態度，如果海力士也認同避免軍備競賽的移動，開始節制資本支出，對產業來說就是美事一樁。
據臺存儲器模組業者表示，SK海力士新董事長
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威剛 DRAM
- 市調機構TrendForce旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange統計數據顯示，三星第一季豪取全球移動DRAM逾六成市場(60.4%)，不僅穩居全球龍頭，也創下歷史新高。
盡管如此，受DRAM平均報價下滑沖擊，三星當季行動DRAM營收不增反減，較前季大幅衰退22.7%至20.26億美元，這或許是搞軍備競賽爭奪市占率必需付出的代價。
SK海力士狀況類似，市占率雖然進步0.8個百分點，但同期間行動DRAM營收來卻較前期倒退23.1%，成為9.03億美元。加總三星與海力士市占率，從去年第四
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海力士 DRAM
- 市調機構TrendForce旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange統計數據顯示，三星第一季豪取全球移動DRAM逾六成市場(60.4%)，不僅穩居全球龍頭，也創下歷史新高。(Businesskorea.co.kr)
盡管如此，受DRAM平均報價下滑沖擊，三星當季行動DRAM營收不增反減，較前季大幅衰退22.7%至20.26億美元，這或許是搞軍備競賽爭奪市占率必需付出的代價。
SK海力士狀況類似，市占率雖然進步0.8個百分點，但同期間行動DRAM營收來卻較前期倒退23.1%，成為9.03
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三星 DRAM
- 半導體設備業龍頭廠商應用材料(Applied Materials Inc.)19日于美股盤后的營收預估值擊敗分析師預估，帶動20日股價跳漲13.81%、收22.66美元，漲幅不但居費城半導體指數成分股30支成分股之冠，收盤更創2015年3月30日以來收盤新高。
美國記憶體大廠美光(Micron Technology)19日跟著大漲7.25%、收10.80美元，創4月28日以來收盤新高。TheStreet.com 20日報導，應材在財報電話會議上指出，投資活動逐漸從DRAM轉到NAND型快閃記憶體
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美光 DRAM
- TrendForce旗下存儲事業處DRAMeXchange最新報告顯示，受到市況持續供過于求、平均銷售單價下降影響，2016年第一季全球DRAM總產值為85.6億美元，環比衰退16.6%。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，第一季為傳統淡季，除中國市場的智能手機略有庫存回補的需求以外，筆記本電腦與iPhone的出貨量同步遭到下修，導致DRAM市場供過于求的現象更為明顯。
三星營收持續摘冠，美光集團開始面臨成本保衛戰
三星依然穩坐DRAM產業龍頭，第一季營收雖下跌16.6%，
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三星 DRAM
- 2016年三星電子(Samsung Electronics)于DRAM將以開發18納米制程為其投資重點，DIGITIMES Research觀察，為克服DRAM 18納米制程微縮所面臨的電容器(Capacitor)易倒塌、雜訊(Noise)增加、電荷外泄及曝光顯影變復雜等課題，三星將運用四重曝光顯影技術(Quadruple Patterning Technology;QPT)與超微細導電膜形成技術，以維持其在DRAM技術的領先地位。
三星于DRAM 18納米制程將運用自動對位QPT(Self A
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三星 DRAM
- 晶圓代工廠聯電昨天宣布，與中國大陸福建官方投資的晉華集成電路，簽署技術合作協議，由聯電開發DRAM相關制程技術。
聯電強調，所開發技術將應用于利基型DRAM生產，但該公司沒有要進入DRAM產業或投資晉華。外界解讀，聯電現階段雖然僅投入利基型記憶體技術開發，未來視兩岸政策與市場情況，說不定將進入相關代工領域。
聯電表示，這次的合作協議結合臺灣的半導體制造能力，及中國大陸的市場與資金，在臺灣進行技術研發。雙方合作開發的技術，主要應用在利基型DRAM生產，不僅能提供國內IC設計公司使用，也能結合
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聯電 DRAM
- 工研院 IEK認為，為替代進口，中國大陸發展DRAM已勢在必行，未來若中國大陸成功搶進DRAM領域，預期海力士恐將是最大潛在受害者。
聯電接受中國大陸福建省晉華集成電路委托，開發動態隨機存取記憶體(DRAM)相關制程技術，引起各界關注。
工研院產業經濟與趨勢研究中心(IEK)電子與系統研究組副組長楊瑞臨認為，為替代進口，中國大陸發展DRAM似乎已勢在必行。
楊瑞臨指出，中國大陸目前至少有 5家廠商規劃投入DRAM發展，除這次委托聯電開發技術的晉華外，還有武漢新芯，中芯也傳將重操舊業，
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DRAM 海力士
- 2016年三星電子(Samsung Electronics)于DRAM將以開發18奈米制程為其投資重點，DIGITIMES Research觀察，為克服DRAM 18奈米制程微縮所面臨的電容器(Capacitor)易倒塌、雜訊(Noise)增加、電荷外泄及曝光顯影變復雜等課題，三星將運用四重曝光顯影技術 (Quadruple Patterning Technology;QPT)與超微細導電膜形成技術，以維持其在DRAM技術的領先地位。
三 星于DRAM 18奈米制程將運用自動對位QPT(Self
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三星 DRAM
- 從獨步全球到光輝不再，日本在失落的1/4世紀中，雖力圖振作，但仍無法跟上快速變化。
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半導體 DRAM
- 全球大部分半導體產業都可能籠罩陰霾，但韓國三星電子憑借強大的技術優勢可以擴大部分關鍵產品的市場份額，甚至可能提高營收。這將使三星在逆境中表現優于多數同業。
全球個人電腦(PC)銷量下降，以及智能手機增長放緩，讓半導體產業遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬。
高通曾表示，第三財季芯片(晶片)出貨量可能下降達22%。SK海力士周二公布季度營業利潤下降65%，這是其三年來的最差業績。
將于周四公布第一季財報的三星，也難免遇挫。市場廣泛預計三星芯片獲利將會下降，一些分析師預測1-
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DRAM NAND
- 三星電子(Samsung Electronics Co.)28日表示，拜韓圜相對于主要貨幣貶值之賜、2016年第1季(1-3月)營益預估因而增加0.4兆韓圜，主要反映在零件事業盈余數據上。
三星Q1資本支出金額為4.6兆韓圜，半導體事業、顯示面板事業各占2.1兆韓圜、1.8兆韓圜。三星尚未敲定2016年全年資本支出預算、但預估將略高于2015年水準。
三星顯示面板事業今年的資本支出在OLED面板強勁需求帶動下可望攀高。DRAM資本支出預計將依照市場供需變化彈性調整、目前初估將低于去年水準。
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三星 DRAM
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