根據TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調查，DRAM產業的減產效應已正在逐步發酵當中，在跌無可跌的前提之下，短時間內現貨價格有機會帶動一波價格的上
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DRAM 現貨價 短期看漲
行業專家認為，對于一個典型的大型數據中心而言，其50億美元成本的80%左右會用在設備的機械和電子基礎設施上。對于數據中心服務器，高功率密度的
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存儲器 子系統效率 DRAM
DDR SDRAM全稱為Double Data Rate SDRAM，中文名為“雙倍數據率SDRAM”。DDR是在原有的SDRAM的基礎上改進而來，嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR。
說到這里，很多人可能會問SDRAM、DRAM、SRAM或者RAM、ROM到底是什么鬼，怎么區別的?小編還是來簡單普及下關于存儲的基礎知識吧。
ROM 和RAM指的都是半導體存儲器，ROM是只讀存儲器(Read-Only Memory)的簡稱，是一種只能讀出事先
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DDR DRAM
受到第三季進入旺季需求帶動，存儲器、面板等關鍵零組件皆終止長期價格頹勢。TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，存儲器在筆電需求回溫、智能手機延續強勁成長態勢與服務器需求增溫帶動下，DRAM與NAND Flash第四季價格預計將同步上揚，特別是DRAM合約價第四季估將再漲逾一成。
供應持續吃緊，DRAM市場至2017年維持健康供需狀態
由于今年中國品牌智能手機表現超乎預期，服務器出貨也受惠于中國大陸數據中心需求增溫，下半年臺系服務器代工廠
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存儲器 DRAM
存儲器作為四大通用芯片之一，發展存儲芯片產業的意義不言而喻。對電子產品而言，存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數據相伴而生，哪里有數據，哪里就會需要存儲芯片。而且隨著大數據、物聯網等新興產業的發展，存儲產業與信息安全等亦息息相關。
當前，我國筆記本、智能手機出貨量均居全球首位。華為、聯想等廠商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯網廠商帶動數據中心爆發，使得國產廠商對存儲需求量巨大。
相關數據顯示，2015年大陸DRAM采購規模估計為120億美元、NAND Flash采購規模為66.7億美元
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3D NAND DRAM
繼上周日系外資提高存儲器廠美光(Micron)自每股16元的目標價到每股20元之后，30日另一家美系外資的最新研究報告也指出，在當前DRAM市場價格逐步回穩的情況下，加上美光逐步降低成本、提高每股獲利的轉變，也將美光的目標價由原本的每股18美元，提高至每股20美元的價位。
該外資報告一開始便提及，看好2016年以來DRAM市場的回溫與產品價格的回穩，而且實際上的表現還比當時預估的要好一些。不過，在當前許多供應商的產能不足的情況下，2017年DRAM的供應依舊是吃緊的。尤其，是在3D NAND閃存
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美光 DRAM
在全球持續突破存儲器運行速度的努力進程中，全球各研究人員均對于“相變化存儲器”(Phase Change Memory;PCM)領域的研究感興趣，并投入大量時間從事研發，最新則是美國史丹佛大學(Stanford University)的研究做出了新突破，據稱可讓PCM的運行速度較傳統DRAM快上逾1,000倍以上。
據Techspot網站報導，所謂的相變化存儲器運作原理，是指在低阻抗的結晶態及高阻抗的非結晶態兩種物理狀態下進行移動，雖然此技術在現今全球儲存技術領域中已展現
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存儲器 DRAM
8月27日消息，中國目前大力推動國內芯片產業發展，目標是在將來成為全球電腦芯片制造業的領軍者。這一宏偉計劃似乎遇到了難以逾越的障礙。
在2014年，中國就宣布將投資1000億美元以發展芯片設計和制造產業，以期在未來占據行業頭把交椅。大筆資金已經投入了新制造工廠的修建之中。但貝恩管理咨詢公司(Bain & Company )的最新分析顯示，中國僅僅依靠這1000億美元的投資是無法保證自己在芯片行業取得領先的。
中國國有芯片制造企業XMC(武漢新芯集成電路制造有限公司)正大舉興建用于加
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芯片 DRAM
Hot Chip 2016大會上，內存技術突然成了一大熱點，DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等新一代標準相繼浮出水面，明后兩年陸續就能見到。
這份發展規劃主要來自存儲大廠三星，美光也提出了一些想法，而新規范自然主要以提高速度、擴大容量、降低功耗為主。
DDR5內存的設想是單條容量最小8GB、最大32GB，帶寬最高6.4Gbps，兩倍于DDR4，而電壓和當前的DDR4一樣維持在1.1V，這在歷史上倒是第一次。
美光計劃2019年量產DDR5，三星
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DDR5 LPDDR5
今天，鎂光正式公布了DDR5內存的詳細規格。作為DDR4內存的繼任者，DDR5內存在性能上自然要高出DDR4一大截。從鎂光公布的文件來看，DDR5內存將從8GB容量起步，最高可達單條32GB，I/O帶寬能達到3.2-6.4Gbps，同時電壓1.1V，內存帶寬將為DDR4內存的兩倍。
此外，鎂光還在芯片論壇上表示DDR5內存將從3200Mhz起步，主流內存頻率可達6400Mhz。
同時，鎂光還表示他們將在2018年成功流片DDR5內存樣品，并將在2019年實現正式量產。
據業內人士估計
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鎂光 DDR5
韓聯社首爾8月17日電 據半導體市場調研機構DRAMeXchange消息，三星電子2016年第二季移動動態隨機存儲器(DRAM)的銷售額同比增長19.4%至24.18億美元，全球市場占有率升至61.5%，創下移動DRAM市場份額單獨統計以來的歷史最高紀錄。
三星2015年后三季度的移動DRAM市場份額均未突破60%關口，分別為57.6%、56.9%、58.2%。繼今年第一季突破60%后，第二季又提升1.1個百分點。三星移動DRAM的市場份額更是比DRAM市場份額(47.4%)高出14.1個百分點
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三星 DRAM
DRAMeXchange最新報告指出，中國地區的智慧型手機出貨依然強勁，DRAM三大廠同步調整產品類別，持續向行動式記憶體轉進，伴隨第3季強勁的旺季備貨需求到來，預估第3季全球DRAM總營收將出現較顯著的成長。
DRAMeXchange表示，因市況供過于求，第2季DRAM的平均銷售單價持續下滑，整體均價季跌幅超過5%，但受惠美光20奈米及SK海力士21奈米產出順利，帶動位元供給成長，使得第2季全球DRAM總營收約91億美元，季成長6.3%。
三星在第2季的DRAM產業營收仍排行第一，營收季
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三星 DRAM
TrendForce旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange最新報告顯示，由于市況供過于求，第2季DRAM的平均銷售單價持續下滑，整體均價季跌幅超過5%，但受惠美光20納米及SK海力士21納米產出順利，帶動位元供給成長，第2季全球DRAM總營收約91億美元，季成長6.3%;三星、SK海力士、美光三大廠營收都成長，臺廠部分，以華邦電( 2344-TW )營收季增3.3%表現最佳。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，第2季筆記型電腦及伺服器相關產品出貨動能表現一般，但中國地區的智慧型手
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DRAM
按IC Insight的最新IC市場觀察報告，2016年因供過于求，導致全球DRAM的平均售價(ASP)下降16%，導致全球IC銷售額下降2%。
由于PC，筆記本，及平板電腦，包括智能手機等的出貨量減少，今年全球DRAM銷售額下降19%。DRAM的ASP有很大的起伏，由2014年的3.16美元高點，到2012年時的1.69美元。
IC Insight認為，一組DRAM的ASP曲線，從2007年開始象飛機飛過山谷時一樣的起伏。預計在服務器及新智能手機等市場需求推動
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DRAM
受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米產出順利，帶動位元供給成長，使得第二季全球DRAM總營收約91億美元，季成長6.3%。
TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報告顯示，由于市況供過于求，第二季DRAM的平均銷售單價持續下滑，整體均價季跌幅超過5%。然而，受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米產出順利，帶動位元供給成長，使得第二季全球DRAM總營收約91億美元，季成長6.3%。
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美光 DRAM
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