美大學突破相變化存儲器技術　速度較DRAM快逾千倍

　　在全球持續突破存儲器運行速度的努力進程中，全球各研究人員均對于“相變化存儲器”(Phase Change Memory;PCM)領域的研究感興趣，并投入大量時間從事研發，最新則是美國史丹佛大學(Stanford University)的研究做出了新突破，據稱可讓PCM的運行速度較傳統DRAM快上逾1,000倍以上。

　　據Techspot網站報導，所謂的相變化存儲器運作原理，是指在低阻抗的結晶態及高阻抗的非結晶態兩種物理狀態下進行移動，雖然此技術在現今全球儲存技術領域中已展現出許多優勢，不過仍存有技術缺陷，即所謂的“延遲”(latency)問題。

　　實際上存儲器在過去30年來，在時脈速率表現上雖已有大幅增加，但在延遲問題上卻未見顯著改善，不過由史丹佛大學材料科學與工程系副教授Aaron Lindenberg領軍的研究團隊，則發現能夠加快PCM運行速度的新方法。

　　該團隊透過每次以幾微微秒(picosecond)時間為PCM施加0.5THz電脈沖的方式，產生出可測量的結晶纖維，這些結晶纖維理論上可用于儲存資料，且這都發生在PCM多數材料仍處在非結晶態的物理狀態下。值得注意的是，這些結晶纖維都是以微微秒速度所生成。

　　由于傳統DRAM是在毫微秒(nanosecond)的時間范圍內進行運作，但PCM此次是在微微秒情況下生成可用于儲存資料的結晶纖維，因此理論上PCM的運行速度，可較DRAM快上數千倍。

　　從先前外流的英特爾(Intel)產品規劃藍圖中，可看出英特爾新款Optane固態硬碟(SSD)可能將于2016年第4季或2017年初，與新一代Kaby Lake處理器一同發表，由于Optane是基于全新3D XPoint技術，目前部分外界認為，該技術可能至少部分會基于PCM原理。

　　即使如此，眼前仍有許多挑戰必須逐一克服，例如當前在主機板上，仍無法部署THz等級的電脈沖，主要即THz的訊號至今仍無法在印刷電路板(PCB)中非常薄的印刷銅線上良好運作。

　　再者，由于全球存儲器產業多年來市場價格波動難以掌握，以致業內芯片制造商多半對于改采用新技術的態度較為保守，如果新技術采用未能保證創造長期穩定的獲利，就會影響業內新技術的采用，這都成為PCM技術在未來是否能夠普及的關鍵因素。