目前世界半導體產業進入到寡頭時代，競爭格局相對穩定。盡管日本企業在半導體設備行業份額日益減少，但在半導體的一些其他細分行業以及半導體材料領域， 日本企業仍保持著優勢地位。
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半導體 DRAM
近期大陸三股勢力正如火如荼點燃DRAM主導權大戰，長江存儲傳已評估到南京設立12寸廠，聯電大陸DRAM廠福建晉華計劃2018年量產，并在南科廠同步研發25、30nm制程，至于合肥市與北京兆易創新(GigaDevice)合作的合肥長芯，由前中芯國際執行長王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢力將決戰2018年，搶當大陸DRAM產業龍頭。
盡管大陸布局自制3D NAND Flash雛形漸現，長江存儲將與已并購飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作，切入32層和64層3D NAND技術，由
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DRAM 長江存儲
據韓國經濟報導，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產的DRAM為目前獲利性高的主力產品，2016年底生產比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規劃在2017年上半投產。NAND Flash領域將目標訂在2017年下半投產72層3D NAND Flash，持續擴大3D NAND的生產比重。
SK海力士DRAM技術本部長金進國(音譯)表示，IT產業對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉移到DDR4、LPDDR4，公司
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SK海力士 DRAM
據韓國經濟報導，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產的DRAM為目前獲利性高的主力產品，2016年底生產比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規劃在2017年上半投產。NAND Flash領域將目標訂在2017年下半投產72層3D NAND Flash，持續擴大3D NAND的生產比重。
SK海力士DRAM技術本部長金進國(音譯)表示，IT產業對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉移到DDR4、LPDDR4，公司
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SK海力士 DRAM
賽普拉斯半導體公司今日宣布其一款用于支持瞬時啟動應用的全新小尺寸存儲器解決方案已驗證成功。賽普拉斯 HyperFlash和HyperRAM 多芯片封裝(MCP)解決方案在8mm x 6mm的空間內集成了賽普拉斯的3V 512M HyperFlash™和64M HyperRAM™存儲器。該方案在一個低引腳數封裝內結合了用于實現快速啟動和隨開隨用高速NOR閃存，和用于擴展便箋式存儲器的自刷新DRAM ，特別適合空間受限和成本優化的嵌入式 設計。 該解決方案可用于廣泛的應用類別，包括
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賽普拉斯 DRAM
三星電子(Samsung Electronics)被預估自2017年第2季開始，將全面采用20納米或以下的制程技術生產所有移動DRAM產品，意謂2017年第2季以后三星也將停止采用25納米制程技術生產移動DRAM芯片，由此顯示出三星在制程技術上的加速演進。
韓聯社等外媒報導，根據市場研究公司DRAMeXchange指出，據信在2016年第4季三星生產的移動DRAM芯片中，約94%已開始采用20納米或以下納米制程技術生產。
到目前三星移動DRAM芯片采20納米制程生產比重為82%、18納米為
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三星 DRAM
TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，DRAM原廠與一線的PC-OEM(代工)大廠敲定第四季度的合約價格，4GB模組均價來到17.5美元，較上月的14.5美元上漲逾20%;現貨市場也依然維持強勁的上升格局，DDR3/4 4Gb價格分別來到2.46/2.48美元，較上月同期比較已上漲17%與24%，顯見市場對于后市上漲仍將持續保持樂觀的態度。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，觀察市場面，由于原廠產能陸續轉進行動式內存與服務器內存后，
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TrendForce DRAM
南韓沖刺半導體業組成國家隊，由當地前兩大廠三星電子和SK海力士領軍，籌組總規模2,000億韓元的“半導體希望基金”，投資具發展潛力的半導體相關企業。
三星、SK海力士是全球前兩大存儲器芯片商，單是DRAM領域，兩大廠市占率總和超過七成，具有絕對制價與技術領先優勢，兩大廠領軍籌組南韓“半導體希望基金”，預料以存儲器相關業務為優先，臺灣南亞科、華邦電等存儲器芯片廠，以及正在興起的大陸存儲器產業，短線將面臨更大壓力。
業界人士分析，此次南韓的&ld
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半導體 DRAM
三星電子智能手機吃悶棍，力拼內存事業救業績!據傳三星為了穩固龍頭地位，將在明年下半生產 15、16 納米 DRAM，對手 SK 海力士(SK Hynix)和美光(Micron)遠遠落后，技術差距約為一年半。
BusinessKorea 31 日報導，半導體產業透露，三星內存部門今年初量產 18 納米制程 DRAM，準備在明年下半生產 15、16 納米 DRAM。同時，該公司將拉高 18 納米 DRAM 占整體 DRAM 的生產比重，目標明年下半提高至 30~40%。相關人士說，明年三星 10 納
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三星 DRAM
阿姆斯特丹自由大學(Vrije Universiteit Amsterdam)的漏洞安全實驗室VUSec Lab本周揭露了一個可能影響所有智能手機的安全漏洞，此一漏洞并非存在于移動平臺或程式上，而是藏匿在手機所使用的動態隨機存取存儲器(DRAM)中，將允許駭客取得手機的最高權限。雖然研究人員是以Android手機進行測試，但理論上該漏洞也會影響iPhone或基于其他平臺的手機。
研究人員利用的是已知的Rowhammer硬體漏洞，并打造Drammer軟體來執行攻擊，發現包括LG、Motorola、
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DRAM ARM
市場研究機構IC Insights的最新報告將對2016年全球半導體市場營收的成長率預測，由原先的-2%提升為1%;此外該機構預測，2016年全球IC出貨量成長率將在4~6%之間。IC Insights調升半導體市場成長率的很大一部分原因，來自于DRAM市場的強勁表現。
IC Insights指出，自2002年以來，全球IC市場在第三季平均季成長率為8%，但去年第三季市場成長率僅成長約1%左右;2016年第三季的IC市場成長率則出現了略為高于過去十五年平均值的9%。此外該機構預期，2016年第四
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存儲器 DRAM
據ICInsight的最新預測，2016年全球半導體業的增長率將是1%，之前的預測為下降2%。它的最新預測為2016年增長1%，及2017年增長4%，而2016年IC unit(出貨量)由之前預測增加4%，上升至6%。
IC Insight修正預測的原因是DRAM的價格將止跌回升。如DDR3 4Gb的價格由2014.10月的32.75美元，下降到2016.6月的12.5美元，幅度達62%。如今由于智能手機及PC對于DRAM的容量需求上升，導致市場缺貨，價格止跌回升。三星等又重新開始擴大投資，增加
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SMIC DRAM
行動裝置的記憶體不斷擴大!三星電子宣布，智慧機將進入8GB DRAM年代，該公司已經開始生產，外界預料將用于明年初問世的Galaxy S8。
韓聯社報導，三星電子20日發布業界首見的8GB行動DRAM。新晶片采用10 奈米制程，由四個16Gb的LPDDR4 晶片組成。三星執行副總Joo Sun Choi表示，8GB行動DRAM的到來，可讓次世代旗艦機的功能更上一層樓。
目前智慧機行動DRAM最大為6GB，記憶體加大可滿足雙鏡頭、4K螢幕、虛擬實境(VR)等的需求。三星并宣稱，新品效能與當前
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三星 DRAM
半導體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產權(IP)產品領先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術，進而顛覆全球DRAM市場。VLT存儲單元在2015年已通過驗證，目前一款新的完整存儲器測試芯片正處于早期測試階段。Kilopass一直致力于推廣這項技術，并正與DRAM制造商進行許可協商。
“Kilopass以一次性可編程(OTP)存儲器技術的領導者而聞名，我
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Kilopass DRAM
10月11日，Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術，簡稱VLT技術。據Kilopass首席執行官Charlie Cheng稱，該技術集低成本、低功耗、高效率、易制造等諸多優點于一身，有可能顛覆目前的DRAM產業格局。
最適用于云計算/服務器市場的DRAM技術
Charlie Cheng指出，DRAM整體市場較為穩定，未來隨著PC、手機等方面的市場需求萎縮，新的增長點將出現在云計算/服務器等市場領域。然而當前
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VLT DRAM
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