三星2Q'17起或將全面采20納米制程生產移動DRAM

　　三星電子(Samsung Electronics)被預估自2017年第2季開始，將全面采用20納米或以下的制程技術生產所有移動DRAM產品，意謂2017年第2季以后三星也將停止采用25納米制程技術生產移動DRAM芯片，由此顯示出三星在制程技術上的加速演進。

　　韓聯社等外媒報導，根據市場研究公司DRAMeXchange指出，據信在2016年第4季三星生產的移動DRAM芯片中，約94%已開始采用20納米或以下納米制程技術生產。

　　到目前三星移動DRAM芯片采20納米制程生產比重為82%、18納米為12%，25納米仍有6%，但預計到了2017年第2季20納米生產比重將略增至83%，其余17%都將由18納米制程生產，意謂屆時三星可能將不再以25納米制程生產移動DRAM芯片。

　　采用20納米以下制程技術生產芯片，有助芯片制造商提高晶圓生產力，且生產出的半導體產品具備較高省電效果。若預測準確，意謂自日前三星首度宣布量產10納米DRAM到2017年第2季將能以20納米以下制程生產移動DRAM，所需時間還不到1年，這將較其他主要競爭對手快上1年以上。

　　另外，三星日前推出全球半導體產業首款智能型手機用8GB移動DRAM產品，采用10納米制程技術并已開始量產，三星表示，新一代移動芯片預期將更明顯提升高解析度、大尺寸屏幕智能型手機用戶的使用者體驗。

　　三星在2015年8月推出20納米12GB LPDDR4 DRAM后，僅隔14個月后便再推出10納米16GB LPDDR4，三星指出借由以10納米設計加上低功耗技術，這款10納米DRAM芯片在運算能力及功耗表現上，均較現有20納米4GB移動DRAM再成長達1倍。

　　至今全球搭載最高容量移動DRAM的智能型手機為6GB移動DRAM;蘋果(Apple)iPhone 7 Plus內建移動DRAM只有3GB。因此一旦智能型手機也開始內建8GB移動DRAM，屆時可望再次提升移動裝置的整體性能，是否對PC市況再度形成影響性將值得觀察。