- 作為計算機內存發展的重要里程碑，JEDEC固態技術協會發布了下一個主流內存標準DDR5 SDRAM的最終規范。DDR5是DDR標準的最新迭代，DDR5再次擴展了DDR內存的功能，將峰值內存速度提高了一倍，同時也大大增加了內存容量?；谛聵藴实挠布A計將于2021年推出，先從服務器層面開始采用，之后再逐步推廣到消費者PC和其他設備。外媒anandtech報道，和之前的每一次DDR迭代一樣，DDR5的主要關注點再次放在提高內存密度以及速度上。JEDEC希望將這兩方面都提高一倍，最高內存速度將達到6.4Gbps
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PC DDR5 內存
- 去年下半年開始，使用 LPDDR5 內存的手機陸續發布。雖然用于電腦的 DDR5 內存與用于手機的 LPDDR5 并不相同，但這也讓許多 DIY 玩家期待 DDR5 內存的到來，那么它今天真的來了。JEDEC
固態技術協會最初計劃在 2018 年公布 DDR5 SDRAM
最終規范，但是很顯然跳票了。兩年后的今天，新規范正式公布，同時各大內存廠商也表示基于新規范的內存產品最快年內就能進行量產，不過一開始會用在服務器上，后來才是家用
PC 以及其他設備。本次的新標準主要提升了內存密度和頻率，其中
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DDR5 內存
- 7月2日，SK海力士宣布開始量產超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數據。這速度相當于能夠在一秒內傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術將8個16Gb DRAM垂直連接，其容量達到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。H
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SK海力士 DRAM
- SK海力士宣布開始量產超高速DRAM‘HBM2E’。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發僅十個月之后的成果。 圖1. SK海力士宣布開始量產超高速DRAM, HBM2E SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數據。這速度相當于能夠在一秒內傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.
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SK海力士 超高速 DRAM HBM2E
- 6月6日，長三角一體化發展重大合作事項簽約儀式在湖州舉行，合肥長鑫與蘇州瑞紅電子化學品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導體科技有限公司共同簽約，一致同意支持長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目建設。2019年國內存儲芯片取得了兩個突破——長江存儲的3D閃存、合肥長鑫的DRAM內存雙雙量產，其中內存國產化的意義更重要一些，畢竟這個市場主要就是美日兩大陣營主導，門檻太高。合肥長鑫的12英寸內存項目總計投資高達1500億，去年底量產了1Xnm級別（具體大概是19nm）的內存芯片，可以供應DDR4
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國產 DRAM 內存 合肥長鑫
- 存儲器大廠南亞科28日召開年度股東常會，會中董事長吳嘉昭對于近期的產業狀況發表看法，指出2020年上半年DRAM市場的需求較2019年同期有小幅度的成長，其主要原因是受惠于異地工作、遠端教育、視頻會議等各項需求所致。至于，2020年下半年市況，吳嘉昭則是表示，因為各項不確定因素仍多，因此目前仍必須要持續的觀察。吳嘉昭表示，2019年因中美貿易戰導致的關稅問題，使得供應鏈面臨調整，加上全球經濟放緩、英特爾處理器缺貨等因素，導致DRAM需求減少，使得平均銷貨較2018年減少超過45%，也使得南亞科在2019年
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存儲器 10nm 南亞科 DRAM
- 因為種種原因,Intel的產品規劃這兩年調整非常頻繁,路線圖經常出現變動,無論是消費級還是企業級。在近日與投資者溝通時,Intel公關總監Trey Campbell就保證說,將在今年第二季度末(最遲至6月底)發布代號Ice Lake-SP的下一代至強服務器平臺,明年某個時候則會帶來Sapphire Rapids。Ice Lake-SP將采用和移動端Ice Lake-U/Y系列相同的10nm工藝、Sunny Cove CPU架構,并更換新的LGA4189封裝接口,核心數量和頻率暫時不詳(據說最多38核心),
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英特爾 CPU處理器 服務器 DDR5 至強 PCIe 5.0 Sapphire Rapids
- 三星電子一季度在全球DRAM市場的份額超過了40%，但銷售額在這一季度有下滑。外媒的數據顯示，一季度三星電子在全球DRAM市場的份額為44.1%，是第一大廠商，較第二大廠商SK海力士高出了近15個百分點，后者的市場份額為29.3%。雖然三星的市場份額超過了40%，但一季度三星DRAM的營收其實有下滑，較上一季度下滑3%。DRAM市場份額僅次于三星的SK海力士，一季度的銷售額也下滑了4%，下滑幅度還高于三星。三星電子和SK海力士之后的第三大DRAM廠商是美光科技，其一季度的市場份額為20.8%，銷售額下滑1
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三星 DRAM
- 盡管JEDEC固態協會尚未敲定DDR5內存標準的最終細節,但作為聯合制定者的韓國SK海力士率先將自家產品細節公之于眾。簡單來說,DDR5內存頻率從3200MHz起跳(廠商一般都會從4800MHz出貨)、最高可達8400MHz(時序瑟瑟發抖……)。核心容量密度方面,SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇,也就是說,DDR5時代單條內存最大可到128GB。其它參數也均有明顯改進,兩個關鍵電壓VDD/VDDq和VPP分別從1.2V、2.5V將至1.1V、1.8V,可進一步緩解
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內存 SK海力士 DDR5
- 盡管JEDEC固態協會尚未敲定DDR5內存標準的最終細節，但作為聯合制定者的韓國SK海力士率先將自家產品細節公之于眾。 簡單來說，DDR5內存頻率從3200MHz起跳（廠商一般都會從4800MHz出貨）、最高可達8400MHz（時序瑟瑟發抖……）?！ 『诵娜萘棵芏确矫妫琒K海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇，也就是說，DDR5時代單條內存最大可到128GB?！ ∑渌鼌狄簿忻黠@改進，兩個關鍵電壓VDD/VDDq和
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SK海力士 DDR5 內存
- 從20nm技術節點開始，漏電流一直都是動態隨機存取存儲器(DRAM)設計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現明顯的結構異常，DRAM設計中漏電流造成的問題也會導致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設計中至關重要的一個考慮因素。圖1. (a) DRAM存儲單元；(b)單元晶體管中的柵誘導漏極泄漏電流 (GIDL)；(c)位線接觸 (BLC) 與存儲節點接觸 (SNC) 之間的電介質泄漏；(d) DRAM電容處的電介質泄漏。DRAM存儲單元（圖1 (a)）在電
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DRAM GIDL
- 據外媒報道稱,由于種種原因所致,Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內存的平臺了。三星方面也已經表示,2021年量產DDR5內存,并且使用EUV工藝,制作將會在韓國平澤的新工廠進行,三星同時宣布第一批采用EUV工藝的DDR4內存已經出貨了100萬。三星表示EUV技術減少了光刻中多次曝光的重復步驟,并提高了光刻的準確度,從而提高性能、提高產量,并縮短了開發時間。三星估計,使用EUV工藝生產DDR5內存,其12英寸D1a晶圓的生產效率會比舊有的D1x工藝的生產力提升一倍。據悉,三星第四代10nm
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英特爾 內存 GDDR5 DDR5
- 據ZDnet報道，三星宣布，已成功將EUV技術應用于DRAM的生產中。
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三星 EUV DRAM
- 當前在芯片制造中最先進的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內存顆粒的生產中。這家韓國巨頭今日宣布，已經出貨100萬第一代10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組，并完成全球客戶評估，這為今后高端PC、手機、企業級服務器等應用領域開啟新大門。得益于EUV技術，可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復步驟，并進一步提升產能。三星表示，將從第四代10nm級（D1a）DRAM或高端級14nm級DRAM開始全面導入EUV，明年基于D1a大規模量產DDR5和LPDDR5內存芯片，預計會使12
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三星 DRAM EUV
- 韓媒報道稱美國美光公司在中國地區的工廠及辦公室也受到了嚴重影響,生產中斷,拖累DDR5量產,不過美光方面否認了相關報道。最近的疫情危機不僅影響了很多的生活,更重要的是導致一些工廠不能正常開工。韓國媒體報道稱,春節期間,美光公司在中國地區不僅辦公室工作受到影響,生產線也一度陷入停擺。韓媒指出,美光中國區目前已經開始恢復生產,但是臨時中斷產線已經帶來嚴重損失,還推遲了DDR5內存量產的計劃,對客戶的供貨也會出現問題。針對這些報道,美光公司下午發表聲明否認,聲稱美光致力維持安全的工作環境,除了密切關注國際性新冠
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美光 內存 DDR5
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