- 三星電子(Samsung Electronics)為迎接巨量資料(Big Data)時代的來臨，將以資料儲存半導體事業一決勝負，目標擬以DDR4 DRAM和3D V-NAND為基礎的固態硬碟(SSD)列為核心產品。
據韓國Inews 24報導，總括負責三星半導體事業部的DS部門將擴編人力，在集團底下成立巨量資料中心，并依照產品分析消費者的喜好程度等，強化事業力量。
DDR4 DRAM相較于DDR3，待機電流減少30%、耗電量減少35%，是能源使用效率高的產品。資料傳輸速度也較DDR3快2倍
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三星 DDR4 SSD
- 以往每次內存更新換代的時候，Intel總是同時提供支持，主板廠商也會推出一些同時有兩種插槽的板子，給大家更多選擇，但是這一次的Haswell-E，Intel狠心只支持DDR4(據說其實也支持DDR3但屏蔽了)，實在有點激進。
不過，Intel其實還有一個鬼點子“UniDIMM”(Universal DIMM)，可以讓DDR3、DDR4、LPDDR3甚至是未來的LPDDR4共享一種接口規格，隨便更換、升級。
Universal DIMM(U
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Intel DDR3 DDR4
- 瀾起科技集團有限公司，專注于為家庭娛樂和云計算市場提供以芯片為基礎的全方位解決方案的全球無晶圓廠供應商，27日宣布推出全球首顆第二代DDR4寄存時鐘驅動器芯片(DDR4RCD02)。
DDR4RCD02 芯片完全符合最新的JEDEC DDR4RCD02規范，支持2667MHz及以上的時鐘頻率。該芯片在性能和速度較其最高支持DDR4-2400的第一代DDR4寄存時鐘驅動芯片(DDR4RCD01)有顯著改善。目前瀾起科技已經將DDR4RCD02工程樣片交給客戶，供其開發支持第二代DDR4 RDI
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瀾起科技 DDR4
- 歷經六年的開發時間，DDR4終于踏上征程，揚帆起航。
近日英特爾服務器處理器Xeon E5-2600系列，正式推出采用Haswell新運算架構的第三代產品Xeon E5-2600 v3，開始支持時鐘頻率達2133MHz的DDR4存儲器，這表明在PC、服務器平臺叱咤風云多年的DDR3進入世代交替的階段。
其實英特爾的這個出乎意料的舉動還滿反常的，因為這異于其以往處理器支持新規格存儲器的步調──通常先針對PC平臺、再針對服務器平臺。但目前英特爾僅在第三季才剛推出的高階桌上型PC處理器當中(Co
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DDR4 處理器
- 全球存儲領軍品牌三星電子今日宣布，已開始正式量產業內首款基于3D TSV(through silicon via,硅通孔)封裝技術的64GB DDR4 RDIMM內存。該款高密度高性能的內存模塊不僅能推動企業級服務器和云計算環境下應用程序的不斷發展，也會在數據中心解決方案的進一步多樣化上起到關鍵性作用。
新推出的RDIMM內存由36個DDR4 DRAM芯片組成，而每片芯片又包含4顆4Gb的DDR4 DRAM裸片。這款低能耗的芯片采用了三星最尖端的20納米級制程技術和3D TSV封裝技術。
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三星 DDR4
- Molex公司現推出DDR4 DIMM插座產品，具有氣動及標準兩種型款，為設計工程師提供更多的選項和更高的性能，同時保持成本競爭力。氣動插座產品具有通孔端接類型和流線型的鎖閂及外殼, 提供更好的氣流及節省空間;而標準型款則具有三種端接類型：用于免焊工藝的壓接式;簡化印刷電路板(PCB)跡線路由的表面安裝類型;以及用于高成本效益應用的通孔類型。
所有Molex DDR4 DIMM插座均可滿足JEDEC規范并支持UDIMM、RDIMM和LRDIMM內存應用，設計用于數據、計算、電信和網絡服務器，具有
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Molex DDR4 插座
- 全球電子設計創新領先企業Cadence設計系統公司(NASDAQ: CDNS)于2014年5月20日宣布，立即推出基于臺積電16納米FinFET制程的DDR4 PHY IP(知識產權)。16納米技術與Cadence創新的架構相結合，可幫助客戶達到DDR4標準的最高性能，亦即達到3200Mbps的級別，相比之下，目前無論DDR3還是DDR4技術，最高也只能達到2133Mbps的性能。通過該技術，需要高內存帶寬的服務器、網絡交換、存儲器結構和其他片上系統(SoC)現在可以使用Cadence? DD
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Cadence DDR4 PHY IP CRC
- Teledyne?LeCroy(力科)，世界高速I/O分析和協議測試方案的領導者，升級了其Kibra?480?DDR協議分析儀平臺，使其帶有JEDEC的新288腳的邊沿連接器的DDR4內存模塊的探測選件。新的內插器支持DDR4?U-DIMM，R-DIMM，以及LR-DIMM，并能夠對每個通道的速率高達3200MT/s的兩個DIMM進行非侵入式監控。 新的內插器的設計是用于配合力科的Kibra?480的協議分析儀的使用，其可坐落于DIMM內存槽中，且可
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Teledyne DDR4 DIMM JEDEC
- Teledyne?LeCroy(力科)，世界高速I/O分析和協議測試方案的領導者，升級了其Kibra?480?DDR協議分析儀平臺，使其帶有JEDEC的新288腳的邊沿連接器的DDR4內存模塊的探測選件。新的內插器支持DDR4?U-DIMM，R-DIMM，以及LR-DIMM，并能夠對每個通道的速率高達3200MT/s的兩個DIMM進行非侵入式監控。 新的內插器的設計是用于配合力科的Kibra?480的協議分析儀的使用，其可坐落于DIMM內存槽中，且可
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Teledyne DDR4 DIMM JEDEC
- ? 全球電子設計創新領先企業Cadence設計系統公司(CadenceDesignSystems,Inc.)日前宣布，CadenceDDR4SDRAMPHY和存儲控制器DesignIP的首批產品在TSMC的28HPM和28HP技術工藝上通過硅驗證。
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DDR4 28納米
- 全球電子設計創新領先企業Cadence設計系統公司(Cadence Design Systems, Inc.) (NASDQ： CDNS) 日前宣布，Cadence DDR4 SDRAM PHY 和存儲控制器Design IP的首批產品在TSMC的28HPM和28HP技術工藝上通過硅驗證。
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Cadence DRAM DDR4
- DDR4作為DDR3 DRAM的繼承者，Micron本周一宣布明年將有望和大家見面，被應用在普通PC上。據澳大利亞的Techworld報道，公司已經為發售初始版本的內存DDR4做好準備。DDR3作為目前主流電腦的不二選擇，相比較即將來臨的DDR4已經明顯在功耗和性能上落后，新的DDR4有望工作在更低的電壓下，相比較和1.5V DDR3只需要1.2V，并且總線速度將定位在2133MHz，無論在讀寫性能和刷新頻率上都明顯強于前任。
制定內存標準的電子設備工程聯合協會(JEDEC)下個月將推出DDR4
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Micron DDR4
- 雖然比起目前韓國雙雄兼世界前兩大內存/閃存設備生產商三星與SK Hynix慢了一步，但美光還是緊追不放在今日正式宣布該公司首個DDR4 DRAM模組研發完成。目前即將開始制造樣品給主要客戶送測，預計將于2013年正式進入市場。
根據內存標準化組織JEDEC的規劃，服務器以及企業市場將于2013年最先嘗到DDR4的甜頭，它對比目前的DDR3內存擁有更高的頻率和更低的工作電壓。美光此次宣布的產品和臺灣南亞科技共同研發，采用30nm制程工藝。單“條”內存模組擁有8塊4Gbit
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美光 DDR4
- DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會急匆匆地到來。最新消息顯示，DDR4內存或于2014年首先用于服務器領域，然后再過一年半左右才進入桌面。據悉，Intel的再下代企業級服務器平臺Haswell-EX將會第一個整合DDR4內存控制器。Haswell-EX和我們經常展望的Haswell屬于同一家族，面向數據中心等大型企業領域，最多擁有16個核心，四路就是64核心。
DDR4內存不僅會帶來頻率的大幅提升(最高可達4266MHz)，更會有1.2V低電壓、更好的對等保護和錯誤恢復等技術，這些大
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英特爾 DDR4
- DDR3正處于如日中天的壯年期，DDR4并不會急匆匆地到來。最新消息顯示，DDR4內存或于2014年首先用于服務器領域，然后再過一年半左右才進入桌面。據悉，Intel的再下代企業級服務器平臺Haswell-EX將會第一個整合DDR4內存控制器。Haswell-EX和我們經常展望的Haswell屬于同一家族，面向數據中心等大型企業領域，最多擁有16個核心，四路就是64核心。
DDR4內存不僅會帶來頻率的大幅提升(最高可達4266MHz)，更會有1.2V低電壓、更好的對等保護和錯誤恢復等技術，這些大
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英特爾 DDR4
ddr4介紹
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態隨即訪問的內存美國JEDEC 的固態技術協會于2000 年6 月公布了雙數據速率同步動態存儲器(DDR SDRAM)規范JESD79 由于它在時鐘觸發沿的上下沿都能進行數據傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [
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