美光宣布首個DDR4內存模組研發完成

　　雖然比起目前韓國雙雄兼世界前兩大內存/閃存設備生產商三星與SK Hynix慢了一步，但美光還是緊追不放在今日正式宣布該公司首個DDR4 DRAM模組研發完成。目前即將開始制造樣品給主要客戶送測，預計將于2013年正式進入市場。

　　根據內存標準化組織JEDEC的規劃，服務器以及企業市場將于2013年最先嘗到DDR4的甜頭，它對比目前的DDR3內存擁有更高的頻率和更低的工作電壓。美光此次宣布的產品和臺灣南亞科技共同研發，采用30nm制程工藝。單“條”內存模組擁有8塊4Gbit DDR4顆粒，總容量4GBytes。可做成常見的臺式機、SO-DIMM(筆記本)、RDIMM/LRDIMM(服務器)等常用封裝并支持ECC，傳輸速度可達2400-3200MT/s，即等效運行頻率2400-3200MHz。

　　美光在官方新聞稿中宣稱，隨著JEDEC對DDR4標準的制訂最后完成，美光計劃于2012年底開始批量生產新的DDR4顆粒。