- 內存標準制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內存的規格制定工作已經開始，計劃明年定稿。
據悉，用于服務器和臺式PC上的DDR5內存速度將是DDR4內存的兩倍之多，執行效率也更高。
同時，針對智能手機以及筆記本電腦等對續航有更高要求的設備，還會推出低電壓版的LPDDR5內存。
雖然看起來DDR5內存非常值得期待，但分析師卻對其前景并不看好，反而認為DDR內存時代將在DDR4生命周期結束時謝幕。
分析師認為，DDR5會首先被應用于服務器和高端PC領域，隨后才會逐漸向下普及。但
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DDR5 DDR4
- Adrian Cosoroaba和Terry Magee在本月MemCon上給出了關于DDR4 SDRAM接口的詳細展示，該演示應用于賽靈思UltraScale All Programmable FPGA上。接口設計將DDR SDRAM提升至2400Mbps甚至以上，同時降低接口功耗。為了達
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UltraScale DDR4
- 三星電子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)與美光(Micron)等存儲器業者加速生產DDR4DRAM，預估2016年第1季DDR4的出貨量可超越DDR3，短期內DDR4的價格就會低于相同容量的DDR3。
據ETNews報導，支持DDR4的第六代IntelCore處理器(Skylake)已經為PC制造商正式采用于最新產品上，促使存儲器業者加快速度轉換生產DDR4DRAM。因此2016年第1季的DDR4DRAM出貨量可望超越DDR3。
日前業界消息傳出，三星
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三星 DDR4
- DDR4內存已經問世有很長一段時間了，現在DDR3走到生涯末年了，終于DDR4可以頂上去了，等的花都謝了。
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Intel DDR4
- 熟悉PC尤其是內存歷史的應當都記得外號“專利流氓”的Rambus。它發明了很高明的RDRAM等技術，但沒有拿來造福百姓，而是憑借專利四處“勒索”，臭名遠揚，自己的技術也沒幾個人用，RDRAM唯一的成功就是索尼PS3，當然還坑了Intel一把。
現在，Ramubus又回來了，但放棄了IP授權經營模式，轉型為一家無工廠半導體廠商，設計、銷售自己的產品。
趁著Intel IDF 2015舉行之際，Rambus宣布了自己的首款產品“RB2
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Rambus DDR4
- 據記憶體市調機構DRAMeXchange最新報告顯示，第3季初伺服器用記憶體整體市場需求仍未見回溫，在需求端拉貨力道不振下，即便原廠力守價格，代理商對市場信心依然持續減弱，并出現降價求售，使整體市場價格出現明顯松動。
DRAMeXchange分析師劉家羽表示，由于PC端需求依舊疲軟，標準型記憶體跌價幅度持續擴張，也使得伺服器用記憶體價格跌幅收斂受阻。
受DDR4跌價沖擊，DDR3價格下殺幅度趨明顯，7月底 8GB/16GB均價來到64與116美元，月跌幅達5~6%;而DDR4 R-DIMM
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DRAM DDR4
- 據記憶體市調機構DRAMeXchange最新報告顯示，第3季初伺服器用記憶體整體市場需求仍未見回溫，在需求端拉貨力道不振下，即便原廠力守價格，代理商對市場信心依然持續減弱，并出現降價求售，使整體市場價格出現明顯松動。
DRAMeXchange分析師劉家羽表示，由于PC端需求依舊疲軟，標準型記憶體跌價幅度持續擴張，也使得伺服器用記憶體價格跌幅收斂受阻。
受DDR4跌價沖擊，DDR3價格下殺幅度趨明顯，7月底 8GB/16GB均價來到64與116美元，月跌幅達5~6%;而DDR4 R-DIMM
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DRAM DDR4
- 2015年4月8日，一年一度的英特爾信息技術峰會在深圳熱烈開幕，瀾起科技攜基于全新DDR4內存接口套片的服務器平臺亮相峰會現場。
去年9月，瀾起科技DDR4內存接口套片在成功通過英特爾公司認證后，便成為亞洲第一家、國內唯一一家支持基于英特爾Xeon E5-2600 v3系列的服務器平臺的企業。
M88DDR4RCD002是瀾起科技推出的全球首顆第二代DDR4寄存時鐘驅動器(RCD)芯片，其性能和速率均遠超第一代DDR4 RCD芯片。一顆M88DDR4RCD02芯片可搭載九顆瀾起的第二代DD
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瀾起科技 DDR4
- 是德科技公司日前宣布推出用于 Infiniium 系列示波器的 DDR4 球形柵格陣列(BGA)內插器探測解決方案。DDR4 BGA 探頭與示波器結合使用，可以讓工程師調試和表征他們的 DDR4 內存設計，以及驗證器件與 JEDEC DDR4 標準的一致性。
隨著 DDR4 內存標準的發布，動態隨機訪問存儲器(DRAM)的數據速率已提升至 3.2 Gb/s。存儲器系統設計工程師正面臨著較之以往更大的挑戰，面向高數據速率的存儲信號探測變得非常困難。最新的 Keysight DDR4 BGA 內插器
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是德科技 DDR4
- DDR3內存自從2007年服役以來，至今已經走過了8個年頭。相比Intel的更新換代步伐來說，內存發展可謂相當緩慢。不過好在2014年底，各大廠商紛紛上架DDR4內存產品，起跳頻率達到2133MHz，標志著DDR3時代的終結。
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DDR4 DDR3
- 現行的DDR4及LPDDR4存儲器都是以既有的DRAM設計為基礎，其中許多技術已沿用長達十余年，而今無論是系統總頻寬或中央處理器(CPU)等作業環境都不可同日而語。有鑒于此，發展新的解決方案為眼下業界的共識，Wide I/O、HBM及HMC等三大新存儲器標準遂成業界關注重點。
據ExtremeTech網站報導指出，過去近20年來存儲器規格已從第一代的SDRAM DIMM發展至DDR4-3200，成長高達48倍。因此，現今業界雖針對是否應進一步以此標準定義DDR5有所爭議，更多人卻傾向發展新的存儲
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SDRAM DDR4
- 臺灣曾將DRAM視為支柱產業，但隨著移動設備與物聯網市場的火爆，需求朝向更小、更省電的方向，而非速度跟效率。若能掌握新趨勢，未來臺灣廠商在內存產業仍將大有可為。
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DRAM DDR4
- 相較前一代記憶體規格，第四代雙倍資料率(DDR4)新增超過二十種功能，其中，采用循環冗余校驗碼(CRC)和立體矽堆疊(3DS)技術更是重大變革，前者可即時檢測資料匯流排上的錯誤訊息，提升可靠度;后者對提升時序和功率效能則大有幫助。
隨著標準不斷演進，新一代記憶體規范通常著重于提升資料傳輸速率，其他方面僅略做調整，但第四代雙倍資料率(DDR4)并非如此。DDR4首次亮相時，便新增超過二十種功能，比先前DDR規格足足多一倍。
前幾代的DDR規格創新，主要目標是提供更快速度或更廣泛的應用，然而，
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DDR4 CRC
- 瀾起科技在2014年的年初和年末分別經歷了的強烈的指責以及年末并購案對公司利好的喜悅。那么除了這大喜和大悲之后，瀾起科技在2014年同樣還經歷了二次增發成功的幸福，被做空股價動蕩的苦惱，有收到私有化要約的震驚，有中間起起伏伏的波折，有節節高升的業績，更有私有化成功的回歸。
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中國芯 瀾起科技 DDR4
- DRAM廠轉進20納米制程困難重重，業界傳出美光(Micron)旗下的20納米制程產品大量導入終端應用的時間點，會遞延至2016年第1季，象征4GbDDR4成為主流的時間點也會延后。然而美光旗下華亞科表示，目前20納米制程轉進速度一切都如預期，年底會有8萬片的12吋晶圓轉進20納米制程，資本支出不會改變。
日前傳出韓系存儲器廠25納米制程的產品未過PCOEM客戶認證，導致部分貨源流入現貨市場，這也代表進入先進制程技術后，產品認證的嚴格度大幅攀升，未來20納米制程世代的問題更嚴重，轉進20納米制程
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DRAM DDR4 20納米
ddr4介紹
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態隨即訪問的內存美國JEDEC 的固態技術協會于2000 年6 月公布了雙數據速率同步動態存儲器(DDR SDRAM)規范JESD79 由于它在時鐘觸發沿的上下沿都能進行數據傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [
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