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        coolsic mosfet 文章 最新資訊

        Diodes封裝MOSFET有助于實現(xiàn)低溫操作

        •   Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結(jié)點至環(huán)境熱阻(Rthj-a)為130oC/W,能在持續(xù)狀態(tài)下支持高達(dá)1W的功率耗散,相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280oC/W的SOT723封裝,能實現(xiàn)更低溫度運(yùn)行。   這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723封裝的MOSFET一樣,印刷電路板(PCB)面積為1.44mm2,并具備0.5mm的狹小離板高度,但后者的熱效率則較低。這對采用DFN1212-3封裝的MOSFET
        • 關(guān)鍵字: Diodes  MOSFET  

        汽車HID前燈鎮(zhèn)流器及PFC控制解決方案

        UCC27321高速驅(qū)動MOSFET芯片的應(yīng)用設(shè)計

        • UCC27321高速驅(qū)動MOSFET芯片的應(yīng)用設(shè)計,1 引言

            隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展,各種新型的驅(qū)動芯片層出不窮,為驅(qū)動電路的設(shè)計提供了更多的選擇和設(shè)計思路,外圍電路大大減少,使得MOSFET的驅(qū)動電路愈來愈簡潔,.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321
        • 關(guān)鍵字: 應(yīng)用  設(shè)計  芯片  MOSFET  高速  驅(qū)動  UCC27321  

        智能MOSFET驅(qū)動器提升數(shù)字控制電源性能的設(shè)計方案

        • 在電源系統(tǒng)中,MOSFET驅(qū)動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號,以便以最快的速度打開和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動器IC與MOSFET的位置相鄰,所以就需要增加智能保護(hù)功能以增強(qiáng)電源的可靠性。  UCD
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  驅(qū)動器  數(shù)字控制電源  設(shè)計方案    

        科銳推出芯片型碳化硅功率器件

        • 碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者科銳公司將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革,宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科銳碳化硅ZFET MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路,與傳統(tǒng)硅器件相比,可實現(xiàn)更高的能源效率。
        • 關(guān)鍵字: 科銳  SiC  MOSFET  

        飛兆半導(dǎo)體鋰離子電池組保護(hù)設(shè)計解決方案

        • 便攜產(chǎn)品的設(shè)計人員通常在設(shè)計的每個階段都會面對減小空間和提高效率的挑戰(zhàn)。在超便攜應(yīng)用等使用單節(jié)鋰離子電池的產(chǎn)品中,這是一個特別重要的問題。
        • 關(guān)鍵字: 飛兆半導(dǎo)體  MOSFET  FDMB2307NZ  

        Diodes推出新型P通道MOSFET

        • Diodes公司推出微型12V P通道強(qiáng)化型MOSFET——DMP1245UFCL,有助提升電池效率及減少電路板空間,并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計要求,如智能手機(jī)及平板計算機(jī)等。
        • 關(guān)鍵字: Diodes  MOSFET  DMP1245UFCL  

        功率因數(shù)校正器(PFC)在電源應(yīng)用中的重要作用

        • 傳統(tǒng)的離線開關(guān)模式功率轉(zhuǎn)換器會產(chǎn)生帶高諧波含量的非正弦輸入電流。這會給電源線、斷路開關(guān)和電力設(shè)施帶來...
        • 關(guān)鍵字: PFC  MOSFET  PWM  

        為同步整流選擇最優(yōu)化的MOSFET

        • 中心議題: 同步整流基礎(chǔ)知識 優(yōu)化同步整流MOSFET解決方案: 確定優(yōu)化MOSFET的負(fù)載電流 借助四象限SR器件優(yōu)化表選擇MOSFET
          1. 引言

          電源轉(zhuǎn)換器的封裝密度日益提高和節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)越來越嚴(yán)格,
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  最優(yōu)化  選擇  整流  同步  

        集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046(二)

        • 摘要:新推出的全橋移相控制器LM5046,全橋變換器的全部功能,LM5046組成的全橋DC/DC基本電路,內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能,文中一一有分解說明。
          關(guān)鍵詞:全橋移相控制器LM5046;28個PIN腳功能 (上接第
        • 關(guān)鍵字: 控制器  -LM5046  全橋移  驅(qū)動器  MOSFET  集成  

        快速二極管MOSFET在三相逆變器拓?fù)渲械膽?yīng)用

        • 高效率和節(jié)能是家電應(yīng)用中首要的問題。三相無刷直流電機(jī)因其效率高和尺寸小的優(yōu)勢而被廣泛應(yīng)用在家電設(shè)...
        • 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體  MOSFET  逆變器  

        MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計及應(yīng)用

        • 下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié),其中參考了一些資料,非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹,特性,驅(qū)動以及應(yīng)用電路。 在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻,
        • 關(guān)鍵字: MOSFET  驅(qū)動  電路設(shè)計    

        Vishay推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT

        • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴(kuò)充用于低電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的PowerPAIR家族雙芯片不對稱功率MOSFET。新器件擴(kuò)大了該系列產(chǎn)品的電壓和封裝占位選項,使Vishay成為3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸規(guī)格產(chǎn)品的獨家供應(yīng)商。
        • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  SiZ300DT  SiZ910DT  

        AOS推出適用便攜式應(yīng)用的功率MOSFET

        •   日前,集設(shè)計,開發(fā)和全球銷售的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商AOS半導(dǎo)體有限公司(AOS),發(fā)布了具有行業(yè)領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)的高功率密度和高效能的功率MOSFET,它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。   新的產(chǎn)品上應(yīng)用了AOS的AlphaMOS專利技術(shù)。這些技術(shù)的好處在于它可以延長電池的使用壽命,還可以使設(shè)計變的更簡單緊湊,適用于便攜式產(chǎn)品,例如:平板電腦、智能手機(jī),電子書、筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)及便攜式音樂播放器。   AON7421和AON7423是20V P溝道MOSFET,它們的RDS(ON)是目前市
        • 關(guān)鍵字: AOS  MOSFET  

        采用開關(guān)器件提高PFC效率

        • 在CCMPFC中,通過改善MOSFET技術(shù)可以減少開關(guān)損耗,甚至可通過SiC技術(shù)改善升壓二極管來減少M(fèi)OSFET的開關(guān)損...
        • 關(guān)鍵字: 開關(guān)  PFC  MOSFET  
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