英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產品系列。全新的40V OptiMOS P2產品為能效改進、碳減排和成本節約樹立了行業新標桿，從而進一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應用領域的領導地位。
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英飛凌 MOSFET 40V OptiMOS P2
隨著家用電器、視聽產品的普及，辦公自動化的廣泛應用和網絡化的不斷發展，越來越多的產品具有了待機功能，以隨時...
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待機功耗 MOSFET
在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也...
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MOSFET MOSFET驅動電路
首先要進行MOSFET的選擇，MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開關。當在N溝道M...
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PMOS 開關管 MOSFET 二極管
應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出用于汽車系統自安嶄新的可調節輸出非同步升壓控制器。
NCV8871是一款輸入電壓范圍為3.2伏(V)至44 V的寬輸入電壓器件，能用于驅動外部N溝道MOSFET。此器件包含的內部穩壓器為門驅動器提供電荷，它在休眠模式下的靜態電流為3.0微安(µA)，使功耗降至最低。它還具有可同步開關頻率特性，提供兩種分別可設定為典型值170 kHz或是典型值1 MHz的版本
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安森美半導體 MOSFET 非同步升壓控制器 NCV8871
恩智浦半導體NXP 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm，高度僅為0.65 mm，專門針對諸如移動設備等高性能消費產品的小型化發展趨勢而設計。
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NXP MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導通的此類器件。
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Vishay MOSFET
恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) 今日宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產品PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm，高度僅為0.65 mm，專門針對諸如移動設備等高性能消費產品的小型化發展趨勢而設計。
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恩智浦 MOSFET PBSM5240PF
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布將于中國電子展同期舉辦中國西部電源研討會(West China Power Seminars)，時間和地點分別是8月23日上午9點30分至12點10分在成都明悅大酒店，8月25日在西安曲江國際會展中心。每場研討會將有4位專家做技術報告，探討電容器、MOSFET、電源模塊、二極管和光耦合器在新能源、軍工、通信、工業電源和其他行業中的應用。研討會面向研發工程師，用中文講解，CEF的觀眾可以免費參加。
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Vishay MOSFET
硅功率二極管的PN結通常有大約1.2V的壓降。這個壓降使得功率二極管上消耗了相當的能量，從而造成電源效率...
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低損耗 大功率 MOSFET
鑒于MOSFET技術的成熟，為設計選擇一款MOSFET表面上看是十分簡單的事情。雖然工程師都熟諳MOSFET數據手冊上的...
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MOSFET 導通阻抗 開關電源
1.開關電源應用從定義上而言，這種應用需要MOSFET定期導通和關斷。同時，有數十種拓撲可用于開關電源，這...
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MOSFET 應用案例
MOSFET廣泛使用在模擬電路與數字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優勢在于：首先驅動電路比較簡單。MOSF...
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MOSFET 選型 應用概覽
一引言DC-DC轉換器的效率和功率損耗是許多電子系統的一個重要特征參數?？梢詼y量出這些特征參數，...
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熱源功率 損耗 MOSFET
工藝與材料的創新隨著時間的推移，功率晶體管技術得到了持續的改善。器件的體積不斷縮小，功率密度越...
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功率器件 工藝材料 MOSFET
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