- 在功率MOSFET的數據表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數，而許多電子工程師在設計電源系統的過程中，很少考慮到這些參數與電源系統的應用有什么樣的聯系，如何在實際的應用中評
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解析 能量 雪崩 UIS MOSFET
- 用作功率開關的MOSFET
隨著數十年來器件設計的不斷優化，功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓撲和電源效率的提升。功率器件從電流驅動變為電壓驅動，加快了這些產品的市場滲透速度。上世紀80年代，平面柵極功率MOSFET
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考量 設計 MOSFET 功率
- 隨著電源高效、高功率密度的要求，電源的頻率由原來的工頻，到幾十千赫茲，再到如今幾百千赫茲甚至兆赫茲。電源頻率的要求越來越高。如何選擇合適的MOSFET，如何有效地驅動高速MOSFET，提升電源效率是廣大工程師面臨的問題。本文將探討MOSFET的選型以及高速驅動線路設計的注意事項。
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MOSFET 電容
- 1. 引言 散熱器在計算時會出現誤差，一般說來主要原因是很難精確地預先知道功率損耗，每只器件的參數參差不 ...
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熱模型 MOSFET PSPICE
- 全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系，擴展協議將包括5x6mm非對稱結構功率級雙MOSFET封裝。
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飛兆半導體 英飛凌科技 MOSFET
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系，擴展協議將包括5x6mm非對稱結構功率級雙MOSFET封裝。
飛兆半導體PowerTrench非對稱結構功率級雙MOSFET模塊是飛兆半導體全面廣泛的先進MOSFET產品系列的組成部分，為電源設計人員提供了適用于關鍵任務的高效信息處理設計的全面解決方案。
這一兼容協議是兩家公司在2010年達成的協議的擴展，旨在為客戶保證供
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飛兆 MOSFET
- 1引言開關電源是目前用途非常廣泛的一種電源設備，然而隨著開關頻率以及開關速度的不斷提高，產生的電磁干擾越來越大，由于市場準入制度的實施，電磁干擾研究已引起了足夠的重視。干擾源是電磁干擾的三要素之一，是電
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仿真 分析 干擾 電磁 MOSFET 電壓 開關電源
- 摘要：新推出的全橋移相控制器LM51346，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
關鍵詞：全橋移相控制器LM5046：28個PIN腳功能(上接第
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控制器 -LM5046 全橋移 驅動器 MOSFET 集成
- 計算功率耗散 要確定一個MOSFET場效應管是否適于某一特定應用，需要對其功率耗散進行計算。耗散主要包括 ...
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大功率 電源中 MOSFET 功率
- 摘要
本文介紹新型的MOSFET逆變模塊，用于驅動風扇和水泵中的小型直流無刷電機。這種功率模塊集成了6個MOSFET和相應的高壓柵極驅動電路 (HVIC)。通過使用專門設計的MOSFET和HVIC，該模塊能提供最小的功耗和最佳
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MOSFET 逆變 模塊 系統 驅動 功率 電機 適用于
- 中心議題： 計算大功率電源中MOSFET的功率耗散解決方案： 重新設定輸入電壓范圍 改變開關頻率
也許便攜式電源設計工程師所面臨的最大挑戰在于向現代高性能CPU供電。最近，CPU供電電流每兩年翻一倍。事實上
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功率 耗散 MOSFET 電源 大功率 計算
- Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設計。這款新品能取代返馳式轉換器內效率較低的肖特基二極管，并通過減少多達70%的整流器損耗，有效提升最高達3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應系統更容易達到能源之星V2.0所規定的電源平均效率需達到87%的評級要求。
這款采用SO8封裝的MOSFET控制器操作電壓范圍寬廣，介于5V至25V之間，可由適配器的19V供電軌直接供電，并且在瞬態過壓狀態下，保證器件正常
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Diodes MOSFET 控制器
- Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設計。這款新品能取代返馳式轉換器內效率較低的肖特基二極管，并通過減少多達70%的整流器損耗，有效提升最高達3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應系統更容易達到能源之星V2.0所規定的電源平均效率需達到87%的評級要求。
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Diodes MOSFET ZXGD3104N8
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔離式電源效率與可靠性的新一代雙通道輸出柵極驅動器，進一步壯大其 MOSFET 驅動器產品陣營。
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TI MOSFET UCC27210
- 中心議題： 二極管的泄漏電流的測量 MOSFET的亞閾區電流的測量解決方案： 采用源-測量單元測量二極管的泄漏電流 采用兩臺SMU來測量MOSFET的亞閥區電流
測試半導體器件和晶圓片（Wafer）常常要涉及到測量
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電流 測量 MOSFET 二極管 泄漏
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