- 開關電源（SwitchModePowerSupply；SMPS）的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇，即開關管和整流...
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開關電源 IGBT MOSFET
- 當前，設計人員正面臨為各種應用產品的電源設計反激電路的挑戰，現在找到能夠簡化工作的方法。全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)發布一款易于使用、功能強大的在線仿真工具Power Supply WebDesigner (PSW)，這款工具可讓設計人員無需應用指南，也可以像電源專家一樣進行“自動化設計”、優化或“先進設計”。
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飛兆 MOSFET PSW
- 超級半導體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關鍵材料之...
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LED GaN MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。對于軍工、航天和航空應用，這些采用密封TO-205AD(TO-39)封裝的器件兼具低導通電阻和快速開關的性能。
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Vishay MOSFET
- 通常，在功率MOSFET的數據表中的第一頁，列出了連續漏極電流ID，脈沖漏極電流IDM，雪崩電流IAV的額定值，然后對于許多電子工程師來說，他們對于這些電流值的定義以及在實際的設計過程中，它們如何影響系統以及如何選
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電流 MOSFET 功率 理解
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅動器IC，適用于電動汽車和混合動力汽車中的車用高壓電機驅動應用。
AUIRS2332J 高壓高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅動器具備三個獨立的高低側參考輸出通道。IR專有的 HVIC 技術使單片式結構堅固耐用，而且其邏輯輸入與 CMOS 或 LSTTL 輸出相兼容，低至3.3V 邏輯。新器件還提供能通過外部電流感應電阻來進行橋電流模擬反饋的集成接地參考運算放大器
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國際整流器公司 MOSFET 柵極驅動IC
- 用于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產品，一款 ...
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集成高壓 MOSFET PFC 控制器芯片
- 現在人們關注“平板電視”和“太陽能電池”，這兩個領域都注重環保理念，需要進行低損耗、高效率的產品開發。 ...
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MOSFET 高速開關
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET所用的MICRO FOOT封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級器件最高可減少36%，而導通電阻則與之相當甚至更低。
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Vishay MOSFET Si8802DB
- 在本電源設計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔MOSFET溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將...
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MOSFET 瞬態溫升
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技術，具有超低柵極電荷，以及較低柵極電荷與導通電阻乘積，該乘積是衡量用在功率轉換應用中的MOSFET的重要優值系數。
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與前一代S系列器件相比，新的
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Vishay Siliconix MOSFET
- 近年來，電源的輸出電壓越來越低、輸出電流越來越大（某些電源系統輸出幾十安培到上百安培）。因此，電源設計中采用...
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開關電源 MOSFET
- 2011 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET 功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產品獎的獲獎產品。
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Vishay MOSFET
- 閉鎖繼電器在給線圈一個短電壓脈沖時，會改變自己的狀態。由于這些繼電器不需要連續的線圈電流來保持狀態...
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MOSFET 繼電器 驅動器
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