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賽普拉斯CMOS圖像傳感器將膠片和數(shù)字視頻結(jié)合用于電影拍攝

　　賽普拉斯宣布其OSCAR定制CMOS圖像傳感器被整合至ARRI公司的ARRIFLEX D-20數(shù)字電影攝像機(jī)和ARRISCAN膠片掃描儀之中。這款600萬(wàn)像素的傳感器與Super 35毫米膠片光圈的尺寸相同，這使得D-20攝像機(jī)在拍攝高清(HD)圖像時(shí)，能使用與35毫米膠片攝像機(jī)相同的定焦、變焦和特制鏡頭。最終的數(shù)字圖像與35毫米膠片的景深相同，同時(shí)允許電影制作人能將觀眾的注意力引導(dǎo)至畫面的特定部分，這種功能是一種極具創(chuàng)意價(jià)值的講述故事的手段。　　OSCAR CMOS圖像傳感器賦予D-20攝像機(jī)以
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ST 4 x 4mm模擬輸出加速計(jì)自由度更高

世界領(lǐng)先的微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）器件供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）今天公布一個(gè)新的三軸模擬輸出傳感器解決方案，進(jìn)一步加強(qiáng)了該公司的尺寸極小的“低g”線性加速計(jì)的產(chǎn)品陣容。新產(chǎn)品LIS344AL是一個(gè)注重成本的MEMS解決方案，在電路板上的占位面積非常小，功耗低，特別適合電池供電和空間受限制的便攜設(shè)備，如手機(jī)、便攜媒體播放器、PDA或遙控器。新產(chǎn)品在一個(gè)封裝內(nèi)整合了一個(gè)強(qiáng)健的三軸MEMS傳感器和一個(gè)CMOS接口芯片，不論設(shè)備的方位如何，三軸傳感功能都能提供傾斜和運(yùn)動(dòng)的信息。 LIS344A
關(guān)鍵字： ST 模擬輸出加速計(jì) MEMS 消費(fèi)電子消費(fèi)電子

賽普拉斯CMOS圖像傳感器將膠片和數(shù)字視頻結(jié)合用于電影拍攝

定制圖像器材成為ARRI公司ARRIFLEX D-20數(shù)字電影攝像機(jī)和ARRISCAN膠片掃描儀的核心 2007年12月26日，北京訊，—賽普拉斯半導(dǎo)體公司（紐交所代碼CY）于近日宣布其OSCAR定制CMOS圖像傳感器被整合至ARRI公司的ARRIFLEX D-20數(shù)字電影攝像機(jī)和ARRISCAN膠片掃描儀之中。這款600萬(wàn)像素的傳感器與Super 35毫米膠片光圈的尺寸相同，這使得D-20攝像機(jī)在拍攝高清（HD）圖像時(shí)，能使用與35毫米膠片攝像機(jī)相同的定焦、變焦和特制鏡頭。
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基于0.13μm CMOS工藝的快速穩(wěn)定的高增益Telescopic放大器設(shè)計(jì)

　　近年來(lái)，軟件無(wú)線電(Software Radio)的技術(shù)受到廣泛的關(guān)注。理想的軟件無(wú)線電臺(tái)要求對(duì)天線接收的模擬信號(hào)經(jīng)過(guò)放大后直接采樣，但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過(guò)高，技術(shù)上所限難以實(shí)現(xiàn)，而多采用中頻采樣的方法。而對(duì)于百兆赫茲的射頻段，可以直接射頻帶通采樣，這就要求采樣系統(tǒng)有高的分辨率，而且其Nyquist頻率要求比較高。本文設(shè)計(jì)的用于軟件無(wú)線電臺(tái)12 b A/D轉(zhuǎn)換器中的高精度，高速運(yùn)算放大器，采用了增益提高電路，在不影響頻率響應(yīng)的同時(shí)，得到普通運(yùn)放所達(dá)不到的高增益。　　1 高精度，高速度
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凌力爾特?cái)U(kuò)大RS422/RS485 收發(fā)器產(chǎn)品系列，推出為高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)的“H 級(jí)”器件

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 擴(kuò)大了 RS422/RS485 收發(fā)器產(chǎn)品系列，推出為高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)的“H 級(jí)”器件。LTC285xH 系列器件具有 -40oC 至 125oC 的擴(kuò)展工作溫度范圍以及這些應(yīng)用傳統(tǒng)上所需的屬性。這些新溫度級(jí)器件拓寬了凌力爾特公司業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)低功率 CMOS 收發(fā)器產(chǎn)品線，有助于在汽車應(yīng)用中常見的嚴(yán)酷環(huán)境條件下確保可靠數(shù)據(jù)傳輸。　　凌力爾特公司的 LTC285xH 系列收發(fā)器有多種選擇。精選版本具有轉(zhuǎn)換率限制，同時(shí)其它版本具有接
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意法半導(dǎo)體（ST）芯片向先進(jìn)的45nm CMOS 射頻技術(shù)升級(jí)

　　意法半導(dǎo)體宣布該公司成功地制造出了第一批采用CMOS 45nm 射頻 (RF)制造技術(shù)的功能芯片。這項(xiàng)先端技術(shù)對(duì)于下一代無(wú)線局域網(wǎng)(WLAN)應(yīng)用產(chǎn)品至關(guān)重要。　　這些系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)是在ST的法國(guó)Crolles 300mm 晶圓生產(chǎn)線制造的，原型產(chǎn)品集成了從初級(jí)RF信號(hào)檢測(cè)到下一步信號(hào)處理需要的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)輸出的全部功能鏈。這些原型芯片具有最先進(jìn)的性能和最高的密度(低噪放大器、混頻器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器和濾波器都工作在1.1V下，整個(gè)電路僅占用0.45mm2)。　　ST的半導(dǎo)體成就歸功于公司開發(fā)CM
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 意法半導(dǎo)體 45nm CMOS EDA IC設(shè)計(jì)

MEMS振蕩器101(圖)

關(guān)鍵字： MEMS 101 振蕩器

2007年12月10日，ST推出采用CMOS 45nm射頻制造技術(shù)的功能芯片

　　2007年12月10日，意法半導(dǎo)體宣布成功地推出第一批采用CMOS45nm射頻制造技術(shù)的功能芯片。 ?
關(guān)鍵字： ST CMOS 45nm 射頻

CMOS集成電路設(shè)計(jì)中電阻設(shè)計(jì)方法的研究

討論了集成電路設(shè)計(jì)中多晶硅條電阻、MOS管電阻和電容電阻等3種電阻器的實(shí)現(xiàn)方法，論述了他們各自的優(yōu)點(diǎn)、缺點(diǎn)及其不同的作用
關(guān)鍵字： CMOS 集成電路設(shè)計(jì) 電阻設(shè)計(jì)方法

以有源電感為負(fù)載的CMOS寬帶LNA設(shè)計(jì)

本文設(shè)計(jì)了一個(gè)基于數(shù)字CMOS工藝的以有源電感為負(fù)載的寬帶低噪聲放大器，其中包括了級(jí)聯(lián)型有源電感的優(yōu)化設(shè)計(jì)。
關(guān)鍵字： CMOS LNA 有源電感負(fù)載

傳動(dòng)力與美的科技

電子科技的發(fā)展到了今天，有關(guān)數(shù)字運(yùn)算與訊號(hào)處理的能力，已經(jīng)達(dá)到了所謂「信息革命」的效果。如此輝煌顯著的成就，將會(huì)持續(xù)帶動(dòng)社會(huì)型態(tài)與生活習(xí)慣的改變，這應(yīng)該也是毋庸置疑的一件事
關(guān)鍵字： MEMS 電子感測(cè)組件

RFMD MEMS技術(shù)將在RF應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)突破性整合

　　日前，RF Micro Devices(RFMD)宣布推出專有微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS) - 面向 RF 及其他應(yīng)用的技術(shù)。RFMD 期望其專有的 MEMS 技術(shù)將在 RF 及其他應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)突破性的性能及空前水平的功能整合。　　RFMD 推出的第一批 RF MEMS 器件將是面向 3G 多模手機(jī)的 RF MEMS 發(fā)送/接收開關(guān)及 RF MEMS 模式開關(guān)。通過(guò)極大減小產(chǎn)品占位面積并提高效率，從而延長(zhǎng)手機(jī)通話時(shí)間，RFMD 的 MEMS 開關(guān)技術(shù)將有助于加速 3G 部署。當(dāng)與面向前端解決方案(GaA
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) RFMD RF MEMS RF IF

CMOS圖像傳感器中時(shí)問(wèn)延遲積分的實(shí)現(xiàn)與優(yōu)化

　　1 引言　　利用高速線掃描攝像機(jī)進(jìn)行監(jiān)控，具有在線監(jiān)控、高精度和高速度的特點(diǎn)[1，2]，一般常見的線掃描攝像機(jī)，感光器上的每個(gè)像素在進(jìn)行動(dòng)態(tài)掃描時(shí)，每次僅對(duì)移動(dòng)中的物體做一次曝光，而時(shí)間延遲積分(TDI)電路具備較多且有效的積分時(shí)間，從而增強(qiáng)信號(hào)的輸出強(qiáng)度。目前，TDI技術(shù)的研究多局限于CCD工藝。CCD器件是實(shí)現(xiàn)TDI的理想器件，它能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)噪聲的電荷累加[3～5]，但傳統(tǒng)CCD圖像傳感器技術(shù)存在驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)處理電路難與CCD成像陣列單片集成，需要較高的工作電壓，不能與深亞微米超大規(guī)模集成電
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) TDI CMOS 圖像傳感器傳感器執(zhí)行器

一種帶有軟啟動(dòng)的精密CMOS帶隙基準(zhǔn)設(shè)計(jì)

0 引言帶隙基準(zhǔn)是所有基準(zhǔn)電壓中最受歡迎的一種，由于其具有與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無(wú)關(guān)的突出優(yōu)點(diǎn)，所以被廣泛地應(yīng)用于高精度的比較器、A/D或D/A轉(zhuǎn)換器、LDO穩(wěn)壓器以及其他許多模擬集成電路中。帶隙基準(zhǔn)的主要作用是在集成電路中提供穩(wěn)定的參考電壓或參考電流，這就要求基準(zhǔn)對(duì)電源電壓的變化和溫度的變化不敏感。本文結(jié)合工程實(shí)際的要求設(shè)計(jì)了一款具有低噪聲、高精度且可快速啟動(dòng)的CMOS帶隙基準(zhǔn)源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝模型庫(kù)進(jìn)行仿真，HSPICE
關(guān)鍵字：軟啟動(dòng) CMOS 帶隙基準(zhǔn) 電源模擬IC 電源

一種帶有軟啟動(dòng)的精密CMOS帶隙基準(zhǔn)設(shè)計(jì)

　　引言　　帶隙基準(zhǔn)是所有基準(zhǔn)電壓中最受歡迎的一種，由于其具有與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無(wú)關(guān)的突出優(yōu)點(diǎn)，所以被廣泛地應(yīng)用于高精度的比較器、A/D或D/A轉(zhuǎn)換器、LDO穩(wěn)壓器以及其他許多模擬集成電路中。帶隙基準(zhǔn)的主要作用是在集成電路中提供穩(wěn)定的參考電壓或參考電流，這就要求基準(zhǔn)對(duì)電源電壓的變化和溫度的變化不敏感。　　本文結(jié)合工程實(shí)際的要求設(shè)計(jì)了一款具有低噪聲、高精度且可快速啟動(dòng)的CMOS帶隙基準(zhǔn)源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝模型庫(kù)進(jìn)行仿真，HSPICE的仿真結(jié)果表明該基
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) CMOS 帶隙基準(zhǔn) 比較器測(cè)量工具