意法半導體（ST）芯片向先進的45nm CMOS 射頻技術升級

　　意法半導體宣布該公司成功地制造出了第一批采用CMOS 45nm 射頻 (RF)制造技術的功能芯片。這項先端技術對于下一代無線局域網(WLAN)應用產品至關重要。

　　這些系統級芯片(SoC)是在ST的法國Crolles 300mm 晶圓生產線制造的，原型產品集成了從初級RF信號檢測到下一步信號處理需要的數字數據輸出的全部功能鏈。這些原型芯片具有最先進的性能和最高的密度(低噪放大器、混頻器、模數轉換器和濾波器都工作在1.1V下，整個電路僅占用0.45mm2)。

　　ST的半導體成就歸功于公司開發CMOS RF衍生技術的研發戰略，進一步加強了公司采用45nm和32nm技術節點制造單片移動解決方案的能力。這項成績還歸功于ST的先進的 45nm CMOS RF衍生技術與世界領先的RF設計、仿真和特征分析的雙重能力。衍生技術是企業在標準CMOS核心技術平臺基礎上自主開發的能夠為特定應用領域帶來附加值的改進技術。ST的模擬/射頻衍生技術允許電阻、電容和電感等無源器件與高性能、高密度的數字邏輯功能單元集成到一起。

　　“第一批原型芯片的測試結果充分證明，我們的45nm 射頻衍生技術能夠讓下一代無線局域網連接解決方案實現產業化和商業化，”意法半導體分管先進研發活動中的高性能邏輯及衍生技術的前工序技術及制造部副總裁Mike Thompson表示，“這項45nm 射頻制造工藝表明，通過整合企業專有的制造工序，使成品芯片能夠具有多種應用功能，如集成化的射頻/模擬功能或各類嵌入式存儲器功能，ST能夠給核心CMOS平臺帶來附加值。”