- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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微型接近傳感器 MEMS 微型傳感器 傳感器
- 技術背景 在pmp個人媒體播放器等便攜式應用中，tft液晶顯示器已成為主流配置。雖然tft液晶顯示器具有圖像清晰、對比度高等優點，但其耗電占了pmp系統耗電的70%以上。隨著分辨率不斷提高，屏幕加大，顯示器的功耗也同步增長。由于液晶顯示器的光源利用率不足10%，降低亮度并不能有效地節省電力，迫不得已的辦法是盡可能減少顯示屏的工作時間，或者是采用盡可能小的顯示屏，結果使觀賞舒適性降低，導致pmp的實用價值大打折扣。
理想的適合于便攜用途的顯示技術應在電池供電環境下有盡可能長的工作時間、盡可能小的體積、盡可
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MEMS
- 本文將對超低功耗電路設計原則進行分析，并就怎樣設計成超低功耗的產品作一些論述，從而證明了這種電路在電路結 ...
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CMOS TTL 單片機
- 意法半導體(ST)為在意大利新建的最先進的200mm MEMS生產線舉行落成典禮 意法半導體為在意大利米蘭近郊的Agrate工廠新建的一條200mm (8英寸) MEMS半導體晶片生產線舉行落成典禮。ST是世界第一個采用200mm晶片制造微機電系統產品的主要MEMS廠商，新的生產線將會降低產品的單位成本，同時還會加快現有應用的普及，以及新MEMS市場的開發。 在計算機、消費電子、汽車電子和工業應用領域中，能夠測量或監測物體的運動和傾斜有助于
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200mm MEMS ST 單片機 落成 嵌入式系統 生產線 意大利 意法半導體
- 引言
隨著移動通信技術的發展，射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標準CMOS工藝實現壓控振蕩器(VCO)，是實現RF CMOS集成收發機的關鍵。過去的VCO電路大多采用反向偏壓的變容二極管作為壓控器件，然而在用實際工藝實現電路時，會發現變容二極管的品質因數通常都很小，這將影響到電路的性能。于是，人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實現的器件來代替一般的變容二極管，MOS變容管便應運而生了。
MOS變容管
將MOS晶體管的漏，源和襯底短接便可成為一個簡單的MOS電容，其電容值隨柵極與襯底之間
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CMOS RF專題 電源技術 模擬技術 射頻 振蕩器
- 集成多路模擬開關（以下簡稱多路開關）是自動數據采集、程控增益放大等重要技術領域的常用器件，其實際使用性能的優劣對系統的嚴謹和可靠性重要影響。 關于多路開關的應用技術，些文獻上介紹有兩點不足：一是對器件自身介紹較多，而對器件與相關電路的合理搭配與協調介紹較少；二是原則性的東西介紹較多，而操作性的東西介紹較少。研究表明：只有正確選擇多路開關的種類，注意多路開關與相關電路的合理搭配與協調，保證各電路單元有合適的工作狀態，才能充分發揮多路開關的性能，甚至彌補某性能指標的欠缺，收到預期的效果。本文從應用
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CMOS 電源技術 放大器 模擬技術 模擬開關
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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TPMS MEMS ASIC MCU
- 手機的發展要求在以低插入損耗進行多頻帶和多模頻帶切換的同時仍保持優良的線性特性，這推動了RF MEMS開關的應用和發展。隨著新的復雜波形如WiMAX添加到混合信號上，多頻帶的切換問題變得更加突出。目前在全球大規模興建的3G網絡可提供包括數據和點播視頻在內的多種業務，網絡的發展對手機設計師提出了新的挑戰。無線技術的發展已經使得手機可以使用7種不同的無線標準(頻帶)，包括DCS、PCS、GSM、EGSM、CDMA、WCDMA、GPS 和 Wi-Fi(見表1)。每種標準自身均具有獨特的特性和限制，并因此產生了自
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0609_A MEMS RF RF專題 消費電子 雜志_專題 消費電子
- ——全新高性能ADF7021可滿足AMR、無線家庭自動化和多種無線連接應用要求， 提供比同類產品提高7dB靈敏度，最低發射器功耗電流和最少外部元件。 美國模擬器件公司在馬薩諸塞州諾伍德市（Norwood, Mass.）發布推出ADF7021窄帶收發器集成電路（IC）擴展了其業界領先的射頻（RF）IC產品種類。ADF7021適合于工作在80 MHz～650 MHz和862 MHz～940 MHz多個頻帶。ADF7021完全符合歐洲ETSI-300
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ADI CMOS IC 單片機 電源技術 工業控制 接收器 靈敏度 模擬技術 嵌入式系統 收發器 亞吉赫茲窄帶 工業控制
- 本文將描述設計人員和制造商如何能夠利用基于CMOS(互補金屬氧化物半導體)MEMS(微機電系統)技術的下一代麥克風來克服ECM的眾多相關問題。
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音頻 設計 簡化 麥克風 MEMS 技術 基于
- 本文分析了影響對稱式射頻收/發開關性能的因素，包括柵寬、導通電阻、襯底電阻、柵極電阻等。采用TSMC 0.35m CMOS工藝進行設計和實現。
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設計 開關 對稱 CMOS 集成
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