在去年的Freescale全國大學生智能車大賽中，賽道信息檢測方案總體上有兩大類：光電傳感器方案和攝像頭方案。前者電路設計簡單、信息檢測頻率高，但檢測范圍、精度有限且能耗較大;后者獲取的賽道信息豐富，但電路設計和軟件處理較復雜，且信息更新速度較慢。在比較了兩種方案的特點并實際測試后，我們選擇了攝像頭方案。本文將在獲得攝像頭采集數據的前提下，討論如何對數據進行處理和控制策略的實現。
數據采集
我們選擇了一款1/3?OmniVision?CMOS攝像頭，用LM1881進行信號分離，結合AD采樣
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飛思卡爾 智能車 傳感技術 CMOS 攝像頭
Thomson Reuters12日報導，法院相關文件顯示，南韓CMOS影像傳感器廠商MagnaChipSemiconductor Ltd.以及旗下5家子公司已于美國德拉瓦(Delaware)州地方法院依據破產法第11章聲請破產保護。根據報導，MagnaChip列出的資產總額達5,000萬美元，負債則超過10億美元。
2004年10月自Hynix獨立出來的MagnaChip總部設于南韓首爾。Magnachip為模擬及先進混合信號制程的專業半導體代工廠商，且為力旺于韓國首位取得合作的半導體代工策略
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Magnachip CMOS 傳感器 液晶顯示器驅動芯片 微控制器
NEC電子公司(NEC Electronics Corp.)和東芝公司(Toshiba Corp.)同意擴展與IBM Corp.的研發協議，允許聯合開發使用于消費者產品的28 納米半導體技術。
這三家公司18日表示，兩家日本公司將與IBM一起開發28納米互補型金屬氧化物半導體 (CMOS)技術。在IBM紐約州East Fishkill的工廠，該團隊還將包括Infineon Technologies和三星電子公司(Samsung Electronics Co.)。
東芝公司2007年12月加
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NEC CMOS 28納米 半導體
霍爾傳感器是一種基于霍爾效應的器件，它能實現磁電轉換，可用于檢測磁場及其變化。
霍爾效應雖然在1879年才被發現，但是直到20世紀50年代才出現了對其的應用，然而器件成本很高。1965年，人們開始將霍爾傳感器集成進硅芯片中，從而促進了霍爾器件的應用。
經歷三大發展階段
霍爾器件的發展大致可分為三個階段：
第一階段是從霍爾效應被發現到20世紀40年代前期。最初由于金屬材料中的電子濃度很大,霍爾效應十分微弱而沒有引起人們的重視。到了1910年，有人用金屬鉍制成霍爾元件作為磁場傳感器
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霍爾傳感器 CMOS A/D轉換器 總線接口
NXP公司，前身為飛利浦公司的芯片部門，正在研究專有的相變存儲器(PCM)，該公司的首席技術官Rene Penning de Vries表示該技術將十分“有希望”。
他表示，“我們已經看到了很好性能。下一個問題是是否繼續生產。”他還補充道，這一決議還未作出。PCM的關鍵優勢在于可以在斷電時也能保存數據，作為當前環保節能戰略的積極響應，因此前景十分看好。預計PCM的性能要好于閃存，并且其幾何尺寸也要比閃存小。
Penning de Vries在
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NXP CMOS PCM 嵌入式存儲技術
2008年，在國際金融危機的影響下，中國網絡與通信類電子整機、計算機類電子整機、消費類電子整機產量以及汽車電子增速明顯下降，這也直接導致MEMS加速度計、MEMS壓力計、DMD(數字微鏡元件)、噴墨打印頭、硅麥克風等產品需求量快速下滑。2008年，中國MEMS市場規模達110.6億元，同比增長21.9%，較2007年，市場增速下降接近20個百分點。
MEMS市場前景樂觀
2008年，中國MEMS市場增速大幅回落。然而，作為半導體領域最為前沿的產品領域之一，未來，MEMS新型顯示器、MEMS
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汽車電子 MEMS CMOS
S-1137系列是使用CMOS技術開發的低壓差、高精度輸出電壓、備有軟啟動功能、輸出電流為300 mA的正電壓型電壓穩壓器。 可使用1.0 µF的小型陶瓷電容器，也可以在低消耗電流(消耗電流為45 µA典型值)的條件下工作。 為了使負載電流不超過輸出晶體管的電流容量，內置了過載電流保護電路。 此外，還能通過電源開/關控制電路來延長電池的使用壽命。 和以往采用CMOS工藝的電壓穩壓器相比，可使用的電容器種類較多，還可以使用小型的陶瓷電容器。 因能采用小型的SOT-89-5, SO
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精工 CMOS 穩壓器
全球領先的半導體公司和全球 CMOS 影像技術領導商意法半導體 (STMicroelectronics)(STM) 和世界領先的工程基板供應商 Soitec今天公布了兩家公司之間一項獨家合作，以便於為消費電子產品的新一代圖像感測器開發 300mm 晶圓級背面照度 (BSI) 技術。
當今最先進的圖像感測器的解析度正不斷提高，而特別是在消費市場，總體減少相機模組占用空間的需求很高。這意味著必須開發更小的單個圖元尺寸，同時保持圖元靈敏度以便產生高品質的圖像。在開發新一代圖像感測器時，背面照度是一項能
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ST CMOS 圖像感測器
初創公司Cswitch推出一種瞄準網絡、無線基站和電信基礎設施應用等信息包處理的新穎的可配置邏輯芯片。該器件由異質陣列組成，這一陣列將一排排通用邏輯單元（與傳統FPGA中的非常類似）跟一排排可配置SRAM的RAM和CAM（內容地址存儲器）模塊、ALU（算術邏輯單元）和專門用于信息包處理的模塊散布在一起。Cswitch公司總裁兼首席執行官Doug Laird表示，其目的是滿足日益增長的如下應用：這類應用必須以線速處理打包數據，而且要使用比傳統FP
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FPGA 信息包處理 Cswitch CMOS
電子設計自動化領導廠商思源科技與聯華電子17日共同宣布，即日起將提供已通過晶圓專工驗證的LakerTM制程設計套件(PDK)予聯華電子65奈米制程技術使用。這項由雙方共同合作發展的PDK，是為了滿足雙方共同客戶在特殊設計與尖端制程上的需求。雙方后續的合作將專注在提供一系列的Laker-UMC PDK上，使得設計團隊能將不同產品以最快的時程上市。
Laker-UMC PDK采用思源科技的Laker客制IC設計軟件，能支持聯華電子的65奈米CMOS(互補金氧半導體制程)標準邏輯制程及混合模式技術與低
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springsoft CMOS 芯片設計
OmniVision Technologies, Inc.是開發先進的數位影像解決方案的領導者，日前所展示的最新 AutoVision 影像解決方案能夠解決汽車業的需求，為駕駛人支援應用裝置(如倒車攝影機及盲點偵測系統)提供更生動鮮明的影像。僅 1/4 英吋的超薄型 OV7960 和 OV7962 能提供杰出的微光效能 (<0.01/lux)，為全世界最小的 AutoVision CSP (aCSPTM) 封裝，體積比競爭的 CMOS 裝置可小至 50%。
「我們最新的 AutoVis
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OmniVision 封裝 CMOS
一個由歐、美兩地研究人員所組成的團隊，讓達到100Gbps的硅芯片上傳輸速度成為可能;該技術將特別有益于電信產業，并為全球不斷增加的網絡信息流量獲得緩解之道。
該研究團隊成員分別來自瑞士ETH大學、比利時研究機構IMEC、美國Lehigh大學，以及德國Karlsruhe大學;他們成功制造出一種具備高度非線性特征、超高速的光波導(opticalwaveguide)架構。
由于在這類組件中，光子信號不必再轉換成電子信號，因此被視為是達成全光學信號傳輸的關鍵組件。為了達成這個目標，研究人員采用S
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硅芯片 CMOS
美國密歇根大學科學家開發出一種由納米級憶阻器構成的芯片，該芯片能存儲1千比特的信息。發表在《納米快報》(Nano Letters)上的此項研究成果將有可能改變半導體產業，使成功研制出更小、更快、更低廉的芯片或電腦成為可能。
憶阻器是一種電腦元件，可在一簡單封裝中提供內存與邏輯功能。此前，由于可靠性和重復性問題，所展示的都是只有少數憶阻器的電路，而研究人員此次展示的則是基于硅憶阻系統并能與CMOS兼容的超高密度內存陣列。CMOS指互補金屬氧化物半導體，是一種大規模應用于集成電路芯片制造的原料。
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CMOS 芯片 憶阻器
設計了一款3．7 GHz寬帶CMOS電感電容壓控振蕩器。采用了電容開關的技術以補償工藝、溫度和電源電壓的變化，并對片上電感和射頻開關進行優化設計以得到最大的Q值。電路采用和艦0．18 μm CMOS混合信號制造工藝，芯片面積為0．4 mm×1 mm。測試結果顯示，芯片的工作頻率為3．4~4 GHz，根據輸出頻譜得到的相位噪聲為一100 dBc／Hz@1 MHz，在1．8V工作電壓下的功耗為10 mW。測試結果表明，該VCO有較大的工作頻率范圍和較低的相位噪聲性能，可以用于鎖相環和頻率合成器。
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CMOS GHz VCO LC
IBM與法國原子能署下屬的電子資訊科技實驗室(CEA/LETI)近日宣布將合作研究開發半導體與納米電子相關技術。雙方將就22nm制程工藝有關的高級材料，設備及制造工藝方面進行合作，合約期為5年。
研究工作將在IBM公司在東Fishkill的300mm工廠，Nanotech/意法半導體公司在法國Crolles的工廠以及CEA/LETI位于Grenoble的300mm設施中展開。而來自CEA/LETI的一支研究團隊則將在Albany Nanotech公司開展這項研究工作。CEA/LETI將不會加入I
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IBM CMOS 22nm
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