CMOS問世比TTL較晚，但發展較快，大有后來者居上、趕超并取代之勢。
1.組成結構
CMOS電路是互補型金屬氧化物半導體電路的英文字頭縮寫。它由絕緣場效應晶體管組成。由于只有一種載流子，因而是一種單極型晶體管集成電路。其基本結構是一個N溝道MOS管和一個P溝道MOS管，如圖1所示。由于兩管柵極工作電壓極性相反，故將兩管柵極相連作為輸入端，兩個漏極相連作為輸出端，如圖1(a)所示，則兩管正好互為負載，處于互補工作狀態。
圖1 CMOS電路基本結構示意圖
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CMOS 邏輯門電路 邏輯電路
賽普拉斯宣布其OSCAR定制CMOS圖像傳感器被整合至ARRI公司的ARRIFLEX D-20數字電影攝像機和ARRISCAN膠片掃描儀之中。這款600萬像素的傳感器與Super 35毫米膠片光圈的尺寸相同，這使得D-20攝像機在拍攝高清(HD)圖像時，能使用與35毫米膠片攝像機相同的定焦、變焦和特制鏡頭。最終的數字圖像與35毫米膠片的景深相同，同時允許電影制作人能將觀眾的注意力引導至畫面的特定部分，這種功能是一種極具創意價值的講述故事的手段。
OSCAR CMOS圖像傳感器賦予D-20攝像機以
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賽普拉斯 圖像傳感器 CMOS 音視頻技術
定制圖像器材成為ARRI公司ARRIFLEX D-20數字電影攝像機和ARRISCAN膠片掃描儀的核心 2007年12月26日，北京訊，—賽普拉斯半導體公司（紐交所代碼CY）于近日宣布其OSCAR定制CMOS圖像傳感器被整合至ARRI公司的ARRIFLEX D-20數字電影攝像機和ARRISCAN膠片掃描儀之中。這款600萬像素的傳感器與Super 35毫米膠片光圈的尺寸相同，這使得D-20攝像機在拍攝高清（HD）圖像時，能使用與35毫米膠片攝像機相同的定焦、變焦和特制鏡頭。
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賽普拉斯 CMOS 圖像傳感器 視頻 傳感器
近年來，軟件無線電(Software Radio)的技術受到廣泛的關注。理想的軟件無線電臺要求對天線接收的模擬信號經過放大后直接采樣，但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過高，技術上所限難以實現，而多采用中頻采樣的方法。而對于百兆赫茲的射頻段，可以直接射頻帶通采樣，這就要求采樣系統有高的分辨率，而且其Nyquist頻率要求比較高。本文設計的用于軟件無線電臺12 b A/D轉換器中的高精度，高速運算放大器，采用了增益提高電路，在不影響頻率響應的同時，得到普通運放所達不到的高增益。
1 高精度，高速度
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模擬技術 電源技術 軟件無線電 CMOS 放大器 放大器
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 擴大了 RS422/RS485 收發器產品系列，推出為高溫應用設計的“H 級”器件。LTC285xH 系列器件具有 -40oC 至 125oC 的擴展工作溫度范圍以及這些應用傳統上所需的屬性。這些新溫度級器件拓寬了凌力爾特公司業界標準低功率 CMOS 收發器產品線，有助于在汽車應用中常見的嚴酷環境條件下確保可靠數據傳輸。
凌力爾特公司的 LTC285xH 系列收發器有多種選擇。精選版本具有轉換率限制，同時其它版本具有接
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模擬技術 電源技術 凌力爾特 RS422 CMOS
意法半導體宣布該公司成功地制造出了第一批采用CMOS 45nm 射頻 (RF)制造技術的功能芯片。這項先端技術對于下一代無線局域網(WLAN)應用產品至關重要。
這些系統級芯片(SoC)是在ST的法國Crolles 300mm 晶圓生產線制造的，原型產品集成了從初級RF信號檢測到下一步信號處理需要的數字數據輸出的全部功能鏈。這些原型芯片具有最先進的性能和最高的密度(低噪放大器、混頻器、模數轉換器和濾波器都工作在1.1V下，整個電路僅占用0.45mm2)。
ST的半導體成就歸功于公司開發CM
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嵌入式系統 單片機 意法半導體 45nm CMOS EDA IC設計
2007年12月10日，意法半導體宣布成功地推出第一批采用CMOS45nm射頻制造技術的功能芯片。
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ST CMOS 45nm 射頻
討論了集成電路設計中多晶硅條電阻、MOS管電阻和電容電阻等3種電阻器的實現方法，論述了他們各自的優點、缺點及其不同的作用
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CMOS 集成電路設計 電阻 設計方法
本文設計了一個基于數字CMOS工藝的以有源電感為負載的寬帶低噪聲放大器，其中包括了級聯型有源電感的優化設計。
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CMOS LNA 有源電感 負載
1 引 言
利用高速線掃描攝像機進行監控，具有在線監控、高精度和高速度的特點[1，2]，一般常見的線掃描攝像機，感光器上的每個像素在進行動態掃描時，每次僅對移動中的物體做一次曝光，而時間延遲積分(TDI)電路具備較多且有效的積分時間，從而增強信號的輸出強度。目前，TDI技術的研究多局限于CCD工藝。CCD器件是實現TDI的理想器件，它能夠實現無噪聲的電荷累加[3～5]，但傳統CCD圖像傳感器技術存在驅動電路和信號處理電路難與CCD成像陣列單片集成，需要較高的工作電壓，不能與深亞微米超大規模集成電
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模擬技術 電源技術 TDI CMOS 圖像傳感器 傳感器 執行器
0 引 言 帶隙基準是所有基準電壓中最受歡迎的一種，由于其具有與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無關的突出優點，所以被廣泛地應用于高精度的比較器、A/D或D/A轉換器、LDO穩壓器以及其他許多模擬集成電路中。帶隙基準的主要作用是在集成電路中提供穩定的參考電壓或參考電流，這就要求基準對電源電壓的變化和溫度的變化不敏感。 本文結合工程實際的要求設計了一款具有低噪聲、高精度且可快速啟動的CMOS帶隙基準源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M標準CMOS工藝模型庫進行仿真，HSPICE
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軟啟動 CMOS 帶隙基準 電源 模擬IC 電源
引 言
帶隙基準是所有基準電壓中最受歡迎的一種，由于其具有與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無關的突出優點，所以被廣泛地應用于高精度的比較器、A/D或D/A轉換器、LDO穩壓器以及其他許多模擬集成電路中。帶隙基準的主要作用是在集成電路中提供穩定的參考電壓或參考電流，這就要求基準對電源電壓的變化和溫度的變化不敏感。
本文結合工程實際的要求設計了一款具有低噪聲、高精度且可快速啟動的CMOS帶隙基準源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M標準CMOS工藝模型庫進行仿真，HSPICE的仿真結果表明該基
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嵌入式系統 單片機 CMOS 帶隙基準 比較器 測量工具
奧地利微電子的全方位服務晶圓代工廠業務部推出一份更加全面的 2008 年度時間表，擴展了其具有成本效益的、快速的專用集成電路(ASIC)原型服務，即所謂以多項目晶圓 (MPW) 或往復運行(shuttle run)。該服務將來自不同用戶的若干設計結合在一個晶圓上，有助于眾多不同的參與者分攤晶圓和掩膜成本。
RF多項目晶圓服務
奧地利微電子的 MPW 服務包括基于 TSMC(臺積電)0.35µm CMOS 工藝的全程0.35µm尺寸工藝。兼容 SiGe BiCMOS
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消費電子 奧地利微電子 CMOS FLASH MCU和嵌入式微處理器
益登科技所代理的系統單芯片聲學系統領先開發商Akustica日前宣布，其數字傳聲器產品銷售量已突破兩百萬大關，這是該公司繼三個月前突破百萬銷售量后的另一重要里程碑。Akustica自從推出首款和獲獎的AKU2000數字傳聲器后，在短短的15個月內就將銷售量增至百萬以上。今天，移動個人計算機對高質量語音輸入的強勁需求促使Akustica再度推出3款數字傳聲器，同時快速提升產能以滿足客戶要求。 A
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消費電子 Akustica CMOS MEMS 數字傳聲器 消費電子
市場調研公司In-Stat根據最近的調查結果指出，CMOS圖像傳感器繼續主宰市場，CCD仍居于下風。這與IC Insights的看法相悖。In-Stat表示，盡管在數碼相機市場出現強勁增長，但手機仍然是圖像傳感器的主要市場。據In-Stat，相機手機占全部圖像傳感器出貨量的75%以上。 In-Stat表示，對相機手機的這種旺盛需求，也導致CMOS傳感器的單位出貨量超過CCD傳感器。據In-Stat
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模擬技術 電源技術 圖像傳感器 CMOS 模擬IC 電源 傳感器
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