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無線設(shè)備中CMOS頻率源的應(yīng)用趨勢
- 采用CMOS技術(shù)提供頻率參考源比采用傳統(tǒng)頻率發(fā)生方法有更多的優(yōu)點。而最近發(fā)布的CMOS時鐘發(fā)生器主要是針對有線應(yīng)用設(shè)計的，可以在高頻率下工作、尺寸小和易于集成的優(yōu)點使其能夠非常容易地擴展到更加廣泛的無線應(yīng)用中。在有些應(yīng)用中，CMOS振蕩器可以為那些要求嚴(yán)格的產(chǎn)品改善性能；而在另外一些應(yīng)用中，通過它們就能夠設(shè)計出全新的無線產(chǎn)品且避免使用非半導(dǎo)體器件。
- 關(guān)鍵字： 應(yīng)用 趨勢 頻率 CMOS 設(shè)備 無線
低功耗低噪聲CMOS放大器設(shè)計與優(yōu)化
- 分析了兩種傳統(tǒng)的基于共源共柵結(jié)構(gòu)的低噪聲放大器LNA技術(shù)：實現(xiàn)噪聲優(yōu)化和輸入匹配SNIM技術(shù)并在功耗約束下同時實現(xiàn)噪聲優(yōu)化和輸入匹配PCSNIM技術(shù)。針對其固有不足，提出了一種新的低功耗、低噪聲放大器設(shè)計方法。
- 關(guān)鍵字： CMOS 低功耗 低噪聲 放大器設(shè)計
SoC與SiP各有千秋 兩者之爭仍將繼續(xù)
- 對生命周期相對較長的產(chǎn)品來說，SoC將繼續(xù)作為許多產(chǎn)品的核心；而若對產(chǎn)品開發(fā)周期要求高、生命周期短、面積小、靈活性較高，則應(yīng)使用SiP。 現(xiàn)代集成技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越了過去40年中一直以摩爾定律發(fā)展的CMOS(互補金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝。人們正在為低成本無源元件集成和MEMS(微機電系統(tǒng))傳感器、開關(guān)和振蕩器等電器元件開發(fā)新的基于硅晶的技術(shù)。這意味著與集成到傳統(tǒng)CMOS芯片相比，可以把更多的功能放到SiP封裝(系統(tǒng)級封裝)中，這些新技術(shù)并不會替代CMOS芯片，而只是作為補充。 如果
- 關(guān)鍵字： SoC CMOS SiP
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