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華虹NEC 0.162微米CIS工藝成功進入量產(chǎn)
- 世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)日前宣布成功開發(fā)了0.162微米CMOS 圖像傳感器 (CIS162) 工藝技術(shù)，已進入量產(chǎn)階段。 華虹NEC和關(guān)鍵客戶合作共同開發(fā)的CIS162工藝是基于標準0.162微米純邏輯工藝，1.8V的核心器件，3.3V的輸入輸出電路。經(jīng)過精細調(diào)整集成了4個功能晶體管和光電二極管(photo diode) 的像素單元可以提供超低的漏電和高清優(yōu)質(zhì)的圖像。而特別處理的后端布線工藝保證了像素區(qū)高敏感性，可
- 關(guān)鍵字： 華虹NEC 晶圓代工 CMOS 圖像傳感器
基于CMOS圖像傳感器的納型衛(wèi)星遙感系統(tǒng)設(shè)計
- 為滿足納型衛(wèi)星的遙感系統(tǒng)要求, 設(shè)計了一套基于互補型金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS 圖像傳感器的納型衛(wèi)星遙感系統(tǒng), 采用PC 機模擬星上數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的功能, 通過控制器局域網(wǎng)CAN總線實現(xiàn)了對CMOS 相機的控制和圖像傳輸?shù)裙δ堋Ｍㄟ^熱循環(huán)實驗, 得到了該CMOS 相機平均暗輸出和暗不一致性隨溫度的變化曲線, 預(yù)測其適于在10～25 ℃的空間溫度環(huán)境中工作, 并可經(jīng)受- 25～60 ℃的衛(wèi)星艙內(nèi)溫度變化。
- 關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器 納型衛(wèi)星 遙感
2009年全球圖像傳感器市場規(guī)模預(yù)測
- 市場研究機構(gòu)StrategiesUnlimited指出，全球圖像傳感器市場將在09年縮水11%，來到64億美元規(guī)模，不過接下來將逐漸恢復(fù)正常成長。該機構(gòu)預(yù)期，未來數(shù)年該市場的平均年成長率會維持在個位數(shù);到09年為止，其十年來的復(fù)合年成長率高達22%。 圖像傳感器市場在2009年的衰退主要是受到全球經(jīng)濟景氣循環(huán)影響，而這樣的負面影響恐怕會持續(xù)下去，特別是在該市場因為幾乎所有手機都內(nèi)建相機而經(jīng)歷爆炸性成長之后。未來幾年，預(yù)計圖像傳感器的銷售量仍將呈現(xiàn)成長，但短期需求波動、供應(yīng)過剩或吃緊，以及沉重的價
- 關(guān)鍵字： CCD 傳感器 CMOS
基于0.13μm CMOS工藝的快速穩(wěn)定的高增益Telescop
- 近年來，軟件無線電(Software Radio)的技術(shù)受到廣泛的關(guān)注。理想的軟件無線電臺要求對天線接收的模擬信號經(jīng)過放大后直接采樣，但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過高，技術(shù)上所限難以實現(xiàn)，而多采用中頻采樣的方法。而對
- 關(guān)鍵字： Telescopic 0.13 CMOS 工藝
耶魯大學(xué)與SRC公司聯(lián)合開發(fā)下一代內(nèi)存芯片技術(shù)FeDRAM
- SRC公司與耶魯大學(xué)的研究者們周二宣布發(fā)明了一種能顯著提高內(nèi)存芯片性能的新技術(shù)。這項技術(shù)使用鐵電體層來替換傳統(tǒng)內(nèi)存芯片中的電容結(jié)構(gòu)作為基本的存儲 單元，科學(xué)家們將這種內(nèi)存稱為鐵電體內(nèi)存(FeDRAM),這種內(nèi)存芯片的存儲單元將采用與CMOS微晶體管類似的結(jié)構(gòu)，不過其門極采用鐵電體材料而不是傳統(tǒng)的電介質(zhì)材料制作。 這種技術(shù)能使存儲單元的體積更小，信息的保存時間比傳統(tǒng)方式多1000倍左右，刷新的時間間隔可以更大，因此耗電量也更小，還可以像閃存芯片中那樣在一個存儲單元中存儲多位數(shù)據(jù)。此外，有關(guān)的制
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存芯片 CMOS FeDRAM
CMOS圖像傳感器集成A/D轉(zhuǎn)換器技術(shù)的研究
- 片上集成A/D轉(zhuǎn)換器是CMOS圖像傳感器的關(guān)鍵部件，文章分析和比較了三類不同集成方式：芯片級，列級和象素級的原理，性能和特點。最后，展望了CMOS圖像傳感器上集成A/D轉(zhuǎn)換器的未來發(fā)展趨勢。
- 關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器 集成 轉(zhuǎn)換器
國產(chǎn)芯片已達國際主流芯片品質(zhì)
- 今年國內(nèi)拉動內(nèi)需，特別是3G的啟動建設(shè)和FTTH進入實質(zhì)性的發(fā)展階段，使光模塊市場一片紅火，預(yù)計今年我們可實現(xiàn)60%的業(yè)務(wù)增長。 由于對IC行業(yè)來說光通信市場不大，所以光收發(fā)IC芯片的供應(yīng)商并不是很多，在國內(nèi)我們是第一家量產(chǎn)高速收發(fā)芯片的IC公司。 國內(nèi)芯片企業(yè)的優(yōu)勢主要是在成本上，研發(fā)成本、管理成本、銷售成本都比國外企業(yè)要低。對IC來說，基于同樣的工藝，制造成本幾乎是一樣的。要取得制造成本的優(yōu)勢必須發(fā)揮技術(shù)優(yōu)勢，采用相對低成本的工藝，做出同樣的產(chǎn)品性能。我們采用CMOS工藝的收發(fā)IC芯片
- 關(guān)鍵字： 3G CMOS IC設(shè)計 FTTH
ST慶祝Nano2012框架協(xié)議正式啟動
- 意法半導(dǎo)體和法國電子信息技術(shù)實驗室CEA-LETI宣布，法國經(jīng)濟、工業(yè)和就業(yè)部長，以及國家和地區(qū)政府的代表、CEA-LETI和意法半導(dǎo)體的管理層，齊聚法國格勒諾布爾(Grenoble)市的Crolles分公司，共同慶祝Nano2012研發(fā)項目正式啟動。IBM的代表也參加了啟動儀式。IBM公司是意法半導(dǎo)體和CEA-LETI的重要合作伙伴，與雙方簽署了重要的技術(shù)開發(fā)協(xié)議。 Nano2012是由意法半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)的國家/私營戰(zhàn)略研發(fā)項目，聚集研究院和工業(yè)合作伙伴，得到法國國家、地區(qū)和本地政府的財政支持，旨
- 關(guān)鍵字： ST CMOS 32nm 22nm Nano2012
從快生活到優(yōu)生活“新摩爾定律”主導(dǎo)半導(dǎo)體業(yè)創(chuàng)新
- 幾十年來，摩爾定律所闡述的生產(chǎn)力效益定律一直是半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的驅(qū)動力。它催生了數(shù)字處理器、寬帶和大容量存儲器。這些技術(shù)大幅提升了PC、手機等產(chǎn)品的生產(chǎn)力。然而，經(jīng)濟學(xué)正給半導(dǎo)體行業(yè)帶來革命性轉(zhuǎn)變。未來，“新摩爾定律”將發(fā)揮重要作用。 產(chǎn)品研發(fā)從性能驅(qū)動轉(zhuǎn)為經(jīng)濟學(xué)驅(qū)動 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是個相對年輕的產(chǎn)業(yè)。自摩爾定律預(yù)測芯片上晶體管的數(shù)量每18個月翻一番以來，半導(dǎo)體器件制造商一直追求生產(chǎn)力的提升。這一定律確實沒錯。如今消費應(yīng)用的SoC可能集成了幾億個晶體管。然而，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正
- 關(guān)鍵字： NXP 摩爾定律 CMOS 晶體管
MEMS代工產(chǎn)業(yè)呈高度分散與高競爭性
- 法國市場研究機構(gòu)Yole Development針對微機電系統(tǒng)(MEMS)市場發(fā)表最新報告指出，目前全球至少50家公司正在提供MEMS代工服務(wù)，使得該領(lǐng)域變得高度分散與高競爭性，但又是整體MEMS產(chǎn)業(yè)不可缺少的一塊。 Yole表示，大型的開放MEMS代工廠現(xiàn)在都很賺錢，并開始升級到8吋晶圓制程;不過由于MEMS在消費性應(yīng)用領(lǐng)域的高成長性，以及來自其它高潛力應(yīng)用市場的商機，也吸引了許多來自主流半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新進者投入競爭。 Yole并指出，由于這些來自半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新進者，具備能結(jié)合CMOS技術(shù)
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