- 耶魯大學的研究人員和Semiconductor Research Corp (SRC)稱利用鐵電材料制作存儲器來代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術必須每幾個毫秒就刷新一下，而鐵電存儲器可以持續幾分鐘而無需刷新。
耶魯大學和SRC的研究人員制成了一種用于FeDRAM的鐵電晶體管實驗樣品，該FeDRAM保存信息的時間比DRAM長1000倍，而功耗僅為DRAM的1/20，而且尺寸可以縮至ITRS上的最先進節點。
“我們的存儲器的速度至少和DRAM一樣快，但尺寸和閃存一樣小，
- 關鍵字：
存儲器 DRAM 閃存 FeDRAM
- SRC公司與耶魯大學的研究者們周二宣布發明了一種能顯著提高內存芯片性能的新技術。這項技術使用鐵電體層來替換傳統內存芯片中的電容結構作為基本的存儲 單元，科學家們將這種內存稱為鐵電體內存(FeDRAM),這種內存芯片的存儲單元將采用與CMOS微晶體管類似的結構，不過其門極采用鐵電體材料而不是傳統的電介質材料制作。
這種技術能使存儲單元的體積更小，信息的保存時間比傳統方式多1000倍左右，刷新的時間間隔可以更大，因此耗電量也更小，還可以像閃存芯片中那樣在一個存儲單元中存儲多位數據。此外，有關的制
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內存芯片 CMOS FeDRAM
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