- CCD（ChargeCoupledDevice）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOSImageSensor以下簡稱CIS）的主要...
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CMOS 圖像傳感器 CCD 圖像傳感器 CIS
- 威盛電子在1月4日推出VIA VL810 SuperSpeed集群控制器，這是USB3.0技術時代業內首款支持更高傳輸速度的整合單芯片解決方案。
USB3.0(即超速USB)的最大數據傳輸速度可達5Gbps，是現有USB2.0設備傳輸速度的10倍;此外，該技術還能提高外部設備與主機控制器之間的互動功能，包括能耗管理上的重要改進。
VIA VL810由威盛集團全資子公司VIA Labs研發，它實現在一個USB接口上連接多個設備從而擴展了計算機的USB性能。一個輸出接口及四個輸入接口不僅支持高
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威盛 USB3.0 CMOS
- 基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構RAM模塊的一種設計方法,1. 引言
對于需要大的片上存儲器的各種不同的應用，FPGA 需要提供可重構且可串聯的存儲器陣列。通過不同的配置選擇，嵌入式存儲器陣列可以被合并從而達到位寬或字深的擴展并且可以作為單端口，雙端口
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RAM 重構 模塊 設計 方法 FPGA 平臺 0.13 微米 CMOS 工藝
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隨著集成電路技術的廣泛應用及集成度的不斷增加，超大規模集成電路(VLSI)的功耗、芯片內部的溫度不斷提高，溫度保護電路已經成為了眾多芯片設計中必不可少的一部分。本文在CSMC 0．5／μm CMOS工藝下，
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電路 保護 溫度 CMOS 功能
- IBM研究人員開發出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術，面向22nm及以下節點。
在IEDM會議上，IBM Albany研發中心的Kangguo Cheng稱該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長，非常適合于低功耗應用。除了場效應管，IBM的工程師還在極薄SOI襯底上制成了電感、電容等用于制造SOC的器件。
該ETSOI技術包含了幾項工藝創新，包括源漏摻雜外延淀積(無需離子注入)，以及提高的源漏架構。
該技術部分依賴于近期SOI晶圓供應商推出了硅膜厚度為6nm的S
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IBM CMOS 22nm SOC
- 鎖相環在通訊技術中具有重要的地位，在調制、解調、時鐘恢復、頻率合成中都扮演著不可替代的角色。可控振蕩器是鎖相環的核心部分。最近，鑒于對集成電路低功耗和高集成度的追求，越來越多的研究人員投人到基于CMOS工
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CMOS 高頻 壓控振蕩器
- 東芝公司今天在美國馬里蘭州巴爾的摩市舉行的IEDM半導體技術會議上宣布，其20nm級CMOS工藝技術獲得了重大突破，開啟了使用體硅CMOS工藝制造下一代超大規模集成電路設備的大門，成為業界首個能夠投入實際生產的20nm級CMOS工藝。東芝表示，他們通過對晶體管溝道的摻雜材料進行改善，實現了這次突破。
在傳統工藝中，由于電子活動性降低，通常認為體硅(Bulk)CMOS在20nm級制程下已經很難實現。但東芝在溝道構造中使用了三層材料，解決了這一問題，成功實現了20nm級的體硅CMOS。這三層材料
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東芝 CMOS 20nm
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電源管理技術近幾年已大量應用于便攜式和手提電源中。電源管理系統包括線性穩壓器、開關穩壓器和控制邏輯等子系統。本文主要針對低壓差線性穩壓器進行研究。低壓差線性穩壓器是電源管理系統中的一個基
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穩壓器 設計 線性 CMOS 集成 高性能
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運算放大器是數據采樣電路中的關鍵部分，如流水線模數轉換器等。在此類設計中，速度和精度是兩個重要因素，而這兩方面的因素都是由運放的各種性能來決定的。
本文設計的帶共模反饋的兩級高增益運
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CMOS 工藝 放大器 全差分
- 創新與變革是集成電路產業發展的主旋律。集成電路產業發展到今天，不斷表現出新的趨勢和特征：一方面繼續專注于CMOS技術，沿著摩爾定律前進(moreMoore’s);另一方面，產品多功能化(morethanMoore’s)趨勢日益明顯。國際半導體技術路線圖(ITRS)是被業界廣泛認同的對未來15年內半導體研發需求的最佳預測。在國際金融危機沖擊半導體產業、半導體技術變化更加迅速、產業競爭更加激烈的狀況下，ITRS會對半導體產業的未來做出怎樣的指導和預測?在日前舉辦的ICCHINA20
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摩爾定律 CMOS 半導體
- 賽普拉斯半導體公司日前宣布，其專為航天應用而開發的三款重量級CMOS圖像傳感器由歐洲航天局(EAS)的Proba-2衛星搭載于十一月二日成功發射升空。賽普拉斯的新型HAS2圖像傳感器專為高精度行星跟蹤而設計，被意大利的SELEX Galileo公司設計的新型行星跟蹤器所選用。HAS2圖像傳感器還被用于一個超紫外望遠鏡科學設備，以便觀測日冕。此外，賽普拉斯的STAR-250圖像傳感器還被荷蘭TNO公司用于其新型數字太陽傳感器。HAS2 和 STAR-250器件均由位于比利時的賽普拉斯圖像傳感器事業部為E
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Cypress CMOS 圖像傳感器
- 提出一種基于電荷泵的CMOS圖像傳感器。使用一個基本的電荷泵電路提高重置脈沖信號的幅值至5．8 V，使像素單元中的充電節點電壓在充電周期可以達到電源電壓；同時調整像素單元中的源極跟隨器的參數，降低充電節點電壓在積分周期的擺動范圍下界，充電節點電壓的擺幅提高了53．8％，傳感器的動態范圍提高了3．74 dB。這種方案也減小了充電時間常數，使充電周期減小到10 ns，有效地提高了傳感器的圖像采集幀率。
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CMOS 電荷泵 圖像傳感器
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