ST慶祝Nano2012框架協議正式啟動

　　意法半導體和法國電子信息技術實驗室CEA-LETI宣布，法國經濟、工業和就業部長，以及國家和地區政府的代表、CEA-LETI和意法半導體的管理層，齊聚法國格勒諾布爾(Grenoble)市的Crolles分公司，共同慶祝Nano2012研發項目正式啟動。IBM的代表也參加了啟動儀式。IBM公司是意法半導體和CEA-LETI的重要合作伙伴，與雙方簽署了重要的技術開發協議。

　　Nano2012是由意法半導體領導的國家/私營戰略研發項目，聚集研究院和工業合作伙伴，得到法國國家、地區和本地政府的財政支持，旨在于創建世界最先進的研發集群，開發新一代納電子級別的半導體技術，用于制造結構尺寸大約為幾十納米(1納米等于十億分之一米)的芯片。

　　通過為歐洲企業提供從32nm一直到22nm的最先進的具有競爭力的CMOS技術，Nano2012合作項目以及其它的世界領先的合作項目(如CATRENE)將對歐洲電子工業的持續增長做出重大貢獻。Nano2012項目始于2008年1月1日，預定到2012年12月31日告一段落，法國政府機構為這個五年期項目提供部分資金。這個項目還有其它的參與者，包括INRIA(法國國家計算機科學與控制研究院)、CNRS(國家科研中心)、大學和多家中小企業。

　　意法半導體和CEA-LETI有很長的研發合作歷史。1992年，雙方首次合作建立Crolles研發中心。作為領先的研究實驗室，CEA-LETI是學術研究與以市場為導向的意法半導體工業研發之間長期的重要交流橋梁。2007年7月，意法半導體加入以IBM公司在紐約East Fishkill和 Albany的兩個研發中心為核心的半導體合作開發聯盟，這兩個中心開發32到 22nm的低功耗CMOS核心制程。同時IBM加盟意法半導體的Crolles研發中心，開發增值專用CMOS衍生技術。此外，在CMOS技術所需的材料和制程開發方面，CEA-LETI和IBM具有強大的實力和互補性的專業知識，雙方在CEA-LETI的格勒諾布爾(法國)分公司、IBM的 East Fishkill工廠(紐約)、意法半導體的 Crolles分公司(法國)以及Albany NanoTech研究中心(紐約)合作開發 22nm以及22nm以下的先進制程。

　　自Nano2012項目于2008年1月啟動以來，意法半導體和IBM交換Crolles和East Fishkill兩地的研究人員，并在多個項目上與CEA-LETI的研究人員開展合作，包括32nm和28 nm CMOS核心制程和無線通信用45nm RF(射頻)衍生技術，和汽車電子與智能卡用65nm非易失性存儲器衍生技術。這些技術可降低現有通信設備、消費電子、計算機和汽車電子的功耗，延長電池使用時間，提高性能，為終端用戶提供更多功能和實用性。

　　Nano2012項目的工作重點是為低功耗的專用CMOS衍生技術開發技術平臺。一個技術平臺包括把數十億支晶體管集成到一顆芯片內所采用的制程，以及單元庫和利用這個制程高效設計尖端電路的設計方法。利用在Crolles和格勒諾布爾的世界一流的研發團隊，意法半導體及合作伙伴已位居這個領域的世界前列，Nano2012的重要目標之一是擴大歐洲在此一領域的領先地位。

　　增值專用衍生技術是標準CMOS技術的重要差異化技術，使位于Grenoble-Isere的研發集群在這個領域保持領先水平是Nano2012項目的另一重要目標。