- 焊接絕緣柵（或雙柵）場效應管以及CMOS集成塊時，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會感應靜電高壓，導致器件擊穿損壞。筆者通過長期實踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場效應管。
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CMOS 場效應管 集成電路 焊接
- 1.2 PMOS的變容管連接及其壓控特性分析 圖2為PMOS管連接成壓控可變電容的示意圖。具體是將漏、源和襯 ...
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CMOS PMOS
- 半導體行業網站Chipworks于近日對尼康新出品的微單相機V1做了非常詳細而且徹底的拆解，在這次拆解過程中我們也發現了不少秘密，首當其沖的就是主CMOS上發現了Aptina的痕跡。Aptina是美國半導體企業鎂光旗下的感光元件生產廠商，也推出過APS-C規格的16M像素CMOS。這也是首次明確發現尼康與Aptina合作，還是讓我們先來看看圖片吧！
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尼康 V1 CMOS
- 致力于開發可微縮低功耗CMOS技術的公司SuVolta今日在2011年IEDM會議上發布其Deeply Depleted Channel (DDC - 深度耗盡通道)的技術細節。SuVolta的DDC技術是該公司的PowerShrink低功耗CMOS平臺的組成部分。該低功耗技術已向業界證明可以在不影響速度的前提下降低功耗百分之五十。配合先進的電壓降低手段，DDC技術甚至可以降低功耗達百分之八十或更多。
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SuVolta CMOS
- 摘要 分析了以動態閾值NMOS晶體管作為輸入信號的輸入晶體管，利用4個動態閾值NMOS和2個有源電阻設計和實現的一種1．2 V低功耗CMOS模擬乘法器電路。該電路具有節省輸入晶體管數目、偏置晶體管和偏置電路，以及性能指標
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模擬 法器 CMOS 2V 動態 NMOS 基于
- 利用共源共柵電感可以提高共源共柵結構功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzW ...
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共源 共柵 CMOS 功率放大器
- CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區別是由感光單元及讀出電路結構不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實現光電轉換后，以電荷的方
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傳感器 圖像 CCD CMOS
- 半導體行業從一開始就以“更小、更快、更便宜、更好”為宗旨。當前的掌上電腦(PocketPC)比占地整整一幢樓...
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CMOS TTL 電源供電
- 摘要：針對CMOS集成電路的故障檢測，提出了一種簡單的IDDQ靜態電流測試方法，并對測試電路進行了設計。所設計的IDDQ電流測試電路對CMOS被測電路進行檢測，通過觀察測試電路輸出的高低電平可知被測電路是否存在物理缺
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電路設計 測試 IDDQ 電路 CMOS
- 電子技術的電控電路常采用CMOS邏輯控制系統，通過多年的維修實踐，我們自行設計和安裝了簡易集成邏輯門電...
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CMOS 集成電路 測試儀
- 摘要：為了滿足深亞微米級集成電路對低溫漂、低功耗電源電壓的需求，提出了一種在0．25mu;m N阱CMOS工藝下，采用一階溫度補償技術設計的CMOS帶隙基準電壓源電路。電路核心部分由雙極晶體管構成，實現了VBE和VT的線性
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研究 電壓 基準 CMOS 低溫
- 電容式麥克風的中心議題： 電容式微麥克風原理電容式麥克風的解決方案： 電容式微麥克風原理
CMOS微機電麥克風電路設計
CMOS微機電麥克風工藝分類 純MEMS與CMOS工藝的差異
隨著智能手機
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CMOS 電容式 麥克風 詳解
- 擁有模擬和數字領域的優勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT 公司 (Integrated Device Technology, Inc.) ，推出業界首款擁有突破性 ±50 ppm 頻率精度和超低功耗的 CMOS 振蕩器。新器件代替了傳統的石英晶體振蕩器，在任何要求 ±50 ppm 時間基準的廣泛應用中，節省功耗高達 75%，包括計算、通信和消費市場。
IDT 新的 3LG 系列 CrystalFree CMOS 振蕩器確保 ±50
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IDT CMOS
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款可使用2.7V～16V單電源或±2.7V～±8V雙電源工作的新器件，充實其DG92xx系列CMOS模擬開關和多路復用器。新器件具有工作電壓范圍寬、小封裝尺寸和兼容低電壓邏輯的特點，可用于高速、高精度開關應用。
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Vishay Siliconix CMOS DG9236 DG9251
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