- 電子設計企業Cadence Design Systems, Inc.今天宣布，借助IBM FinFET晶體管技術，已經成功流片了14nm工藝的ARM Cortex-M0處理器試驗芯片。
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Cadence、ARM、IBM三者之間已經達成了多年的合作協議
Cadence、ARM、IBM三者之間已經達成了多年的合作協議，共同開發14nm以及更先進的半導體工藝，14nm芯片和生態系統就是三方合作的一個重要里程碑。
這次的試驗芯片主要是用來對14nm工藝設計IP的
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Cadence 芯片 FinFET
- 引言 模擬電路中廣泛地包含電壓基準(reference voltage)和電流基準(current reference)。在數/模轉換器 ...
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高精度 CMOS 帶隙 基準源
- 全球知名汽車廠商奧迪(Audi)與橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布建立戰略合作關系，共同開發先進半導體解決方案，推進汽車電子技術的創新發展。意法半導體自1987年成立以來始終專注于汽車電子技術的研發和創新。
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意法 奧迪 CMOS
- 摘要：高精度、低噪聲和低功耗的無晶體固態振蕩器技術讓頻率控制器件可以通過常見的 CMOS 技術被移植到最低成本的架構中。盡管其固有的 Q LC tank 較低，但創新的設計達到了與業界標準晶體或MEMS振蕩器相媲美的性能。該白皮書詳細地描述了創新的技術打破石英占領多年市場的局面。
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CMOS 振蕩器 201210
- 隨著芯片特征尺寸的縮小和電路復雜程度的增加，有阻開路和有阻橋接缺陷的數目也在增加。同時，隨著器件密度、復雜性和時鐘速度的增加，邏輯測試技術已不能提供足夠的故障覆蓋率。為了彌補傳統測試方法的不足，基于靜
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電流 電路 傳感器 CMOS 集成電路
- 1引言電流源是模擬、數字集成電路中重要的單元[1][2]。電流源的性能直接影響電路及系統的性能。...
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CMOS 低功耗 電流源
- 引言本文采用plusmn;5V電源，設計出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號與控制電壓成高線性度的電路，并且實現了單端控制和單端輸出。它在鎖相環、自動增益控制、正弦脈寬調制(SPWM)、模擬運算等方面有著很好的
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CMOS 高線性度 調幅 電路技術
- 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布，富士通半導體歐洲(FSEU)已經證明可以通過CEI-28G-VSR接口進行單信道大于100Gbps的數據傳輸，從而將光互聯論壇(OIF)定義的芯片間電接口數據傳輸速率提高到4倍。這項研究成果驗證了在利用為長距離光傳輸系統所開發的CMOS ADC/DAC轉換器技術后，短距離電信號傳輸所能達到的數據速率。
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富士通 CMOS ADC/DAC
- 利用CMOS集成電路具有極高的輸入阻抗這一特點，可以自制一個感應式驗電器。 l、電路原 ...
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CMOS 集成電路 感應 驗電器
- 臺積電在本周二(10月16日)的年度大會中，宣布制訂了20nm平面、16nm FinFET和2.5D發展藍圖。臺積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測試16nm FinFET制程，并可望在未來一年內推出首款測試晶片。
臺積電與其合作伙伴們表示，用于20nm和16nm FinFET的雙重圖形技術對晶片設計人員帶來了極大挑戰。臺積電的發展藍圖大致與競爭對手Globalfoundries 類似，都希望能在明年啟動20nm制程，2014開始14nm FinFET制程。
臺積電的目標提前在
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臺積電 FinFET ARM V8
- 日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構的14nm-XM技術，其全球銷售和市場營銷執行副總裁Michael Noonen近日接受媒體訪問，對有關問題進行了解讀。
XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫，作為業界領先的非平面結構，它真正為移動系統級芯片(SoC)設計做了優化，能提供從晶體管到系統級的全方位產品解決方案。與目前20納米節點的二維平面晶體管相比，該技術可望實現電池功耗效率提升 40%~60%。
Noonen表示：“201
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FinFET 14nm
- 3 仿真分析及具體設計結果 3.1 仿真分析 在亞微米的ESD結構的設計中，一種常見的具體的ESD瞬態檢測 ...
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CMOS VDD VSSESD
- 1 引言 ESD(Electric Static Discharge)保護結構的有效設計是CMOS集成電路可靠性設計的重要任務之一，其E ...
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CMOS VDD VSSESD
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