cmos digital image sensor 文章
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- 根據市場消息來源，由于飛思卡爾產能擴展完成，三軸加速度計(g-sensors)的報價預期在2009年第三季度將比目前的每只一美金下降0.1-0.2美金。
飛思卡爾從2009年一季度開始擴充產能并生產低價的g-sensor。但其他IDM廠商如ADI、ST、Bosch仍對市場需求持謹慎態度，沒有增加產能的計劃。
但是，在飛思卡爾產能擴展完成后，價格競爭不可避免。另外，Bosch在消費電子市場加碼發力，提供靈活的報價。
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飛思卡爾 G-sensor
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電壓比較器是對輸入信號進行鑒幅與比較的電路，其功能是比較一個模擬信號和另一個模擬信號(參考信號)，并以輸出比較得到的二進制信號。其在A／D轉換器、數據傳輸器、切換功率調節器等設備中有著廣泛的應用。在
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CMOS 性能 集成 電壓比較器
- SRC公司與耶魯大學的研究者們周二宣布發明了一種能顯著提高內存芯片性能的新技術。這項技術使用鐵電體層來替換傳統內存芯片中的電容結構作為基本的存儲 單元，科學家們將這種內存稱為鐵電體內存(FeDRAM),這種內存芯片的存儲單元將采用與CMOS微晶體管類似的結構，不過其門極采用鐵電體材料而不是傳統的電介質材料制作。
這種技術能使存儲單元的體積更小，信息的保存時間比傳統方式多1000倍左右，刷新的時間間隔可以更大，因此耗電量也更小，還可以像閃存芯片中那樣在一個存儲單元中存儲多位數據。此外，有關的制
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內存芯片 CMOS FeDRAM
- 片上集成A/D轉換器是CMOS圖像傳感器的關鍵部件，文章分析和比較了三類不同集成方式：芯片級，列級和象素級的原理，性能和特點。最后，展望了CMOS圖像傳感器上集成A/D轉換器的未來發展趨勢。
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CMOS 圖像傳感器 集成 轉換器
- 今年國內拉動內需，特別是3G的啟動建設和FTTH進入實質性的發展階段，使光模塊市場一片紅火，預計今年我們可實現60%的業務增長。
由于對IC行業來說光通信市場不大，所以光收發IC芯片的供應商并不是很多，在國內我們是第一家量產高速收發芯片的IC公司。
國內芯片企業的優勢主要是在成本上，研發成本、管理成本、銷售成本都比國外企業要低。對IC來說，基于同樣的工藝，制造成本幾乎是一樣的。要取得制造成本的優勢必須發揮技術優勢，采用相對低成本的工藝，做出同樣的產品性能。我們采用CMOS工藝的收發IC芯片
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3G CMOS IC設計 FTTH
- 意法半導體和法國電子信息技術實驗室CEA-LETI宣布，法國經濟、工業和就業部長，以及國家和地區政府的代表、CEA-LETI和意法半導體的管理層，齊聚法國格勒諾布爾(Grenoble)市的Crolles分公司，共同慶祝Nano2012研發項目正式啟動。IBM的代表也參加了啟動儀式。IBM公司是意法半導體和CEA-LETI的重要合作伙伴，與雙方簽署了重要的技術開發協議。
Nano2012是由意法半導體領導的國家/私營戰略研發項目，聚集研究院和工業合作伙伴，得到法國國家、地區和本地政府的財政支持，旨
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ST CMOS 32nm 22nm Nano2012
- CMOS影像傳感器(CMOS Image Sensor)大廠豪威科技(OmniVision)與臺積電合作，采用最新背面照度(Backside Illumination，BSI)制程的傳感器新產品，陸續獲得一線智能型手機OEM廠設計案(design win)，預計本季度開始大量出貨。
豪威已開始擴大對臺積電下單，臺積電(2330)也已完成1.1微米間距BSI制程傳感器的功能測試，并計畫在12寸廠以65納米投片。
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臺積電 CMOS 傳感器 65納米
- 幾十年來，摩爾定律所闡述的生產力效益定律一直是半導體行業發展的驅動力。它催生了數字處理器、寬帶和大容量存儲器。這些技術大幅提升了PC、手機等產品的生產力。然而，經濟學正給半導體行業帶來革命性轉變。未來，“新摩爾定律”將發揮重要作用。
產品研發從性能驅動轉為經濟學驅動
半導體產業是個相對年輕的產業。自摩爾定律預測芯片上晶體管的數量每18個月翻一番以來，半導體器件制造商一直追求生產力的提升。這一定律確實沒錯。如今消費應用的SoC可能集成了幾億個晶體管。然而，半導體產業正
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NXP 摩爾定律 CMOS 晶體管
- 法國市場研究機構Yole Development針對微機電系統(MEMS)市場發表最新報告指出，目前全球至少50家公司正在提供MEMS代工服務，使得該領域變得高度分散與高競爭性，但又是整體MEMS產業不可缺少的一塊。
Yole表示，大型的開放MEMS代工廠現在都很賺錢，并開始升級到8吋晶圓制程;不過由于MEMS在消費性應用領域的高成長性，以及來自其它高潛力應用市場的商機，也吸引了許多來自主流半導體產業的新進者投入競爭。
Yole并指出，由于這些來自半導體產業的新進者，具備能結合CMOS技術
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MEMS 晶圓 CMOS
- 韓國三星電子發布了采用45nm低功耗CMOS工藝技術的應用處理器“S5P6440”。其特點是圖形性能高、功耗及成本低等。適用于PND等家電產品。
該處理器配備有英國ARM工作頻率533MHz或667MHz的CPU內核“ARM1176”。CPU內核、芯片上的所有硬件加速器及周邊部件接口均由工作頻率166MHz、64bit總線“AXI”連接。
還配備有支持現行及新一代多值NAND閃存的錯誤訂正用硬件，以及支持移動DDR或D
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三星 45納米 CMOS S5P6440
- 半導體技術極其豐富多彩，身陷其景，會有“不識廬山真面目，只緣身在此山中”的感觸。為此，既要“近賞細微”，又要“臨空瀏覽”，以期從中領悟到一些哲理。
本演講根據半導體技術“由簡入繁”、又“化繁為簡”的螺旋式發展史事，探討主流半導體技術的發展哲理，供大家參考討論。
發展歷程
根據IC Knowledge 的歸納[1]，可以把集成電路(IC)的發展歷程劃分為四個階段：
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集成電路 CMOS EPROM DSP DRAM MPU 200907
- 在金融海嘯中，博通(Broadcom)公司2008年增長了25%，成了半導體行業的明星企業。不過該公司在2009年一季度營收有所下降，博通的解釋是增長率會根據產品或者最終市場和季節性有所差別，并且很大程度上受到了金融危機的影響。不過，博通尤其是WLAN部門的發展經驗可圈可點。
Michael Hurlston Broadcom公司副總裁
兼無線連接集團WLAN事業部總經理
運營成本控制
博通擅長運營成本控制，不同的事業部有不同的特點：一些
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Broadcom WLAN 65納米 CMOS PA Wi-Fi 200907
- 摘要：在數／?；旌霞呻娐吩O計中電壓基準是重要的模塊之一。針對傳統電路產生的基準電壓易受電源電壓和溫度影響的缺點，提出一種新的設計方案，電路中不使用雙極晶體管，利用PMOS和NMOS的閾值電壓產生兩個獨立于電
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CMOS 閾值電壓 基準 電路設計
- 近一兩年來，在蘋果公司iPhone手機的帶動下，智能手機市場迅速擴大。智能手機等便攜產品的一個重要特點是功能越來越多，從而支持更廣泛的消費需求。但智能手機等便攜產品內部用于支持不同功能的集成電路(IC)或模塊的工作電壓往往不同，如基帶處理器和應用處理器電壓一般在1.5 V至1.8 V之間，而現有許多外設工作電壓一般為2.6至3.3 V，如USIM卡、Wi-Fi模塊、調頻(FM)調諧器模塊工作電壓為2.8 V，而相機模塊為2.7 V。
因此，智能手機等便攜產品中的不同IC與外設模塊之間
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安森美 智能手機 電平轉換器 CMOS
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