新聞事件:
飛思卡爾半導體傳感器裝運量突破10億只
行業影響:
飛思卡爾在業內商用汽車傳感器供應商中排名第一
代表了飛思卡爾與客戶的一個重要里程碑
飛思卡爾半導體提供的傳感器技術創新,幫助全球客戶過去三十年在汽車、消費、工業和醫療產品上實現重大變化。飛思卡爾一直在傳感器領域處于領先地位,最近其傳感器裝運量突破10億只,取得重要里程碑。
飛思卡爾提供行業內范圍最廣的傳感器產品系列,在成熟的傳感器市場中擁有強勁的發展趨勢,該市場涵
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飛思卡爾 傳感器 CMOS
繼臺積電上周于技術論壇中廣發MEMS英雄帖后,中芯MEMS部門升格為獨立部門,以展現深耕MEMS市場決心。中芯表示,踏入此市場僅約1年,但預計2009年底前,已有3項商品已可進入大量投產,而市場上每項MEMS產品,中芯至少都有1個客戶,因此對中芯來說,MEMS成長潛力值得期待。
臺積電于上周舉辦技術論壇中對于MEMS市場相當看好,指出進入MEMS市場到現在為止已有7年,當中已累計出多項制程及IP技術,除此之外,臺積電更已可提供標準制程(StandardProcess),讓MEMS客戶可安心至臺積
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中芯國際 MEMS IP CMOS SoC
按Yole Developpement報道,全球MEMS工業正面臨之前從未有過的停滯,2008年的銷售額下降2%,達68億美元,其2009年非常可能增長率小于1%。然而當汽車電子,工業壓力傳感器及打印頭市場隨著全球經濟下滑時,許多新的MEMS應用卻得到切實的增長。
MEMS在消費類電子產品中,如加速度計,陀螺儀的市場繼續看好,推動供應商如STMicron(日內瓦),Invensense(加州桑尼威爾),其銷售額有10-30%增長。隨著MEMS在醫療電子和診斷設備的應用擴大,其市場繼續增大。今年新
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MEMS 傳感器 CMOS 芯片堆疊封裝 TSV 納米印刷
臺積電在MEMS領域歷經7年苦練后,與客戶關系由接受指導,轉變成共同合作開發,臺積電主流技術事業發展處處長劉信生自信表示,臺積電MEMS將迎頭趕上國際IDM廠商腳步,相信2010年臺積電MEMS將進入收成期。
劉信生在出席臺積電技術研討會時指出,臺積電在MEMS上布局已有7年左右,經過幾年努力,相信已可迎頭趕上IDM大廠。臺積電現已能提供多種標準制程模塊(Process Module)供客戶使用,包含蝕刻模塊、掏空模塊等,MEMS客戶至臺積電投產,僅需針對MEMS產品內部架構設計,其余交給臺積電
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臺積電 MEMS CMOS 晶圓代工
不僅擴充先進制程研發、產能,臺積電主流制程技術也將積極搶攻整合組件廠(IDM)的電源管理IC市場,臺積電主流技術事業發展處長劉信生表示,目前臺積電在電源管理IC約150億~160億美元市場市占率約個位數,絕大部分市場由IDM業者把持,不過未來他看好IDM業者產能不足情況下轉單到晶圓代工的可能性,同時也將全力扶持臺灣IC設計客戶搶進此一市場。
劉信生表示,在電源管理市場規模約150億~160億美元中,幾近8~9成是由IDM業者所把持,目前臺積電不論在設計環境與制程平臺上都已做足準備,積極搶攻此市場
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臺積電 電源管理IC IDM CMOS
采用恒流源充放電技術,以比較器為核心,利用一種新型真隨機數發生器產生隨機控制信號,設計一種基于0.5μm CMOS工藝的擴展頻譜振蕩器,振蕩頻率在1~1.6 MHz的范圍內。通過Cadence spectre仿真工具對電路進行仿真驗證,結果表明,該方案能夠在1~1.6 MHz的范圍內產生隨機振蕩信號。該振蕩器可以用于改善DC/DC轉換器的噪聲性能。
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CMOS 隨機數發生器 擴展頻譜 振蕩器
在去年的Freescale全國大學生智能車大賽中,賽道信息檢測方案總體上有兩大類:光電傳感器方案和攝像頭方案。前者電路設計簡單、信息檢測頻率高,但檢測范圍、精度有限且能耗較大;后者獲取的賽道信息豐富,但電路設計和軟件處理較復雜,且信息更新速度較慢。在比較了兩種方案的特點并實際測試后,我們選擇了攝像頭方案。本文將在獲得攝像頭采集數據的前提下,討論如何對數據進行處理和控制策略的實現。
數據采集
我們選擇了一款1/3?OmniVision?CMOS攝像頭,用LM1881進行信號分離,結合AD采樣
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飛思卡爾 智能車 傳感技術 CMOS 攝像頭
Thomson Reuters12日報導,法院相關文件顯示,南韓CMOS影像傳感器廠商MagnaChipSemiconductor Ltd.以及旗下5家子公司已于美國德拉瓦(Delaware)州地方法院依據破產法第11章聲請破產保護。根據報導,MagnaChip列出的資產總額達5,000萬美元,負債則超過10億美元。
2004年10月自Hynix獨立出來的MagnaChip總部設于南韓首爾。Magnachip為模擬及先進混合信號制程的專業半導體代工廠商,且為力旺于韓國首位取得合作的半導體代工策略
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Magnachip CMOS 傳感器 液晶顯示器驅動芯片 微控制器
NEC電子公司(NEC Electronics Corp.)和東芝公司(Toshiba Corp.)同意擴展與IBM Corp.的研發協議,允許聯合開發使用于消費者產品的28 納米半導體技術。
這三家公司18日表示,兩家日本公司將與IBM一起開發28納米互補型金屬氧化物半導體 (CMOS)技術。在IBM紐約州East Fishkill的工廠,該團隊還將包括Infineon Technologies和三星電子公司(Samsung Electronics Co.)。
東芝公司2007年12月加
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NEC CMOS 28納米 半導體
霍爾傳感器是一種基于霍爾效應的器件,它能實現磁電轉換,可用于檢測磁場及其變化。
霍爾效應雖然在1879年才被發現,但是直到20世紀50年代才出現了對其的應用,然而器件成本很高。1965年,人們開始將霍爾傳感器集成進硅芯片中,從而促進了霍爾器件的應用。
經歷三大發展階段
霍爾器件的發展大致可分為三個階段:
第一階段是從霍爾效應被發現到20世紀40年代前期。最初由于金屬材料中的電子濃度很大,霍爾效應十分微弱而沒有引起人們的重視。到了1910年,有人用金屬鉍制成霍爾元件作為磁場傳感器
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霍爾傳感器 CMOS A/D轉換器 總線接口
NXP公司,前身為飛利浦公司的芯片部門,正在研究專有的相變存儲器(PCM),該公司的首席技術官Rene Penning de Vries表示該技術將十分“有希望”。
他表示,“我們已經看到了很好性能。下一個問題是是否繼續生產。”他還補充道,這一決議還未作出。PCM的關鍵優勢在于可以在斷電時也能保存數據,作為當前環保節能戰略的積極響應,因此前景十分看好。預計PCM的性能要好于閃存,并且其幾何尺寸也要比閃存小。
Penning de Vries在
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NXP CMOS PCM 嵌入式存儲技術
2008年,在國際金融危機的影響下,中國網絡與通信類電子整機、計算機類電子整機、消費類電子整機產量以及汽車電子增速明顯下降,這也直接導致MEMS加速度計、MEMS壓力計、DMD(數字微鏡元件)、噴墨打印頭、硅麥克風等產品需求量快速下滑。2008年,中國MEMS市場規模達110.6億元,同比增長21.9%,較2007年,市場增速下降接近20個百分點。
MEMS市場前景樂觀
2008年,中國MEMS市場增速大幅回落。然而,作為半導體領域最為前沿的產品領域之一,未來,MEMS新型顯示器、MEMS
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汽車電子 MEMS CMOS
S-1137系列是使用CMOS技術開發的低壓差、高精度輸出電壓、備有軟啟動功能、輸出電流為300 mA的正電壓型電壓穩壓器。 可使用1.0 µF的小型陶瓷電容器,也可以在低消耗電流(消耗電流為45 µA典型值)的條件下工作。 為了使負載電流不超過輸出晶體管的電流容量,內置了過載電流保護電路。 此外,還能通過電源開/關控制電路來延長電池的使用壽命。 和以往采用CMOS工藝的電壓穩壓器相比,可使用的電容器種類較多,還可以使用小型的陶瓷電容器。 因能采用小型的SOT-89-5, SO
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精工 CMOS 穩壓器
全球領先的半導體公司和全球 CMOS 影像技術領導商意法半導體 (STMicroelectronics)(STM) 和世界領先的工程基板供應商 Soitec今天公布了兩家公司之間一項獨家合作,以便於為消費電子產品的新一代圖像感測器開發 300mm 晶圓級背面照度 (BSI) 技術。
當今最先進的圖像感測器的解析度正不斷提高,而特別是在消費市場,總體減少相機模組占用空間的需求很高。這意味著必須開發更小的單個圖元尺寸,同時保持圖元靈敏度以便產生高品質的圖像。在開發新一代圖像感測器時,背面照度是一項能
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ST CMOS 圖像感測器
初創公司Cswitch推出一種瞄準網絡、無線基站和電信基礎設施應用等信息包處理的新穎的可配置邏輯芯片。該器件由異質陣列組成,這一陣列將一排排通用邏輯單元(與傳統FPGA中的非常類似)跟一排排可配置SRAM的RAM和CAM(內容地址存儲器)模塊、ALU(算術邏輯單元)和專門用于信息包處理的模塊散布在一起。Cswitch公司總裁兼首席執行官Doug Laird表示,其目的是滿足日益增長的如下應用:這類應用必須以線速處理打包數據,而且要使用比傳統FP
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FPGA 信息包處理 Cswitch CMOS
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