全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一項非易失性存儲領域的重大創新。該創新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節點平臺，X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標準的32kByte容量嵌入式閃存IP，并配備額外的4Kbit EEPROM。此外，從2025年起，X-FAB還計劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲空間的EEPRO
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X-FAB BCD-on-SOI 嵌入式數據存儲
新聞概要●? ?Treo平臺基于65納米節點的BCD工藝技術，支持同行業領先的1- 90V寬電壓范圍和高達 175°C 的工作溫度●? ?Treo平臺將幫助客戶簡化設計流程，降低系統成本，并加快在汽車、醫療、工業、AI數據中心等領域解決方案的上市速度●? ?安森美現可提供基于Treo平臺構建的多個產品系列樣品，包括電壓轉換器、超低功耗模擬前端（AFE）、LDO、超聲波傳感器、多相控制器和單對以太網控制器●? ?基于該平臺構建的
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安森美 模擬和混合信號 Treo BCD
晶相光電 JX-K302P 是一款全新四百萬分辨率 CMOS 圖像傳感器，提供了背照式+近紅外線(BSI/NIR)技術。該技術能夠明顯提升近紅外靈敏度，實現優異的圖像質量。通過BSI NIR+技術，安防監控攝像頭可以使用較少的紅外LED燈，并在低光源和近紅外條件下仍能獲得高質量的圖像。搭配不同平臺SOC，可適用于安防監控、車載高清、USB攝影機、打獵相機、紅外夜視儀、運動攝影機和物聯網 AI 相機等領域。?場景應用圖?產品實體圖?展示板照片?方案方塊圖SOI-SOI?核心技術優勢1. SOI JX-K30
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晶像光電 SOI JX-K302P 物聯網感測器
晶相光電 JX-F355P 是一款全新2百萬分辨率 CMOS 圖像傳感器，提供了背照式+近紅外線(BSI/NIR)技術。可搭配不同平臺SOC，適用于安防監控、車載高清、USB攝影機、打獵相機、紅外夜視儀、運動攝影機和物聯網 AI 相機等領域。?場景應用圖SOI-SOI?產品實體圖SOI-SOI?展示板照片SOI-SOISOI-SOI?方案方塊圖SOI-SOI?核心技術優勢1. SOI JX-F355P BSI NIR+ 近紅外線加強 像素技術，可為在低光或無光環境中運行的應用提供新的可能性，同時降低總功耗
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晶像光電 SOI JX-F355P 物聯網感測器
意法半導體(ST)宣布基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級進化，并將此技術應用在通用32位MCU市場領先的STM32系列MCU產品。
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意法半導體 MCU FD-SOI STM32
受到美國政府的干擾，中國半導體產業發展遇到了諸多困難，同時也給原來沒有得到足夠關注的技術或企業提供了很好的發展機遇，SOI（絕緣體上硅）制程工藝就是其中之一。2019 年之前，當先進制程工藝演進到 10nm 時，當時昂貴的價格，以及漏電流帶來的功耗水平偏高問題，一直是業界關注的難題，SOI 正是看到了 FinFET 的這些缺點，才引起人們關注的，它最大的特點就是成本可控，且漏電流非常小，功耗低。在實際應用中，SOI 主要分為 FD-SOI（全耗盡型絕緣體上硅）和 RF-SOI（射頻絕緣體上硅）。FD-SO
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SOI
混合動力汽車 (HEV) 和全電動汽車 (EV) 設計如今廣受關注，一個重要的技術趨勢正悄然影響著汽車行業——汽車動力系統中的 48V 直流 (DC) 總線系統。48V 系統不僅適用于全電動汽車和混合動力汽車，它還適用于更常見的內燃機汽車。汽車應用 48V 電網48V 系統有何獨特之處？與在常規的供電條件下一樣，48V 系統歸根到底仍然遵循歐姆定律和基礎物理學規律，與電勢差 (V = IR)、電功率 (P = IV) 及功率損耗 (P = I2R) 相關。供電仍需要電流與電壓的結合，但電勢差（損耗）隨電流
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Power-SOI Soitec
中國北京，2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強了其在BCD-on-SOI技術領域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應用中對更高數字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結合在一起，因此與傳統Bulk BCD工藝相比，高密度數字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個芯片。X-F
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X-FAB 110納米 BCD-on-SOI
過去十年，天線調諧技術領域發生了巨大變化。天線變得更小、性能更強，能處理更多的射頻信號。這些發展的核心是絕緣硅片 (SOI) 技術——它提供的調諧能力提高了設計靈活性，并大幅改善了性能。復雜射頻世界中的器件性能有時候，科技似乎在飛速發展，日新月異——產品變得越來越小，處理速度越來越快，我們的世界剎那間便不同以往。移動設備的天線也是如此。支持許多頻段的更小移動設備使得天線更加復雜。對于工程師而言，這種復雜性也是需要攻克的障礙。與此同時，技術開發工程師每推出一代新技術，都會做出漸進式改進，通過這種持續改善來幫
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Qorvo SOI
致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于晶視智能（CVITEK）CV1821芯片和晶相光電（SOI）JX-K06圖像傳感器的網絡攝像機（IPC）方案。圖示1-大聯大友尚基于CVITEK和SOI產品的IPC方案的展示板圖近年來，消費電子、物聯網、工業互聯網、智能家居、智慧城市的發展，推動了智能監控技術的革新，也驅動了IPC（網絡攝像機）的需求。相比于傳統攝像機，IPC不僅能夠提供更高清晰度的視頻效果，還具有網絡輸出接口，可直接將攝像機接入本地局域網。這些特性使其
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大聯大友尚 CVITEK SOI 網絡攝像機
意法半導體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄，將在意法半導體位于法國Crolles的現有晶圓廠旁邊新建一座聯合運營的300毫米半導體晶圓廠。新工廠將支持多種半導體技術和工藝節點，包括FD-SOI。ST和GF預計，該晶圓廠將于2024年開始生產芯片，到2026年將達到滿負荷生產，每年生產多達62萬片300毫米晶圓。法國東南部的Crolles，距離意大利邊境不遠，長期以來一直是FD-SOI發展的溫床。從許多方面來看，FD-SOI是一種技術含量較低的方法，可以實現FinF
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FD-SOI GAAFET FinFET
·????? 隨著世界經濟向數字化和脫碳轉型，新的高產能聯營晶圓廠將更好滿足歐洲和全球客戶需求·????? 新工廠將支持各種制造技術，包括格芯排名前列的 FDX? 技術和意法半導體針對汽車、工業、物聯網和通信基礎設施等應用開發的節點低至18納米的全面技術·????? 預計該項合作投資金額達數十億歐元，其中包括來自法國政府的大筆財政支持?2022 年
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意法半導體 12英寸 晶圓廠 FD-SOI
CEA、Soitec、格芯（GlobalFoundries）和意法半導體宣布一項新合作協議，四家公司計劃聯合制定產業之下一代FD-SOI技術發展規劃。半導體組件和FD-SOI技術創新對法國和歐盟以及全球客戶具有策略價值。FD-SOI能夠為設計人員和客戶系統帶來巨大益處，包括更低功耗以及易于整合更多功能，例如，通訊聯機和安全保護，這對汽車、物聯網和行動應用而言，其優勢是FD-SOI技術的一個重要特質。CEA主席Francois Jacq表示，二十多年來，在Grenoble-Crolles生態系統中，CEA一
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CEA Soitec 格芯 意法半導體 FD-SOI
意法半導體（ST）宣布，電機電子工程師學會（Institute of Electrical and Electronics Engineering，IEEE）授予意法半導體IEEE里程碑獎，表彰ST在超級整合硅閘半導體制程技術領域的創新研發成果。ST的BCD技術可以單芯片整合雙極制程高精密模擬晶體管、CMOS制程高性能數字開關晶體管和高功率DMOS晶體管，滿足高復雜度、大功率應用的需求。多年來，BCD制程技術已賦能硬盤驅動器、打印機和汽車系統等終端應用獲得重大技術發展。在意法半導體Agrate工廠的實時／
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ST BCD 制程技術
介紹了一種田字形單質量塊三軸電容式微加速度計的設計與仿真。該加速度計以SOI晶圓作為基片，經過氧化、光刻、干法刻蝕和濕法刻蝕等工藝步驟得到。通過支撐梁和3個軸的敏感結構的巧妙設計，有效避免了平面內和垂直方向的交叉軸干擾的影響，并提高了Z軸的靈敏度。通過差分電容的設計，理論上消除了交叉軸干擾。通過仿真得到了該加速度計在3個軸向上的靈敏度及抗沖擊能力。結合理論分析和ANSYS仿真結果，可以得出結論：所設計的加速度計擁有較低的交叉軸干擾、較高的靈敏度以及較強的抗沖擊能力，在慣性傳感器領域有一定的應用前景。
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微加速度計 SOI 交叉軸干擾 靈敏度
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