ST BCD制程技術獲頒IEEE里程碑獎 長跑35年第十代即將量產

意法半導體（ST）宣布，電機電子工程師學會（Institute of Electrical and Electronics Engineering，IEEE）授予意法半導體IEEE里程碑獎，表彰ST在超級整合硅閘半導體制程技術領域的創新研發成果。ST的BCD技術可以單芯片整合雙極制程高精密模擬晶體管、CMOS制程高性能數字開關晶體管和高功率DMOS晶體管，滿足高復雜度、大功率應用的需求。多年來，BCD制程技術已賦能硬盤驅動器、打印機和汽車系統等終端應用獲得重大技術發展。

在意法半導體Agrate工廠的實時／在線揭牌儀式中，IEEE意大利分部人道主義活動委員會協調人暨前秘書Giambattista Gruosso，以及意法半導體總裁暨執行長Jean-Marc Chery共同揭開了IEEE里程碑牌匾。

ST率先采用單芯片整合雙極型晶體管、CMOS晶體管和DMOS晶體管（BCD）的超級整合硅閘極制程，解決復雜、具大功率需求的應用設計挑戰。首個BCD超級集成電路L6202可控制最高60V-5A的功率，開關頻率300kHz。隨后汽車、計算機和工業自動化也逐漸采用這項制程技術，讓芯片設計人員能靈活、可靠地以單芯片整合功率、模擬和數字訊號處理電路。

IEEE于1983年建立了里程碑計劃，表彰獨特的產品、服務或具影響力的論文和專利所帶來的技術創新和卓越成就。每個里程碑獎都認可一項重要的技術成就，必須在IEEE提出的技術領域具備至少25年的發展，而且至少具備地區性的影響力。目前IEEE在全球審核并頒發了約220個IEEE里程碑獎。

80年代初期，意法半導體工程師開始尋找可靠的方法來解決各種電子應用問題，首先在一顆單芯片上整合了異質晶體管和異質二極管，隨后更著眼于多個細分市場的客戶需求，成功在數字邏輯的控制下提供數百瓦的電力，讓控制邏輯技術得以順利遵循摩爾定律。目標組件還將支持精密模擬功能，并最大程度地降低功耗，無需使用散熱器。

這些研發的最終成果就是新的整合硅閘技術BCD（雙極、CMOS、DMOS），它利用復雜的聯機方法在單個芯片上整合二極管、雙極線性晶體管、復雜CMOS邏輯和多個DMOS功率晶體管。BCD首個芯片是L6202馬達全橋驅動器，電壓為60V，電流1.5A，開關頻率300kHz，達到所有設計目標。

自推出BCD制程至今，ST已售出多達400億顆硅閘多功率BCD組件／芯片，第十代BCD技術也即將開始量產。在歐洲和亞洲，這項BCD技術被廣泛用于車子用系統、智能型手機、家電、音頻放大器、硬盤、電源、打印機、微型投影機、照明、醫療設備、馬達、調制解調器、顯示器等。

意法半導體總裁暨執行長Jean-Marc Chery表示：「到現在，已經過去35年并經歷了九次技術迭代，我們產出500萬片晶圓，并售出400億顆芯片—僅去年一年就銷售近30億顆芯片。能夠得到此一IEEE里程碑獎就意味著ST的BCD技術將被寫進推動人類發展的科技史冊，對此，我們的自豪無以言表。」

意法半導體IEEE里程碑獎的牌匾將放置于ST在意大利米蘭市近郊之兩個工廠的大門口，包含Brianza的Agrate工廠和米蘭的Castelletto，兩間都曾經承擔多硅閘多功率BCD開發運作。