- 全球4大晶圓代工廠2010年積極擴充40納米以下先進制程產能，臺積電、聯電、全球晶圓(Global Foundries)與中芯(SMIC)資本支出金額逾100億美元。然而，目前40納米以下先進制程客戶只有超微(AMD)、NVIDIA、賽靈思 (Xilinx)等少數大廠，隨著4大晶圓代工廠產能在2012年相繼開出，屆時恐有供過于求的疑慮。
2009年臺積電與全球晶圓的40納米制程技術開始進入量產，三星電子(Samsung Electronics)、聯電也隨后跟進，中芯則預估于2011年下半進入量產
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臺積電 晶圓代工 40納米
- 晶圓代工40納米價格戰開打，設備商傳出， 聯電、全球晶圓(GF)、 三星近期打算以低價搶市，龍頭廠商臺積電因應二線廠點燃價格戰戰火，本周舉行季度業務周時，有可能同步降價因應，恐壓抑臺積電毛利與營收動能。
臺積電15日表示，每一個制程，都會在成本下降后，與客戶分享利潤，公司今年與客戶的價格，去年上半年就談好，不會因為市場供需有所變動。間接否認加入40納米價格戰的說法。
臺積電本周將展開季度業務周(Sales Week);據了解，臺積電內部會針對第四季客戶需求再次確認，并先了解明年上半訂單狀況
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臺積電 40納米
- TSMC 29日公布2010年第二季財務報告，合并營收為新臺幣1,049.6億元，稅后純益為新臺幣402.8億元，每股盈余為新臺幣1.55元(換算成美國存托憑證每單位為0.24美元)。
與2009年同期相較，2010年第二季營收增加41.4%，稅后純益增加64.8%，每股盈余則增加了65%。與前一季相較，2010年第二季營收增加了13.9%，稅后純益及每股盈余皆增加了19.7%。這些財務數字皆為合并財務報表數字，并依照中國臺灣一般公認會計準則所編制。
2010年第二季毛利率為49.5%，營
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TSMC 40納米 晶圓
- TSMC昨日公布2010年第二季財務報告，合并營收為新臺幣1,049.6億元，稅后純益為新臺幣402.8億元，每股盈余為新臺幣1.55元(換算成美國存托憑證每單位為0.24美元)。
與2009年同期相較，2010年第二季營收增加41.4%，稅后純益增加64.8%，每股盈余則增加了65%。與前一季相較，2010年第二季營收增加了13.9%，稅后純益及每股盈余皆增加了19.7%。這些財務數字皆為合并財務報表數字，并依照中國臺灣一般公認會計準則所編制。
2010年第二季毛利率為49.5%，營業利
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TSMC 40納米 晶圓
- 備受半導體產業信賴的IP供應商Virage Logic公司 和中國最先進的半導體制造商中芯國際集成電路有限公司(中芯國際，紐約證券交易所交易代碼：SMI，香港聯交所交易代碼：0981.HK)日前宣布其長期合作伙伴關系擴展到40納米(nanometer)的低漏電(low-leakage)工藝技術。Virage Logic 公司和中芯國際從最初的130納米工藝合作起便為雙方共同的客戶提供具高度差異的 IP，涵蓋的工藝廣泛還包含90納米以及65納米。根據協議條款，系統級芯片(SoC)設計人員將能夠使用 Vi
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中芯國際 40納米 低漏電
- 據韓國ET NEWS報導，過去1年2個月期間呈現上升趨勢的DRAM價格，可能將再度下滑。預期第3季DRAM價格將小幅下滑后止跌，但第4季將會有大幅的下滑趨勢。雖韓國企業的凈利也將減少，但對臺灣企業打擊可能更大。
據相關業者及證券師指出，自2009年4月持續上升的DRAM價格進入第3季后可能會有 5%的價格下滑。業界相關人員表示，第3季DRAM價格依據PC業者的調降要求，可能會有5%的下滑，但DRAM供貨貨量有限制，因此下滑幅度應不大。
摩根大通(JP Morgan Chase &
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海力士 DRAM 40納米
- TSMC 7日宣布擴展開放創新平臺服務，增加著重于提供系統級設計、類比/混合訊號/射頻設計(analog/mixed-signal (AMS)/RF)，以及二維/三維集成電路(2-D/3-D IC)的設計服務。TSMC亦同時針對上述新增的服務，宣布開放創新平臺的三項創新技術。
TSMC自2008年推出促進產業芯片設計的開放創新平臺后，幫助縮短產品上市時程，改善設計投資的報酬，并減少重復建構設計工具的成本。此開放創新平臺包含一系列可相互操作支援的各種設計平臺介面、及合作元件與設計流程，能促進供應鏈
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臺積電 芯片設計 65納米 40納米 28納米
- 全球晶圓(Global Foundries)加入晶圓代工戰局后動作頻頻，不僅合并特許半導體，并大幅擴產，更積極布局先進制程，挑戰臺積電與聯電，市場預期，Global Foundries此次擴充德國廠45/40納米產能后，加上聯電40納米制程良率提升，以及領先在前頭的臺積電，將使得2011年40納米戰場更為火熱。
目前40納米市場仍由臺積電獨大，不過此次Global Foundries的擴產計劃中，德國德勒斯登Fab1將于2011年開始量產，并且計劃擴充45/40納米制程，同時聯電40納米逐漸跟上
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GlobalFoundries 40納米 晶圓代工
- 全球晶圓(Global Foundries)在臺北計算機展(COMPUTEX)首日在臺舉行記者會，宣布一系列擴產計畫，執行長Douglas Grose指出，Global Foundries將擴充12寸晶圓廠產能，位于德國的Fab1將成為歐洲首座Giga Fab，另外也將目前正在興建的紐約Fab8，將每月產能增加到6萬片。
Douglas Grose表示，德國Fab1將成為歐洲首座Giga Fab與最大的12寸廠，產能增加33%，由每月6萬片提升到8萬片，用以增加45奈米、40奈米與28奈米制程產
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GlobalFoundries 45納米 40納米 28納米
- 全球專業IC設計軟件供貨商SpringSoft今天宣布，支持臺積電(TSMC)的40納米可相互操作制程設計套件(iPDK)。這是以SpringSoft所支持TSMC 65納米RF制程iPDK為基礎，預計在2010年第二季結束，40納米與65納米TSMC iPDKs都將可搭配Laker™ Custom Layout Automation System量產使用。
兩家公司之間的合作起因于彼此對于可相互操作PDKs的支持，為全定制芯片設計人員提供制造彈性、技術選擇與設計生產力。Spring
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臺積電 40納米 iPDK
- 全球DRAM產業40納米大戰出現變量，由于浸潤式機臺(Immersion Scanner)遞延交貨之故，瑞晶已松口表示，原本計劃年底前旗下8萬片12寸晶圓產能要全轉進45納米制程的目標，將正式遞延至2011年第1季，其第1臺浸潤式機臺本周才會正式到貨，比原訂時程晚了2~3個月，內部已決定將8萬片產能全數轉進63納米制程作為應變。DRAM業者皆認為，全球DRAM 產業的40納米正式對決時間點，會是在2011年!
瑞晶總經理陳正坤表示，瑞晶第1臺浸潤式機臺將于本周正式到貨，預計在9月之前會有5~6臺
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三星電子 DRAM 40納米
- 據國外媒體報道，臺聯電(UMC)日前發布了2010年第一季度業績報告。
在今年第一季度中，臺聯電實現凈利潤34.8億元新臺幣，約合1.1億美元。去年同期聯電虧損81.6億新臺幣，而在09年第四季度，公司凈利潤為44億新臺幣。
湯森路透調查的分析師此前普遍認為，臺聯電第一季度有望實現凈利潤35.8億元新臺幣。
公司第一季運營利潤率為12.7%。這一水平低于競爭對手臺積電同期的37%。臺積電大力推行其更為先進的40與65納米工藝技術，這部分產品帶來的銷售收入約占公司總收入的41%。
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臺聯電 40納米 65納米
- 日韓DRAM大廠制程競賽延伸至產品規格之戰，在三星電子(Samsung Electronics)于3月底，宣布推出由32GB大容量服務器內存模塊后，日系內存大廠爾必達(Elpida)也宣布4Gb DDR3芯片正式問世，不但采40奈米制程生產，未來也將用此芯片生產32GB內存模塊，應用于服務器、大型數據中心或其他大型系統等，DRAM大廠在產品規格之戰，逐漸由主流規格2Gb，延伸至4Gb容量。
爾必達22日指出，將正式推出4Gb DDR3芯片，主要是采用40納米制程生產，且響應近期科技產業吹起的環保
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Samsung DRAM 40納米
- 2010年DRAM產業自谷底回春，不淡擺脫過去虧損連連的情況，或是各廠要求政府要紓困，幾乎每家DRAM業者都開始賺錢，且DRAM供不應求情況越來越嚴重，價格也不斷上漲，現在DDR3和DDR2價格1顆3美元的情況發生在傳統淡季，實在少見，且缺貨的情況短期內無法紓解。
市場分析主要原因可分為供給和需求兩方配合。在供給端方面，除了三星電子(SamsungElectronics)實力和財力雄厚外，廠的資本支出頂多只能應付制程微縮的需求，沒有多余的資金可蓋新廠房。
再者，2010年各廠轉進50或是4
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DRAM 40納米
- 巴黎銀行在本周二公布的投資報告中表示，臺積電公司正在與歐洲及日本的芯片生產商就設備采購問題進行談判，這也意味著臺積電公司的訂單有可能增加。
對于巴黎銀行的報告，臺積電新聞發言人J.H. Tzeng表示，他目前無法對此事發表評論。截至臺北時間本周五上午9點17分，臺積電股價上漲了0.3%，報每股62.8新臺幣。目前，臺積電是全球最大的代工芯片生產商。
巴黎銀行分析師在其報告中表示：“臺積電計劃提高其市場份額并擴大市場規模，同時還將進一步豐富其IP組合。通過這些資產收購，臺積電及其
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臺積電 40納米 芯片代工
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