TSMC7日宣布針對65納米、40納米及28納米工藝推出已統合且可交互操作的多項電子設計自動化(Electronic Design Automation; EDA) 技術檔案。這些與設計相關的技術檔案套裝包括可互通的工藝設計套件(iPDK)、工藝設計規則檢查(iDRC)、集成電路布局與電路圖對比 (iLVS),及工藝電容電阻抽取模組 (iRCX)。
iPDK、iDRC、iLVS,及iRCX技術系由TSMC與EDA合作伙伴一同在半導體產業的互通項目下通過驗證,也是TSMC「開放創新平臺」之一部份。
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臺積電 EDA 65納米 40納米 28納米
市場調研公司FBR分析師Hosseini關于臺積電與聯電的競爭態勢展望,認為直到年底全球代工業仍是不錯, 尤其是高端代工。
無論臺積電或者聯電它們的硅片出貨量都好于預期,2010 Q1臺積電Q/Q持平或者-2%及聯電為上升3%或者持平。表示市場需求包括消費電子和通訊持好。對于Q2,Hosseini認為臺積電的出貨量有10% 的增長, 而聯電也可在8%-10%。
因為今年代工的業績亮麗,所以兩大代工巨頭的產能成為關鍵, 它們的產能利用率都很高及不用擔心庫存增加的風險。Hosseini認為,臺
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臺積電 40納米
TSMC 7日宣布針對65納米、40納米及28納米工藝推出已統合且可交互操作的多項電子設計自動化(Electronic Design Automation; EDA) 技術檔案。這些與設計相關的技術檔案套裝包括可互通的工藝設計套件(iPDK)、工藝設計規則檢查(iDRC)、集成電路布局與電路圖對比 (iLVS),及工藝電容電阻抽取模組 (iRCX)。
iPDK、iDRC、iLVS,及iRCX技術系由TSMC與EDA合作伙伴一同在半導體產業的互通項目下通過驗證,也是TSMC「開放創新平臺」之一部份
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TSMC 65納米 40納米 28納米
據中芯國際集成電路制造有限公司資深研發副總季明華撰文披露,2010年,中芯國際將加強65納米的嵌入式工藝平臺和32納米關鍵模塊的研發;同時力爭實 現45納米和40納米技術的小批量試產。
在第四屆(2009年度)中國半導體創新產品和技術評選中,中芯國際有兩項技術獲獎,其一是 “65納米邏輯集成電路制造工藝技術”,其二是“0.11微米CMOS圖像傳感器工藝技術”。
據介紹,目前,中芯國際已經完成了65納米CMOS技術的認證,并于2009年第三季度
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嵌入式 65納米 40納米 CMOS
Altera公司今天宣布,開始量產發售40-nm Arria® II GX FPGA系列的第一款器件。Arria II GX器件系列專門針對3-Gbps收發器應用,為用戶提供了低功耗、低成本和高性能FPGA解決方案。廣播、無線和固網市場等多種大批量應用目前廣泛采用了Arria II GX FPGA。
Arria II GX FPGA現在量產發售EP2AGX45和EP2AGX65,它們分別具有45K邏輯單元(LE)和65K LE。對于接入設備、遠程射頻前端、HD視頻攝像機和保密設備等低成本
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Altera 40納米 Arria FPGA
編者點評(莫大康 SEMI China顧問):任何事具兩面性,fab lite模式也一樣。IDM廠試圖為節省研發費用,減少投資而積極推行fab lite及外協代工模式,其風險也是很大的。如今臺積電在40nm的代工良率不足60%,影響AMD和 Nvidia的繪圖芯片出貨就是一個例證。所以從根本上fab lite是一種被動的模式。
繪圖芯片市場缺貨問題依舊存在,繪圖卡業者透露,由于40奈米制程良率仍不及6成,嚴重影響超微(AMD)、NVIDIA出貨計劃,加上臺積電產能擠爆,使得繪圖芯片舊品亦難以紓解
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NVIDIA 繪圖芯片 40納米
美光(Micron)和南亞科正式宣布加入40納米DRAM制程大戰,今(9)日將攜手宣布42納米2Gb容量DDR3產品正式問世,同時也全面導入銅制程技術,與三星電子(Samsung Electronics)的46納米、海力士(Hynix)44納米和爾必達(Elpida)45納米相比,美光陣營的每片DDR3晶圓尺寸由于體積最小且產出數量最多,預計在2010年第2季試產,而策略伙伴南亞科和華亞科也將于下半年導入42納米制程,與爾必達旗下力晶和瑞晶導入45納米的時間點相仿。
2010 年DRAM市場50
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Micron 40納米 DRAM
繼臺積電提高2010年資本支出達48億美元,晶圓專工大廠聯電3日亦宣布,提高2010年資本支出達12億~15億美元,其中約有94%將用于擴充12寸先進制程產能。聯電執行長孫世偉表示,聯電65納米成長會非常迅速,45/40納米世代占營收比重將增加,同時良率已很穩健。值得注意的是,臺積電、聯電紛上看2010年晶圓代工產業將成長3成,樂觀預期公司可望同步跟著成長,并加碼資本支出,透露在兩大龍頭廠帶領下,將再度掀起12寸廠投資熱潮。
孫世偉表示,對于2010年展望非常樂觀,預估半導體產業可望成長13~1
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臺積電 晶圓代工 65納米 45納米 40納米
近期DRAM廠掀起一股40納米熱潮,這一切都要從爾必達(Elpida)說起。因為爾必達2009年沒錢轉進50納米技術制程后,最后決定跳過50納米,直接轉進45納米,這下刺激了美光(Micron)陣營,南亞科和華亞科近期宣布42納米制程提前1季導入,讓整個DRAM產業在50納米都還沒看到影子時,又冒出一堆40納米的話題,但40納米能為DRAM產業貢獻多少? 真的有待商榷,只有三星電子(Samsung Electronics)在克服良率困難后,有機會大量生產,其它陣營的40納米技術,都是口頭說說成分居多。
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DRAM 40納米
晶圓代工在龍頭臺積電帶領下再掀投資熱潮,臺積電28日宣布2010年資本支出將創下歷史新高達48億美元,較2000年次高紀錄的33億美元大增45%,亦較2009年暴增70%,令市場咋舌!同時據統計,目前臺積電在45/40奈米制程高達9成市占,制程愈先進市占率愈高,面對競爭對手聯電、全球晶圓(Global Founfries)來勢洶洶,臺積電老神在在。
臺積電展望第1季營收較2009年第4季持平符合市場預期,不過公布的2010年資本支出高達48億美元卻超出市場原預期的40億~45億美元區間,令市場驚
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臺積電 晶圓代工 40納米 28納米
TSMC今(28)日公布2009年第四季財務報告,合并營收為新臺幣920.9億元,稅后純益為新臺幣326.7億元,每股盈余為新臺幣1.26元(換算成美國存托憑證每單位為0.19美元)。
與2008年同期相較,2009年第四季營收增加42.6%,稅后純益增加162.5%,每股盈余則增加了162.7%。與前一季相較,2009年第四季營收增加了2.4%,稅后純益增加6.9%,每股盈余則增加了7.2%。這些財務數字皆為合并財務報表數字,并依照中國臺灣一般公認會計準則所編制。
2009年第四季毛利率
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臺積電 晶圓代工 40納米 28納米
兩岸經濟合作架構協議(ECFA)25日展開第1次協商,業界傳出臺積電董事長張忠謀日前親赴上海會見當地重量級官方代表,張忠謀前往上海當日,正巧華虹NEC與宏力半導體宣布合資興建12寸廠,張忠謀應大陸官方之邀,以兩岸半導體產業大老身分給予產業建言。不過,臺積電對于張忠謀行程不予置評,中芯國際亦否認張忠謀此行與執行長王寧國會面。
張忠謀上周緊急飛往上海,業界傳出張忠謀可能與上海重量級官方代表會面,半導體業者指出,張忠謀此行受到矚目且頗為敏感,主要系因兩岸經濟合作架構協議25日首次展開協商,由于過去張忠
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臺積電 晶圓代工 40納米 28納米
2010年4大DRAM陣營三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)和美光(Micron)戰場直接拉到40納米世代!繼爾必達跳過50納米制程,大舉轉換至45納米后,美光陣營也不甘示弱宣布年中將同步轉42納米。華亞科表示,表示旗下的50納米制程是最正統的完整世代技術,并非是制程微縮下的產物,因此成本競爭力有十足把握;在爾必達、美光跟上制程進度后,年底4大陣營技術實力大幅縮小,競爭更激烈。
雖然三星電子和海力士已先一步轉到40納米世代,其中三星是
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Hynix DRAM 40納米
臺積電新竹Fab 12第5期(phase 5)19日正式舉行上梁典禮,臺積電營運資深副總劉德音表示,phase 5預計2010年第3季投入28納米制程量產,此外,南科Fab 14第4期廠房過完農歷年后亦將開始動工興建,以加速擴充40納米制程產能。他并透露,未來新竹亦規劃投入phase 6用來投資22納米制程。因此,根據臺積電目前建廠規畫估算,2年內臺積電12寸廠數將高達10座之多,堪稱業界之冠!
臺積電新竹Fab 12第5期19日舉行上梁典禮,典禮主持人劉德音表示,預計2010年第3季迅速完工裝
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臺積電 晶圓代工 40納米 28納米
AMD旗下的Globalfoundries(GF)合并新加坡特許后,計劃斥資42億美元,在紐約州建立12寸新晶圓廠(Fab8),2012年完工19日第五期將舉行上梁典禮。
臺積電12廠第五期上梁典禮,將由資深營運副總劉德音主持。設備商指出,今年半導體景氣進入多頭,全球三大晶圓代工廠擴產火力全開,三家公司新廠房總耗資172億美元,相當于新臺幣5,469億元,支出將高度集中在今、明兩年,有史以來最大。
GF目前擁有新加坡特許Fab7與德勒斯登Fab1,兩座12寸晶圓廠,為了擴大40納米以下先進
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AMD 晶圓代工 40納米 Globalfoundries
40納米介紹
您好,目前還沒有人創建詞條40納米!
歡迎您創建該詞條,闡述對40納米的理解,并與今后在此搜索40納米的朋友們分享。
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