9月DRAM價格猛增13% Flash亦漲4%
最近幾個月來，DRAM價格連連上漲，同時也拉升了NAND Flash顆粒的價格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內存廠商的產品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時期已經有較大起色，但是這內存的價格上漲也波及到了電子賣場中的零售價格。那么究竟現在的內存產品是怎樣的一個局面呢，下面小編就給大家來個深度分析，給你講講這里面的道道。
9 月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報價約為 1.70 美元，較上個月多出了近 13%。
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內存 DRAM 40納米
中芯國際今天宣布其45納米的互補型金屬氧化物半導體 (CMOS) 技術將延伸至40納米以及55納米。
這些新工藝技術進一步豐富了中芯國際現有的技術能力，更好地滿足全球客戶的需求，包括快速增長的中國市場在內。其應用產品包括多媒體產品、圖形芯片、芯片組以及手機設備(如3G/4G 手機)。
“中芯國際上海的12英寸廠已提前達標完成了45納米的技術工藝。我們也同樣期盼著這些附加的延伸技術能取得佳績。”張汝京博士 -- 中芯國際總裁兼首席執行長表示，“這些新技術為
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中芯國際 CMOS 45納米 40納米 55納米
因應景氣翻揚，晶圓代工廠臺積電、聯電紛紛備妥銀彈展開資本支出競賽，其中45/40納米產能擴充將是2009~2010年重點，而臺積電則于40納米制程世代起一并提供客戶全套式的前、后段制程代工服務，加上太陽能產廠將動工，預料2010年資本支出上看30億美元，不過同業聯電的資本支出增幅更為驚人，2010年資本支出可望翻一倍達到10億美元。
2008 年臺積電、聯電受到金融風暴影響，緊急在資本支出踩煞車，讓半導體設備業者陷入寒冬，如今景氣狀況回穩，2009年上半起資本支出逐漸解凍，到了下半年臺積電、聯電
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臺積電 40納米 晶圓代工
日本最大閃存芯片制造商爾必達表示，可能投資至多400億日元(約合4.52億美元)提高40納米芯片的產量，達到公司芯片總產量的一半。
爾必達發言人表示，公司計劃今年開始大規模生產這一產品。他說，為了反映市場狀況，爾必達決定加快投資步伐。
爾必達、三星電子、海力士半導體等芯片制造商正在降低芯片尺寸，以增加一片晶圓所能切割出的芯片數量，以此降低成本，應對產品價格不斷下滑的局面。爾必達說，從當前的50納米技術轉向較小的芯片尺寸，公司可以將每片晶圓的芯片產量提高44%。
亞洲最大半導體現貨市場
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爾必達 40納米 閃存芯片
不知是否是因為Global Foundries的步步威脅，臺積電28日宣布，延聘3年前離職的蔣尚義博士擔任研究發展資深副總經理，他將直接對張忠謀董事長負責。
這是繼張忠謀6月重新執政臺積電以來，又一次重大的人事調整。蔣尚義博士早在1997年即加入臺積電擔任研究發展副總經理，帶領研發團隊一路順利開發完成0.25微米、0.18微米、0.13微米、90納米、65納米等各個世代的先進工藝技術，成果斐然。但是三年多前因為要照顧年邁生病的父親而暫時離開，如今因父親仙逝而能再度回到臺積，相信蔣資深副總的回任，
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臺積電 40納米 HKMG EUV
臺灣DRAM大廠南科宣布8億股現金增資計劃，預計籌措100億元以上資金，全數投入50納米制程，以及償還公司債，盡管DRAM現貨價格已站上每顆2美元，時間點來得比預期早，國內DRAM廠暫時度過最艱困的時刻，但三星半導體將在明年把40納米推升為生產線主力，成本大幅降低的優勢，勢必更加顯著，臺廠與國外一線大廠的苦戰還是難免。
由于DDR2過渡至DDR3面臨產能轉換的瓶頸期，導致DDR3產能不足，進一步拉抬DDR2價格，原本內存模塊廠預測，今年第四季底，DDR2現貨價才有機會達到2美元，但根據集邦科技報
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南科 50納米 40納米 DRAM
日前，LSI 公司宣布其開始提供業界首款專為筆記本電腦、臺式機以及企業級硬盤驅動器(HDD) 市場領域設計的 40 納米多接口物理層(PHY) IP 樣片。
所有主要 HDD 和固態驅動器(SSD) 制造商均可在其片上系統(SoC)設計方案中集成 LSI TrueStore® PHY9500 這一統一解決方案，也可支持 6Gb/s SAS、6Gb/s SATA 及 4.25Gb/s 光纖通道接口標準。驅動器制造商通過在其 SoC中集成 PHY9500，不僅可大幅降低驗證及開發成本，而且還
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LSI 40納米 PHY TrueStore
臺積電40/45納米制程傳出好消息，對岸的晶圓代工廠中芯國際也緊跟在后!中芯國際表示，45納米搭上IBM技術陣營的共通平臺 (Common Platform)，進展也將愈追愈快，預計2009年底將正式投產(Tape-out)，2010年放量生產。中芯國際認為在機器設備折舊攤提持續下降與高階制程加入雙重效果下，2010年期待實現獲利。
IBM陣營愈來愈壯大，除了三星電子(Samsung Electronics)、新加坡特許(Chartered)與全球晶圓(Global Foundries)以外，中
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臺積電 40納米 45納米 晶圓代工
原先預期繪圖晶片雙雄40納米大戰將會在2009年第2季正式開打，其中超微(AMD)所推出ATI Radeon HD 4770備受市場關注，稍后NVIDIA也會跟進發布40納米產品，但出乎預料的是，由于臺積電40納米制程良率偏低，傳出僅達2成左右，令超微受傷遭受重創。
超微5月初準備大舉登場的ATI Radeon HD 4770繪圖芯片，首度導入臺積電40納米制程，由于功耗降低、效能提升，備受市場期待，然在6月時因實際出貨量相當稀少，僅少數一線業者有貨可賣，使得超微錯失逆轉契機，外界開始質疑40納
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臺積電 40納米 繪圖芯片
ARM當地時間17早上宣稱開發出2GHz的雙核版Cortex-A9架構處理器,它基于40納米制程構建,在沒有提升功耗的前提下提高了速度,每個處理單元功耗最低可達0.25W.
這款芯片主要用于高速家庭設備以及空間應用等需要低功耗、小空間的計算環境.
ARM將制造40納米芯片的任務交給了臺積電,實際交貨要等到今年秋天.
2GHz芯片不大可能這么早裝載在手機上,但有可能會在MID上出現,目前蘋果iPhone正在使用其上一代產品Cortex A8,這款芯片由三星設計,頻率達到600MHz.
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ARM 40納米 Cortex-A9
盡管近期DRAM價格大幅反彈，但估計2009年第3季仍僅有韓系兩大廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)可以賺錢，2010年再輪到美光(Micron)和爾必達(Elpida)轉虧為盈，至于臺廠方面，由于 2010年三星制程技術將晉級到40納米，以目前臺廠腳步，未來恐將會有多家大廠被迫淡出標準型DRAM市場。
DRAM價格雖已開始反彈，然復原最快廠商仍是三星，第2季已開始賺錢，預計第3季三星和海力士兩大韓廠都可望進入獲利，隨著DRAM產業逐步復蘇，美光和爾必達2
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三星 DRAM 40納米 晶圓代工
經過一年半的合作，臺積電終于拿下首顆高階服務器處理器代工訂單，正式進入CPU代工市場!美國Sun Microsystems最近在美國Hot Chips大會中，發表新款16核心Rainbow Falls系統處理器，該款處理器主要委由臺積電40納米制程代工，明年可望順利量產投片，成為臺積電明年營收成長的主要動力來源之一。
臺積電與Sun在去年2月底宣布合作，Sun將把先前的服務器用UltraSPARC處理器，委由臺積電以45/40納米代工，未來世代的處理器也將交由臺積電生產。另外，臺積電也與Sun合
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芯片設計解決方案供應商微捷碼(Magma®)設計自動化有限公司日前宣布，NVIDIA公司已部署Quartz™ DRC作為40納米及40納米以下工藝節點IC的主要設計規則檢查器。NVIDIA打算將微捷碼物理驗證工具用于從定制單元開發到全芯片驗證的各種應用。NVIDIA是在多項65納米設計上使用了Quartz DRC并發現其提供了較現有物理驗證工具顯著縮短的驗證周期后才選擇Quartz DRC進行40納米和40納米以下設計。
“自從向65納米工藝節點發展以來，我們一直
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芯片設計解決方案供應商微捷碼(Magma)設計自動化有限公司日前宣布，微捷碼客戶們通過采用微捷碼的Talus® netlist-to-GDSII設計實現系統，已完成超過50次的45納米及45納米以下工藝節點的芯片投片，次數遠超過任何其它EDA供應商的實現系統。作為微捷碼專為45/40納米及更小工藝節點芯片而設計的下一代實現平臺，Talus現已在廣大微捷碼客戶中得到廣泛使用，其最新版本Talus 1.1對于45/40納米工藝節點設計更是展現出特殊的優勢。
就應用類型而言，現已完成的45/4
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日本富士通微電子株式會社與臺灣積體電路制造股份有限公司27日宣布，雙方同意以臺積電先進的技術平臺為基礎，針對富士通微電子的28納米邏輯IC產品進行生產、共同開發并強化28納米高效能工藝。在這之前，富士通微電子與臺積電已經就40納米工藝進行合作。這項協定代表富士通微電子將延伸已經在臺積電生產的40納米產品，雙方將共同發展最佳化的28納米高效能工藝，而首批28納米工程樣品預計于2010年年底出貨。
這項先進技術的合作將富士通微電子在先進高速工藝與低耗電設計技術的專長及優勢，以及臺積電節能的高效能邏輯
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富士通 28納米 40納米
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